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热词
    • 3. 外观设计
    • 半導體製造機
    • 半导体制造机
    • TWD143036S
    • 2011-10-01
    • TW099305861
    • 2010-11-16
    • 日立國際電氣股份有限公司
    • 島田真一野上孝志相澤聰中嶋誠世山田朋之杉浦忍油谷幸則長田光弘
    • 【物品用途】
      本創作的物品是半導體製造機,主要是對於圓盤狀的矽晶圓進行熱氧化、化學蒸鍍(CVD)處理以製造半導體元件的半導體製造機,矽晶圓是以填裝在晶匣的狀態,自晶匣搬入搬出口被搬入到半導體製造機內,處理後的矽晶圓則再度被填裝到晶匣,自晶匣搬入搬出口被搬出到外部。
      【創作特點】
      如各圖所示,該製造機為一直立式的長方形箱體,由上而下分別具有:透明的視窗部、操作部、晶圓匣載置部、晶圓搬入搬出口、以及晶匣操作/顯示部。其中,操作部會在液晶式的顯示畫面上顯示出觸控式的操作按鈕,而且,在操作部的上方與本體最上段形成透明的視窗部,表現出透明感。
    • 【物品用途】 本创作的物品是半导体制造机,主要是对于圆盘状的硅晶圆进行热氧化、化学蒸镀(CVD)处理以制造半导体组件的半导体制造机,硅晶圆是以填装在晶匣的状态,自晶匣搬入搬出口被搬入到半导体制造机内,处理后的硅晶圆则再度被填装到晶匣,自晶匣搬入搬出口被搬出到外部。 【创作特点】 如各图所示,该制造机为一直立式的长方形箱体,由上而下分别具有:透明的窗口部、操作部、晶圆匣载置部、晶圆搬入搬出口、以及晶匣操作/显示部。其中,操作部会在液晶式的显示画面上显示出触摸式的操作按钮,而且,在操作部的上方与本体最上段形成透明的窗口部,表现出透明感。
    • 6. 发明专利
    • 基板處理裝置、冷卻氣體供給噴嘴、及半導體裝置之製造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COOLING GAS FEED NOZZLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    • 基板处理设备、冷却气体供给喷嘴、及半导体设备之制造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COOLING GAS FEED NOZZLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    • TWI324806B
    • 2010-05-11
    • TW095128191
    • 2006-08-01
    • 日立國際電氣股份有限公司
    • 上野正昭林田晃島田真一岡威憲
    • H01L
    • H01L21/67769C23C16/463C23C16/54H01L21/67109
    • 具備:收容保持了複數片的基板的舟皿(boat)而處理複數片的基板之處理室、和設置於處理室周圍而加熱基板的加熱單元、和在對於保持在收容於處理室內的舟皿的基板之主面而伸延於垂直方向的管部,形成了至少跨過2片複數片的基板而噴出冷卻氣體的噴出孔之冷卻氣體供給噴嘴;前述冷卻氣體供給噴嘴係形成如:形成噴出孔的範圍的管部的剖面積變得比噴出孔的總開口面積大。 【創作特點】 然而,在迄今的此種熱處理裝置,因為藉由噴出口位於比舟皿下方之氣體供給管供給氮氣氣體於處理室,而有晶圓群的降溫變為不均勻的問題點。
      也就是,氣體供給管係因為如於處理室的舟皿的下方的一處所設置噴出口般地配置,所以氮氣氣體不能對晶圓群而具有均勻的流動而接觸。總之,因為氮氣氣體的流動變得不均勻,所以晶圓變為在範圍或晶圓面內不均勻地冷卻的狀況,只冷卻氮氣氣體的流速大的範圍之晶圓或晶圓面內。
      本發明的目的係在提供:可使降溫速度提高、同時可防止基板間及基板面內的溫度偏差之基板處理裝置。
      用以解決前述課題的手段係按照以下說明。
      一種特徵為:具備了收容保持了複數片的基板的舟皿(boat)而處理複數片的基板之處理室、和設置於前述處理室周圍而加熱前述基板的加熱單元、和在對於保持在容納於前述處理室內的前述舟皿的前述基板之主面而伸延於垂直方向的管部,形成至少跨過2片前述複數片的基板而噴出冷卻氣體的噴出孔之冷卻氣體供給噴嘴;前述冷卻氣體供給噴嘴係形成如:形成前述噴出孔的範圍的前述管部的剖面積變得比前述噴出孔的總開口面積大之基板處理裝置。
