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1. 发明专利

TWI359797B 除去熔融玻璃之泡的方法及除去裝置、以及玻璃之製造方法有权
简体标题：除去熔融玻璃之泡的方法及除去设备、以及玻璃之制造方法
公开(公告)号：TWI359797B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW096116170
申请日：2007-05-07
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：渡邊滿 , 黑岩裕 , 伊賀元一 , 伊藤節郎 , 深澤寧司
IPC分类号： C03B
CPC分类号： C03B5/225 , Y02P40/57
摘要：本發明係以提供一種解決玻璃基板製造時，其殘存於熔融玻璃表面之泡於成形時捲入內部成為內部泡之問題，提供良好品質之玻璃基板，同時可提昇玻璃基板生產性，有效去除殘留於熔融玻璃表面之泡的除去方法，與泡除去裝置及使用該泡除去方法之玻璃製造方法為目的。
本發明提供一種熔融玻璃表面浮游泡的除去方法，使至少1束雷射光線對熔融玻璃表面的浮游泡，以所定的角度照射之熔融玻璃的泡除去方法及泡除去裝置。
简体摘要：本发明系以提供一种解决玻璃基板制造时，其残存于熔融玻璃表面之泡于成形时卷入内部成为内部泡之问题，提供良好品质之玻璃基板，同时可提升玻璃基板生产性，有效去除残留于熔融玻璃表面之泡的除去方法，与泡除去设备及使用该泡除去方法之玻璃制造方法为目的。本发明提供一种熔融玻璃表面浮游泡的除去方法，使至少1束激光光线对熔融玻璃表面的浮游泡，以所定的角度照射之熔融玻璃的泡除去方法及泡除去设备。

2. 发明专利

TWI497193B ＥＵＶＬ用光學元件及其修勻方法失效
简体标题：ＥＵＶＬ用光学组件及其修匀方法
公开(公告)号：TWI497193B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW098105330
申请日：2009-02-19
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：小野元司 , ONO, MOTOSHI , 渡邊滿 , WATANABE, MITSURU , 伊藤正文 , ITO, MASABUMI
IPC分类号： G03F1/22 , G03F7/20
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , C03C23/0025 , G03F1/24 , G03F1/60 , G03F1/72 , G21K2201/067

3. 发明专利

TW201202163A 電子裝置审中-公开
简体标题：电子设备
公开(公告)号：TW201202163A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100121062
申请日：2011-06-16
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：山田和夫 , 小野元司 , 渡邊滿 , 竹內俊弘 , 竹田諭司
IPC分类号： C03C , G02F , H01L , H05B
CPC分类号： C03C8/24 , C03C8/04 , C03C27/06 , G02F1/1303 , G02F1/1339 , H01J9/261 , H01J11/48 , H01J2211/48 , H01J2329/867 , H01J2329/8675 , Y10T428/239
摘要：提供一種可將2片玻璃基板間予以雷射密封時，抑制玻璃基板或密封層之裂紋及龜裂等發生之電子裝置。電子裝置具備第1玻璃基板、第2玻璃基板、及形成在該等間之密封層。密封層係由含有密封玻璃、低膨脹填充材、及雷射吸收材之密封材料之熔融固定層所形成。在觀察密封層之剖面時，存於每單位面積之低膨脹填充材與雷射吸收材之周圍長度之和(流動性阻礙值)為0.7~1.3μm -1 ，且於密封玻璃之面積比率乘以其熱膨脹係數之值、及於低膨脹填充材及雷射吸收材之面積比率之和乘以低膨脹填充材之熱膨脹係數之值之和(熱膨脹值)為50~90×10 -7 /℃。
简体摘要：提供一种可将2片玻璃基板间予以激光密封时，抑制玻璃基板或密封层之裂纹及龟裂等发生之电子设备。电子设备具备第1玻璃基板、第2玻璃基板、及形成在该等间之密封层。密封层系由含有密封玻璃、低膨胀填充材、及激光吸收材之密封材料之熔融固定层所形成。在观察密封层之剖面时，存于每单位面积之低膨胀填充材与激光吸收材之周围长度之和(流动性阻碍值)为0.7~1.3μm -1 ，且于密封玻璃之面积比率乘以其热膨胀系数之值、及于低膨胀填充材及激光吸收材之面积比率之和乘以低膨胀填充材之热膨胀系数之值之和(热膨胀值)为50~90×10 -7 /℃。

