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1. 发明专利

TW201007869A 基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置之製造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, HEATING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题：基板处理设备、加热设备及半导体设备之制造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, HEATING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW201007869A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098111919
申请日：2009-04-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：島田真一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109
摘要： [課題]提供一種基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，其能以短時間對處理室內進行冷卻。[解決手段]基板處理裝置10具備：處理晶圓1之處理室12；加熱器39，設於處理室12之外周側；內側壁34，設於加熱器39之外周側；外側壁35，設成在與內側壁34之間形成空間36；水冷式夾套60，設於空間36中且已被冷卻；移動機構64，在與內側壁34及外側壁35之一方接觸的接觸位置及與內側壁34及外側壁35之任一方均不接觸的非接觸位置之間，使水冷式夾套60移動；及控制器100，控制移動機構64。
简体摘要： [课题]提供一种基板处理设备及半导体设备之制造方法，其能以短时间对处理室内进行冷却。[解决手段]基板处理设备10具备：处理晶圆1之处理室12；加热器39，设于处理室12之外周侧；内侧壁34，设于加热器39之外周侧；外侧壁35，设成在与内侧壁34之间形成空间36；水冷式夹套60，设于空间36中且已被冷却；移动机构64，在与内侧壁34及外侧壁35之一方接触的接触位置及与内侧壁34及外侧壁35之任一方均不接触的非接触位置之间，使水冷式夹套60移动；及控制器100，控制移动机构64。

2. 发明专利

TWI447839B 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI447839B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW100100797
申请日：2011-01-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI , 島田真一 , SHIMADA, MASAKAZU , 守田修 , MORITA, OSAMU
IPC分类号： H01L21/677

3. 外观设计

TWD143036S 半導體製造機有权
简体标题：半导体制造机
公开(公告)号：TWD143036S
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099305861
申请日：2010-11-16
申请人：日立國際電氣股份有限公司
设计人：島田真一 , 野上孝志 , 相澤聰 , 中嶋誠世 , 山田朋之 , 杉浦忍 , 油谷幸則 , 長田光弘
摘要：【物品用途】
本創作的物品是半導體製造機，主要是對於圓盤狀的矽晶圓進行熱氧化、化學蒸鍍(CVD)處理以製造半導體元件的半導體製造機，矽晶圓是以填裝在晶匣的狀態，自晶匣搬入搬出口被搬入到半導體製造機內，處理後的矽晶圓則再度被填裝到晶匣，自晶匣搬入搬出口被搬出到外部。
【創作特點】
如各圖所示，該製造機為一直立式的長方形箱體，由上而下分別具有：透明的視窗部、操作部、晶圓匣載置部、晶圓搬入搬出口、以及晶匣操作/顯示部。其中，操作部會在液晶式的顯示畫面上顯示出觸控式的操作按鈕，而且，在操作部的上方與本體最上段形成透明的視窗部，表現出透明感。
简体摘要：【物品用途】本创作的物品是半导体制造机，主要是对于圆盘状的硅晶圆进行热氧化、化学蒸镀(CVD)处理以制造半导体组件的半导体制造机，硅晶圆是以填装在晶匣的状态，自晶匣搬入搬出口被搬入到半导体制造机内，处理后的硅晶圆则再度被填装到晶匣，自晶匣搬入搬出口被搬出到外部。【创作特点】如各图所示，该制造机为一直立式的长方形箱体，由上而下分别具有：透明的窗口部、操作部、晶圆匣载置部、晶圆搬入搬出口、以及晶匣操作/显示部。其中，操作部会在液晶式的显示画面上显示出触摸式的操作按钮，而且，在操作部的上方与本体最上段形成透明的窗口部，表现出透明感。

4. 发明专利

TWI505366B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI505366B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW100117140
申请日：2007-03-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：上野正昭 , UENO, MASAAKI , 島田真一 , SHIMADA, MASAKAZU , 花島建夫 , HANASHIMA, TAKEO , 森川晴夫 , MORIKAWA, HARUO , 林田晃 , HAYASHIDA, AKIRA
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , H01L21/67248

5. 发明专利

TW201140699A 基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201140699A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100117140
申请日：2007-03-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：上野正昭 , 島田真一 , 花島建夫 , 森川晴夫 , 林田晃
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , H01L21/67248
摘要：一種基板處理裝置，其具備：處理基板的處理室；從基板之外周側對收容於該處理室內之基板進行光加熱之加熱裝置；藉由使流體流動於該加熱裝置進行光加熱之基板的外周附近，以冷卻基板之外周側的冷卻裝置；感測該處理室內之溫度的溫度感測部；及加熱控制部，係根據該溫度感測部所感測之溫度，一面將該基板之中心部的溫度維持在指定溫度，一面以在該中心部與該基板之端部設置溫度差的方式來控制該加熱裝置及該冷卻裝置。
简体摘要：一种基板处理设备，其具备：处理基板的处理室；从基板之外周侧对收容于该处理室内之基板进行光加热之加热设备；借由使流体流动于该加热设备进行光加热之基板的外周附近，以冷却基板之外周侧的冷却设备；传感该处理室内之温度的温度传感部；及加热控制部，系根据该温度传感部所传感之温度，一面将该基板之中心部的温度维持在指定温度，一面以在该中心部与该基板之端部设置温度差的方式来控制该加热设备及该冷却设备。

