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1. 发明专利

TW201343550A 矽微粒子之製造方法及製造裝置失效
简体标题：硅微粒子之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TW201343550A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101148582
申请日：2012-12-20
申请人：普利司通股份有限公司 , BRIDGESTONE CORPORATION
发明人：遠藤忍 , ENDO, SHINOBU , 岩淵芳典 , IWABUCHI, YOSHINORI , 山本由紀子 , YAMAMOTO, YUKIKO
IPC分类号： C01B33/025 , C01B33/027
CPC分类号： C01B33/025 , B01J19/088 , B01J19/121 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0879 , B01J2219/0888 , B01J2219/089 , B01J2219/0894 , C01B33/027
摘要：本發明之課題係提高矽微粒子之產率。本發明之矽微粒子之製造方法，係具有下述製程：製程A，係在由非碳物質所形成之區域內、於惰性氛圍下，將藉由加熱機構以乾燥含有矽源以及碳源之混合物所得之前驅物予以加熱；以及製程B，係在由非碳物質所形成之區域內、於惰性氛圍下，將藉由加熱該前驅物所生成之氣體予以急速冷卻。該矽源以及該碳源之至少一者為液狀。
简体摘要：本发明之课题系提高硅微粒子之产率。本发明之硅微粒子之制造方法，系具有下述制程：制程A，系在由非碳物质所形成之区域内、于惰性氛围下，将借由加热机构以干燥含有硅源以及碳源之混合物所得之前驱物予以加热；以及制程B，系在由非碳物质所形成之区域内、于惰性氛围下，将借由加热该前驱物所生成之气体予以急速冷却。该硅源以及该碳源之至少一者为液状。

2. 发明专利

TWI488806B 矽微粒子之製造方法及製造裝置失效
简体标题：硅微粒子之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TWI488806B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101148582
申请日：2012-12-20
申请人：普利司通股份有限公司 , BRIDGESTONE CORPORATION
发明人：遠藤忍 , ENDO, SHINOBU , 岩淵芳典 , IWABUCHI, YOSHINORI , 山本由紀子 , YAMAMOTO, YUKIKO
IPC分类号： C01B33/025 , C01B33/027
CPC分类号： C01B33/025 , B01J19/088 , B01J19/121 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0879 , B01J2219/0888 , B01J2219/089 , B01J2219/0894 , C01B33/027

3. 发明专利

TW364894B 製造碳化矽單結晶之高純度碳化矽原料粉末的製造方法及單結晶失效
简体标题：制造碳化硅单结晶之高纯度碳化硅原料粉末的制造方法及单结晶
公开(公告)号：TW364894B
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：TW084110302
申请日：1995-10-03
申请人：普利司通股份有限公司
发明人：金本正洙 , 遠藤忍 , 橋本誠夫
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C30B29/36 , C01B32/956 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , C30B23/00
摘要：一種製造碳化矽單結晶之高純度碳化矽粉末的製造方法，其特徵在於：以自高純度之四烷氧基矽烷、四烷氧基矽烷聚合體、氧化矽中選取１種以上作為矽源，且，以分子內含有氧並可藉加熱殘留碳之高純度有機化合物作為碳源；尚包含如下步驟：於非氧化性環境下加熱燒結一由該矽源與碳源均質混合而得之混合物，而得到碳化矽粉末之碳化矽生成步驟；以及，將所得到之碳化矽粉末保持於1700℃以上2000℃以下之溫度，在該溫度之保持中，至少進行2000℃～2100℃之溫度下的加熱處理5～20分鐘之後處理步驟；藉由前述２步驟，得到平均粒徑為10μm~500μm各不純物元素之含量為0.5ppm以下之碳化矽粉末。
简体摘要：一种制造碳化硅单结晶之高纯度碳化硅粉末的制造方法，其特征在于：以自高纯度之四烷氧基硅烷、四烷氧基硅烷聚合体、氧化硅中选取１种以上作为硅源，且，以分子内含有氧并可藉加热残留碳之高纯度有机化合物作为碳源；尚包含如下步骤：于非氧化性环境下加热烧结一由该硅源与碳源均质混合而得之混合物，而得到碳化硅粉末之碳化硅生成步骤；以及，将所得到之碳化硅粉末保持于1700℃以上2000℃以下之温度，在该温度之保持中，至少进行2000℃～2100℃之温度下的加热处理5～20分钟之后处理步骤；借由前述２步骤，得到平均粒径为10μm~500μm各不纯物元素之含量为0.5ppm以下之碳化硅粉末。

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