4. 发明专利

TW201103878A 具有密封材料層之玻璃構件的製造方法及製造裝置、以及電子裝置之製造方法审中-公开
简体标题：具有密封材料层之玻璃构件的制造方法及制造设备、以及电子设备之制造方法
公开(公告)号：TW201103878A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099110342
申请日：2010-04-02
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：渡邊滿 , 小野元司
IPC分类号： C03C , B23K , H01L , H05B
CPC分类号： H01J9/261 , C03C8/24 , C03C23/0025 , C03C27/10 , G02F1/1339 , G02F2001/133354 , H01J11/10 , H01J11/48
摘要：本發明提供一種具有密封材料層之玻璃構件的製造方法，其即便在無法對玻璃基板整體施行加熱的情況下，仍可良好地形成密封材料層。即，將含有密封玻璃與雷射吸收材的密封材料與有機黏結劑混合而調製出的密封材料膏，在玻璃基板的密封區域上塗佈成框狀。沿框狀密封材料膏的塗佈層照射雷射光，藉由對塗佈層進行選擇性加熱，而將塗佈層內的有機黏結劑除去，同時將密封材料燒成而形成密封材料層。使用此種密封材料層，將2片玻璃基板之間予以密封。
简体摘要：本发明提供一种具有密封材料层之玻璃构件的制造方法，其即便在无法对玻璃基板整体施行加热的情况下，仍可良好地形成密封材料层。即，将含有密封玻璃与激光吸收材的密封材料与有机黏结剂混合而调制出的密封材料膏，在玻璃基板的密封区域上涂布成框状。沿框状密封材料膏的涂布层照射激光光，借由对涂布层进行选择性加热，而将涂布层内的有机黏结剂除去，同时将密封材料烧成而形成密封材料层。使用此种密封材料层，将2片玻璃基板之间予以密封。

5. 发明专利

TW200942965A ＥＵＶＬ用光學元件及其修勻方法 OPTICAL COMPONENT FOR EUVL AND SMOOTHING METHOD THEREOF 失效
简体标题：ＥＵＶＬ用光学组件及其修匀方法 OPTICAL COMPONENT FOR EUVL AND SMOOTHING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200942965A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098105330
申请日：2009-02-19
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：小野元司 , 渡邊滿 , 伊藤正文
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , C03C23/0025 , G03F1/24 , G03F1/60 , G03F1/72 , G21K2201/067
摘要：本發明係用以提供一種用於修勻一EUVL用光學元件之具有一凹缺陷之光學表面的方法。本發明係關於一種用於修勻一EUVL用光學元件之光學表面的方法，其包含使用一通量為0.5至2.0 J/cm 2 、波長250 nm以下之準分子雷射照射一EUV微影(EUVL)用光學元件之該具有一凹缺陷之光學表面，該光學元件由一包含SiO2作為一主成份之含TiO2之氧化矽玻璃材料製成。
简体摘要：本发明系用以提供一种用于修匀一EUVL用光学组件之具有一凹缺陷之光学表面的方法。本发明系关于一种用于修匀一EUVL用光学组件之光学表面的方法，其包含使用一通量为0.5至2.0 J/cm 2 、波长250 nm以下之准分子激光照射一EUV微影(EUVL)用光学组件之该具有一凹缺陷之光学表面，该光学组件由一包含SiO2作为一主成份之含TiO2之氧化硅玻璃材料制成。