6. 发明专利

TWI324806B 基板處理裝置、冷卻氣體供給噴嘴、及半導體裝置之製造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COOLING GAS FEED NOZZLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：基板处理设备、冷却气体供给喷嘴、及半导体设备之制造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COOLING GAS FEED NOZZLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI324806B
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：TW095128191
申请日：2006-08-01
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：上野正昭 , 林田晃 , 島田真一 , 岡威憲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67769 , C23C16/463 , C23C16/54 , H01L21/67109
摘要：具備：收容保持了複數片的基板的舟皿(boat)而處理複數片的基板之處理室、和設置於處理室周圍而加熱基板的加熱單元、和在對於保持在收容於處理室內的舟皿的基板之主面而伸延於垂直方向的管部，形成了至少跨過2片複數片的基板而噴出冷卻氣體的噴出孔之冷卻氣體供給噴嘴；前述冷卻氣體供給噴嘴係形成如：形成噴出孔的範圍的管部的剖面積變得比噴出孔的總開口面積大。【創作特點】然而，在迄今的此種熱處理裝置，因為藉由噴出口位於比舟皿下方之氣體供給管供給氮氣氣體於處理室，而有晶圓群的降溫變為不均勻的問題點。
也就是，氣體供給管係因為如於處理室的舟皿的下方的一處所設置噴出口般地配置，所以氮氣氣體不能對晶圓群而具有均勻的流動而接觸。總之，因為氮氣氣體的流動變得不均勻，所以晶圓變為在範圍或晶圓面內不均勻地冷卻的狀況，只冷卻氮氣氣體的流速大的範圍之晶圓或晶圓面內。
本發明的目的係在提供：可使降溫速度提高、同時可防止基板間及基板面內的溫度偏差之基板處理裝置。
用以解決前述課題的手段係按照以下說明。
一種特徵為：具備了收容保持了複數片的基板的舟皿(boat)而處理複數片的基板之處理室、和設置於前述處理室周圍而加熱前述基板的加熱單元、和在對於保持在容納於前述處理室內的前述舟皿的前述基板之主面而伸延於垂直方向的管部，形成至少跨過2片前述複數片的基板而噴出冷卻氣體的噴出孔之冷卻氣體供給噴嘴；前述冷卻氣體供給噴嘴係形成如：形成前述噴出孔的範圍的前述管部的剖面積變得比前述噴出孔的總開口面積大之基板處理裝置。
如由前述的手段，則藉由從冷卻氣體供給噴嘴噴出冷卻氣體，可使處理完的基板急速且均勻地降溫。
在前述的手段，因為：被形成在冷卻氣體供給噴嘴的噴出孔之範圍的管部的剖面積變得比噴出孔的總開口面積大般地設定，所以可防止從噴出孔噴出時的冷卻氣體產生壓力差。
简体摘要：具备：收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于处理室周围而加热基板的加热单元、和在对于保持在收容于处理室内的舟皿的基板之主面而伸延于垂直方向的管部，形成了至少跨过2片复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔之冷却气体供给喷嘴；前述冷却气体供给喷嘴系形成如：形成喷出孔的范围的管部的剖面积变得比喷出孔的总开口面积大。【创作特点】然而，在迄今的此种热处理设备，因为借由喷出口位于比舟皿下方之气体供给管供给氮气气体于处理室，而有晶圆群的降温变为不均匀的问题点。也就是，气体供给管系因为如于处理室的舟皿的下方的一处所设置喷出口般地配置，所以氮气气体不能对晶圆群而具有均匀的流动而接触。总之，因为氮气气体的流动变得不均匀，所以晶圆变为在范围或晶圆面内不均匀地冷却的状况，只冷却氮气气体的流速大的范围之晶圆或晶圆面内。本发明的目的系在提供：可使降温速度提高、同时可防止基板间及基板面内的温度偏差之基板处理设备。用以解决前述课题的手段系按照以下说明。一种特征为：具备了收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于前述处理室周围而加热前述基板的加热单元、和在对于保持在容纳于前述处理室内的前述舟皿的前述基板之主面而伸延于垂直方向的管部，形成至少跨过2片前述复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔之冷却气体供给喷嘴；前述冷却气体供给喷嘴系形成如：形成前述喷出孔的范围的前述管部的剖面积变得比前述喷出孔的总开口面积大之基板处理设备。如由前述的手段，则借由从冷却气体供给喷嘴喷出冷却气体，可使处理完的基板急速且均匀地降温。在前述的手段，因为：被形成在冷却气体供给喷嘴的喷出孔之范围的管部的剖面积变得比喷出孔的总开口面积大般地设置，所以可防止从喷出孔喷出时的冷却气体产生压力差。