      如由前述的手段,則藉由從冷卻氣體供給噴嘴噴出冷卻氣體,可使處理完的基板急速且均勻地降溫。
      在前述的手段,因為:被形成在冷卻氣體供給噴嘴的噴出孔之範圍的管部的剖面積變得比噴出孔的總開口面積大般地設定,所以可防止從噴出孔噴出時的冷卻氣體產生壓力差。
    • 具备:收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于处理室周围而加热基板的加热单元、和在对于保持在收容于处理室内的舟皿的基板之主面而伸延于垂直方向的管部,形成了至少跨过2片复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔之冷却气体供给喷嘴;前述冷却气体供给喷嘴系形成如:形成喷出孔的范围的管部的剖面积变得比喷出孔的总开口面积大。 【创作特点】 然而,在迄今的此种热处理设备,因为借由喷出口位于比舟皿下方之气体供给管供给氮气气体于处理室,而有晶圆群的降温变为不均匀的问题点。 也就是,气体供给管系因为如于处理室的舟皿的下方的一处所设置喷出口般地配置,所以氮气气体不能对晶圆群而具有均匀的流动而接触。总之,因为氮气气体的流动变得不均匀,所以晶圆变为在范围或晶圆面内不均匀地冷却的状况,只冷却氮气气体的流速大的范围之晶圆或晶圆面内。 本发明的目的系在提供:可使降温速度提高、同时可防止基板间及基板面内的温度偏差之基板处理设备。 用以解决前述课题的手段系按照以下说明。 一种特征为:具备了收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于前述处理室周围而加热前述基板的加热单元、和在对于保持在容纳于前述处理室内的前述舟皿的前述基板之主面而伸延于垂直方向的管部,形成至少跨过2片前述复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔之冷却气体供给喷嘴;前述冷却气体供给喷嘴系形成如:形成前述喷出孔的范围的前述管部的剖面积变得比前述喷出孔的总开口面积大之基板处理设备。 如由前述的手段,则借由从冷却气体供给喷嘴喷出冷却气体,可使处理完的基板急速且均匀地降温。 在前述的手段,因为:被形成在冷却气体供给喷嘴的喷出孔之范围的管部的剖面积变得比喷出孔的总开口面积大般地设置,所以可防止从喷出孔喷出时的冷却气体产生压力差。
    • 10. 发明专利
    • 基板處理裝置 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
    • 基板处理设备 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
    • TW201041068A
    • 2010-11-16
    • TW099106092
    • 2010-03-03
    • 日立國際電氣股份有限公司
    • 油谷幸則中嶋誠世島田真一
    • H01L
    • H01L21/67757H01L21/67109H01L21/67115
    • 本發明係以提供能縮短處理後的晶圓之冷卻時間且提高產出量的基板處理裝置為課題。在解決手段上,熱遮蔽板50具備有將冷卻氣體68吹到保持於晶舟38之晶圓14的冷卻氣體吹出部70,在該冷卻氣體吹出部70設有複數個作為冷卻氣體68之吹出口的吹出孔70a。在晶圓移載裝置36a與晶舟38之間進行晶圓14之接遞時,熱遮蔽板50係退避到不干擾其動作的位置(退避位置),在冷卻晶圓14(及晶舟38)時,熱遮蔽板5係以吸收及遮斷來自晶圓14的散熱的方式,在晶圓移載裝置36a與晶舟38之間移動(冷卻位置)。
    • 本发明系以提供能缩短处理后的晶圆之冷却时间且提高产出量的基板处理设备为课题。在解决手段上,热屏蔽板50具备有将冷却气体68吹到保持于晶舟38之晶圆14的冷却气体吹出部70,在该冷却气体吹出部70设有复数个作为冷却气体68之吹出口的吹出孔70a。在晶圆移载设备36a与晶舟38之间进行晶圆14之接递时,热屏蔽板50系退避到不干擾其动作的位置(退避位置),在冷却晶圆14(及晶舟38)时,热屏蔽板5系以吸收及遮断来自晶圆14的散热的方式,在晶圆移载设备36a与晶舟38之间移动(冷却位置)。