6. 发明专利

TWI437359B ＥＵＶＬ用光學構件之平滑化方法、及光學面經平滑化之ＥＵＶＬ用光學構件失效
简体标题：ＥＵＶＬ用光学构件之平滑化方法、及光学面经平滑化之ＥＵＶＬ用光学构件
公开(公告)号：TWI437359B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW098127935
申请日：2009-08-19
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：小野元司 , ONO, MOTOSHI , 渡邊滿 , WATANABE, MITSURU , 橫山美華 , YOKOYAMA, MIKA
IPC分类号： G03F1/22 , C03C15/00
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y10/00 , C03C23/0025 , C03C2204/08 , G03F1/24 , G03F1/60 , G21K2201/067

7. 发明专利

TW201219337A 硼酸錫系玻璃及密封構件审中-公开
简体标题：硼酸锡系玻璃及密封构件
公开(公告)号：TW201219337A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100131695
申请日：2011-09-02
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：松本修治 , 渡邊滿
IPC分类号： C03C
CPC分类号： H01J9/26 , C03C3/19 , C03C8/08 , C03C8/24
摘要：本發明係提供一種硼酸錫系玻璃，該硼酸錫系玻璃係低熔點，又因與被密封材料之熱特性差小，即使不摻混填料等的添加劑，亦能製得密封時之裂痕等的產生已受抑制之密封材料。一種硼酸錫系玻璃，其特徵在於：具有以下之組成：62～73質量%之SnO、19～25質量%之B2O3、0.1～7質量%之P2O5、0～6質量%之ZnO、0～3質量%之CaO、0～7質量%之SrO及0～4質量%之Al2O3。
简体摘要：本发明系提供一种硼酸锡系玻璃，该硼酸锡系玻璃系低熔点，又因与被密封材料之热特性差小，即使不掺混填料等的添加剂，亦能制得密封时之裂痕等的产生已受抑制之密封材料。一种硼酸锡系玻璃，其特征在于：具有以下之组成：62～73质量%之SnO、19～25质量%之B2O3、0.1～7质量%之P2O5、0～6质量%之ZnO、0～3质量%之CaO、0～7质量%之SrO及0～4质量%之Al2O3。

8. 发明专利

TW201015212A ＥＵＶＬ用光學構件之平滑化方法、及光學面經平滑化之ＥＵＶＬ用光學構件失效
简体标题：ＥＵＶＬ用光学构件之平滑化方法、及光学面经平滑化之ＥＵＶＬ用光学构件
公开(公告)号：TW201015212A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098127935
申请日：2009-08-19
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：小野元司 , 渡邊滿 , 橫山美華
IPC分类号： G03F , C03C
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y10/00 , C03C23/0025 , C03C2204/08 , G03F1/24 , G03F1/60 , G21K2201/067
摘要：本發明提供一種EUVL用光學構件之具有凹缺陷之光學面之平滑化方法。具體而言，本發明提供如下之方法，即，對於含有TiO2、且以SiO2為主成分之石英玻璃材料製之EUV微影術(EUVL)用光學構件之具有凹缺陷的光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm 2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm -1 以上之波長振盪之雷射，藉此使EUVL用光學構件之光學面平滑化。
简体摘要：本发明提供一种EUVL用光学构件之具有凹缺陷之光学面之平滑化方法。具体而言，本发明提供如下之方法，即，对于含有TiO2、且以SiO2为主成分之石英玻璃材料制之EUV微影术(EUVL)用光学构件之具有凹缺陷的光学面，于水蒸气分压3.6mmHg以下之环境中，以0.3~1.5J/cm 2 之通量照射以EUVL用光学构件之吸收系数为0.01μm -1 以上之波长振荡之激光，借此使EUVL用光学构件之光学面平滑化。