7. 发明专利

TWI406350B 基板處理裝置、加熱裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备、加热设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI406350B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098111919
申请日：2009-04-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：島田真一 , SHIMADA, MASAKAZU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109

8. 发明专利

TW201140736A 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：基板处理设备及半导体设备之制造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201140736A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100100797
申请日：2011-01-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：油谷幸則 , 島田真一 , 守田修
IPC分类号： H01L
摘要： [課題]抑制在從處理管搬出晶舟之初期階段所產生之蓋的振動。[解決手段]具有：晶舟，係載置基板；處理管，係收納晶舟；蓋，係載置晶舟且開閉設在處理管之下端的爐口；升降機構，係使蓋升降；馬達，係驅動升降機構；密封構件，係密封處理管之下端面與蓋之間；以及控制部，係在從處理管之下端面或蓋之表面拉開密封構件時所產生之蓋之變形的恢復期，以使基板停留在晶舟內之載置位置的方式，控制馬達之轉矩。
简体摘要： [课题]抑制在从处理管搬出晶舟之初期阶段所产生之盖的振动。[解决手段]具有：晶舟，系载置基板；处理管，系收纳晶舟；盖，系载置晶舟且开闭设在处理管之下端的炉口；直升电梯构，系使盖升降；马达，系驱动直升电梯构；密封构件，系密封处理管之下端面与盖之间；以及控制部，系在从处理管之下端面或盖之表面拉开密封构件时所产生之盖之变形的恢复期，以使基板停留在晶舟内之载置位置的方式，控制马达之转矩。

9. 发明专利

TWI349968B 基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF 有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI349968B
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW096107629
申请日：2007-03-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：上野正昭 , 島田真一 , 花島建夫 , 森川晴夫 , 林田晃
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , H01L21/67248
摘要：一種基板處理裝置，其具備：處理基板的處理室；從基板之外周側對收容於該處理室內之基板進行光加熱之加熱裝置；藉由使流體流動於該加熱裝置進行光加熱之基板的外周附近，以冷卻基板之外周側的冷卻裝置；感測該處理室內之溫度的溫度感測部；及加熱控制部，係根據該溫度感測部所感測之溫度，一面將該基板之中心部的溫度維持在指定溫度，一面以在該中心部與該基板之端部設置溫度差的方式來控制該加熱裝置及該冷卻裝置。
简体摘要：一种基板处理设备，其具备：处理基板的处理室；从基板之外周侧对收容于该处理室内之基板进行光加热之加热设备；借由使流体流动于该加热设备进行光加热之基板的外周附近，以冷却基板之外周侧的冷却设备；传感该处理室内之温度的温度传感部；及加热控制部，系根据该温度传感部所传感之温度，一面将该基板之中心部的温度维持在指定温度，一面以在该中心部与该基板之端部设置温度差的方式来控制该加热设备及该冷却设备。

10. 发明专利

TW201041068A 基板處理裝置 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：基板处理设备 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201041068A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099106092
申请日：2010-03-03
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：油谷幸則 , 中嶋誠世 , 島田真一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67757 , H01L21/67109 , H01L21/67115
摘要：本發明係以提供能縮短處理後的晶圓之冷卻時間且提高產出量的基板處理裝置為課題。在解決手段上,熱遮蔽板50具備有將冷卻氣體68吹到保持於晶舟38之晶圓14的冷卻氣體吹出部70,在該冷卻氣體吹出部70設有複數個作為冷卻氣體68之吹出口的吹出孔70a。在晶圓移載裝置36a與晶舟38之間進行晶圓14之接遞時,熱遮蔽板50係退避到不干擾其動作的位置(退避位置),在冷卻晶圓14(及晶舟38)時,熱遮蔽板5係以吸收及遮斷來自晶圓14的散熱的方式,在晶圓移載裝置36a與晶舟38之間移動(冷卻位置)。
简体摘要：本发明系以提供能缩短处理后的晶圆之冷却时间且提高产出量的基板处理设备为课题。在解决手段上,热屏蔽板50具备有将冷却气体68吹到保持于晶舟38之晶圆14的冷却气体吹出部70,在该冷却气体吹出部70设有复数个作为冷却气体68之吹出口的吹出孔70a。在晶圆移载设备36a与晶舟38之间进行晶圆14之接递时,热屏蔽板50系退避到不干擾其动作的位置(退避位置),在冷却晶圆14(及晶舟38)时,热屏蔽板5系以吸收及遮断来自晶圆14的散热的方式,在晶圆移载设备36a与晶舟38之间移动(冷却位置)。

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