9. 发明专利

TWI317667B 玻璃基板之倒角方法及裝置失效
简体标题：玻璃基板之倒角方法及设备
公开(公告)号：TWI317667B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW096105302
申请日：2007-02-13
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：黑岩裕 , 伊賀元一 , 伊藤節郎 , 深澤寧司 , 渡邊滿
IPC分类号： B23K
CPC分类号： C03B29/08 , Y02P40/57
摘要：本發明之目的在於提供一種可使玻璃基板之端面的彎曲強度及衝擊強度提升，以防止玻璃基板製程中的玻璃基板之破裂或缺陷，並且使生產性提升的新穎的玻璃基板之倒角方法及裝置。
本發明之玻璃基板之倒角方法及裝置是利用雷射光線之倒角方法，其特徵為：對玻璃基板的端面照射雷射光線，同時以冷卻氣體對前述玻璃基板的雷射光線照射部進行送風。【創作特點】本發明是鑒於上述情況而研創者，其目的在於提供一種可使玻璃基板及顯示器用玻璃基板，尤其是平面顯示器用玻璃基板或是被用來作為遮光罩的玻璃基板之端面的彎曲強度及衝擊強度提升，以防止平面顯示器製程當中的玻璃基板之破裂或缺陷，並且使生產性提升的新穎的玻璃基板之倒角方法及裝置。
為了達成前述目的，本發明提供一種玻璃基板之倒角方法，是利用雷射光線之照射的玻璃基板之倒角方法，其特徵為：對玻璃基板的端面照射至少一束雷射光線，同時以冷卻氣體對前述玻璃基板的雷射光線照射部進行送風。
本發明當中，前述雷射光線的照射角度相對於前述玻璃基板之端面的垂直方向，於前述端面的長邊方向最好為70°以內，並且於板厚方向為70°以內。
本發明當中，前述冷卻氣體的送風方向相對於前述玻璃基板之端面的垂直方向，於前述端面的長邊方向最好為70°以內，並且於板厚方向為45°以內。
本發明當中，前述冷卻氣體的風速在雷射光線照射部最好為風速1m/秒~200m/秒。
又，本發明當中，於前述玻璃基板之端面，以連結雷射光線照射部剖面之能量密度分布為最大的1/e 2 (e為自然對數之底。以下相同。)之部分的曲線所包圍的面之前述玻璃基板之端面的長邊方向的寬度為W(mm)，前述雷射光線與前述玻璃基板的相對掃描速度為U(mm/s)時，則以W≦0.15×U＋2為佳，又以0.02≦W≦0.15×U＋2更佳。
又，本發明當中，於前述玻璃基板之端面，以前述雷射光線照射部剖面之總瓦數/照射面積所定義的平均功率密度為P(W/mm 2 )時，則以(0.5×U＋0.2)/0.7/(0.15×U＋2)≦P≦(10×U＋10)/0.005×U×0.7為佳，又以(4×U)/0.7/(0.15×U＋2)≦P≦(10×U＋10)/0.005×U×0.7更佳。
又，本發明當中，在對前述玻璃基板的端面照射前述雷射光線之前，最好先預熱前述玻璃基板的端面。
又，掃描前述雷射光線的速度相對於玻璃基板最好是0.1~200mm/秒。
又，前述雷射光線的波長最好是3~11μm。
又，前述雷射光線相對於玻璃基板最好是朝玻璃基板之端面的厚度方向收斂。
本發明適合在連續性地供應熔融玻璃並利用漂浮法製造玻璃基板的生產線當中，連續性地進行玻璃基板之倒角的情況。
又，本發明提供一種玻璃基板之倒角裝置，是進行一種照射雷射光束之前述記載的玻璃基板之倒角方法的玻璃基板之倒角裝置，其特徵為具備有：對玻璃的端面照射至少一束雷射光線的機構：以及以冷卻氣體對前述玻璃基板的雷射光線照射部進行送風的機構。
根據本發明之方法及裝置，可提供一種玻璃基板及顯示器用玻璃基板，尤其是平面顯示器用玻璃基板或是被用來作為遮光罩之經過倒角處理的玻璃基板，以防止平面顯示器製程當中的玻璃基板之破裂或缺陷，使生產性提升。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可使玻璃基板之端面的弯曲强度及冲击强度提升，以防止玻璃基板制程中的玻璃基板之破裂或缺陷，并且使生产性提升的新颖的玻璃基板之倒角方法及设备。本发明之玻璃基板之倒角方法及设备是利用激光光线之倒角方法，其特征为：对玻璃基板的端面照射激光光线，同时以冷却气体对前述玻璃基板的激光光线照射部进行送风。【创作特点】本发明是鉴于上述情况而研创者，其目的在于提供一种可使玻璃基板及显示器用玻璃基板，尤其是平面显示器用玻璃基板或是被用来作为遮光罩的玻璃基板之端面的弯曲强度及冲击强度提升，以防止平面显示器制程当中的玻璃基板之破裂或缺陷，并且使生产性提升的新颖的玻璃基板之倒角方法及设备。为了达成前述目的，本发明提供一种玻璃基板之倒角方法，是利用激光光线之照射的玻璃基板之倒角方法，其特征为：对玻璃基板的端面照射至少一束激光光线，同时以冷却气体对前述玻璃基板的激光光线照射部进行送风。本发明当中，前述激光光线的照射角度相对于前述玻璃基板之端面的垂直方向，于前述端面的长边方向最好为70°以内，并且于板厚方向为70°以内。本发明当中，前述冷却气体的送风方向相对于前述玻璃基板之端面的垂直方向，于前述端面的长边方向最好为70°以内，并且于板厚方向为45°以内。本发明当中，前述冷却气体的风速在激光光线照射部最好为风速1m/秒~200m/秒。又，本发明当中，于前述玻璃基板之端面，以链接激光光线照射部剖面之能量密度分布为最大的1/e 2 (e为自然对数之底。以下相同。)之部分的曲线所包围的面之前述玻璃基板之端面的长边方向的宽度为W(mm)，前述激光光线与前述玻璃基板的相对扫描速度为U(mm/s)时，则以W≦0.15×U＋2为佳，又以0.02≦W≦0.15×U＋2更佳。又，本发明当中，于前述玻璃基板之端面，以前述激光光线照射部剖面之总瓦数/照射面积所定义的平均功率密度为P(W/mm 2 )时，则以(0.5×U＋0.2)/0.7/(0.15×U＋2)≦P≦(10×U＋10)/0.005×U×0.7为佳，又以(4×U)/0.7/(0.15×U＋2)≦P≦(10×U＋10)/0.005×U×0.7更佳。又，本发明当中，在对前述玻璃基板的端面照射前述激光光线之前，最好先预热前述玻璃基板的端面。又，扫描前述激光光线的速度相对于玻璃基板最好是0.1~200mm/秒。又，前述激光光线的波长最好是3~11μm。又，前述激光光线相对于玻璃基板最好是朝玻璃基板之端面的厚度方向收敛。本发明适合在连续性地供应熔融玻璃并利用漂浮法制造玻璃基板的生产线当中，连续性地进行玻璃基板之倒角的情况。又，本发明提供一种玻璃基板之倒角设备，是进行一种照射激光光束之前述记载的玻璃基板之倒角方法的玻璃基板之倒角设备，其特征为具备有：对玻璃的端面照射至少一束激光光线的机构：以及以冷却气体对前述玻璃基板的激光光线照射部进行送风的机构。根据本发明之方法及设备，可提供一种玻璃基板及显示器用玻璃基板，尤其是平面显示器用玻璃基板或是被用来作为遮光罩之经过倒角处理的玻璃基板，以防止平面显示器制程当中的玻璃基板之破裂或缺陷，使生产性提升。

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