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1. 发明专利

TW201635036A 包含具有碳酸酯骨架之水解性矽烷之微影用光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：包含具有碳酸酯骨架之水解性硅烷之微影用光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201635036A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105102714
申请日：2016-01-28
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/14 , C08G77/28 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： C08G77/14 , C08G77/44 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明之課題在於提供形成能使用作為硬遮罩之光阻下層膜用之微影用光阻下層膜形成組成物。其解決手段為一種微影用光阻下層膜形成組成物，其包含水解性矽烷、其水解物、其水解縮合物、或此等組合作為矽烷，而該水解性矽烷為包含選自由式(1)、式(2)、及式(3)所表示之水解性矽烷所成群之至少一種水解性矽烷者。一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於半導體基板上形成有機下層膜之步驟；於其上塗佈光阻下層膜形成組成物進行燒成而形成光阻下層膜之步驟；於前述光阻下層膜之上塗佈光阻膜形成組成物而形成光阻膜之步驟；顯像及曝光前述光阻膜而取得光阻圖型之步驟，且依順序進行蝕刻之步驟。
简体摘要：本发明之课题在于提供形成能使用作为硬遮罩之光阻下层膜用之微影用光阻下层膜形成组成物。其解决手段为一种微影用光阻下层膜形成组成物，其包含水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或此等组合作为硅烷，而该水解性硅烷为包含选自由式(1)、式(2)、及式(3)所表示之水解性硅烷所成群之至少一种水解性硅烷者。一种半导体设备之制造方法，其系包含：于半导体基板上形成有机下层膜之步骤；于其上涂布光阻下层膜形成组成物进行烧成而形成光阻下层膜之步骤；于前述光阻下层膜之上涂布光阻膜形成组成物而形成光阻膜之步骤；显像及曝光前述光阻膜而取得光阻图型之步骤，且依顺序进行蚀刻之步骤。

2. 发明专利

TW201634440A 矽烷之聚合抑制劑审中-公开
简体标题：硅烷之聚合抑制剂
公开(公告)号：TW201634440A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104136169
申请日：2015-11-03
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 孫軍 , SON, GUN
IPC分类号： C07C211/54 , C07B63/04 , C07F7/21 , C07F7/20
CPC分类号： C01B33/046 , B01D3/34 , C01B33/04 , C07C211/54 , C07C211/55 , C07C211/58 , C08G77/60 , C09K15/18
摘要：本發明之課題為，提供一種矽烷之聚合抑制劑，其係即使因蒸餾而加熱亦不形成聚合物而能以環狀矽烷單體之狀態存在，故添加於加熱蒸餾時可使該矽烷高純度化。使用聚合抑制劑獲得純度高之環狀矽烷，尤其是高純度之環五矽烷，將含有使該環狀矽烷聚合而得之聚矽烷之組成物作為塗佈型聚矽烷組成物塗佈於基板並燒成後，提供一種導電性高且良好之矽薄膜。本發明之解決手段為，一種聚合抑制劑，其係矽烷之聚合抑制劑包含2級或3級之芳香族胺。前述矽烷為環狀矽烷。前述矽烷為環五矽烷。前述芳香族胺為2級芳香族胺。前述芳香族基為苯基或萘基。對於前述矽烷1莫耳，以0.01~10莫耳%之比例含有聚合抑制劑。前述芳香族胺之沸點為196℃以上。
简体摘要：本发明之课题为，提供一种硅烷之聚合抑制剂，其系即使因蒸馏而加热亦不形成聚合物而能以环状硅烷单体之状态存在，故添加于加热蒸馏时可使该硅烷高纯度化。使用聚合抑制剂获得纯度高之环状硅烷，尤其是高纯度之环五硅烷，将含有使该环状硅烷聚合而得之聚硅烷之组成物作为涂布型聚硅烷组成物涂布于基板并烧成后，提供一种导电性高且良好之硅薄膜。本发明之解决手段为，一种聚合抑制剂，其系硅烷之聚合抑制剂包含2级或3级之芳香族胺。前述硅烷为环状硅烷。前述硅烷为环五硅烷。前述芳香族胺为2级芳香族胺。前述芳香族基为苯基或萘基。对于前述硅烷1莫耳，以0.01~10莫耳%之比例含有聚合抑制剂。前述芳香族胺之沸点为196℃以上。

3. 发明专利

TW201617285A 使用濃縮法之環狀矽烷的製造方法审中-公开
简体标题：使用浓缩法之环状硅烷的制造方法
公开(公告)号：TW201617285A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104123090
申请日：2015-07-16
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 永井健太郎 , NAGAI, KENTARO , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 孫軍 , SON, GUN
IPC分类号： C01B33/04
CPC分类号： C01B33/04
摘要：本發明提供將純度高的環狀矽烷，尤其是高純度之環戊矽烷，及作為塗佈型聚矽烷組成物塗佈於基板上並經燒成後，可形成導電性高之良好矽薄膜之包含使該環狀矽烷聚合而得之聚矽烷之組成物。本發明提供一種以式(3)表示之環狀矽烷之製造方法，[化1](siH2)n 式(3) 其係包含下列步驟之製造方法：(A)步驟：在鹵化鋁存在下於環己烷中使以式(1)表示之環狀矽烷化合物與鹵化氫反應，[化2](SiR1R2)n 式(1) 獲得包含以式(2)表示之環狀矽烷化合物之溶液，[化3] (SiR3R4)n 式(2) 接著，蒸餾該溶液獲得以式(2)表示之環狀矽烷化合物之步驟，及(B)步驟：使以式(2)表示之環狀矽烷化合物溶解於有機溶劑中，接著以氫或氫化鋰鋁使該以式(2)表示之環狀矽烷化合物還原之步驟。(A)步驟中之蒸餾係在40至80℃之溫度下，且在0至30Torr之減壓下進行。
简体摘要：本发明提供将纯度高的环状硅烷，尤其是高纯度之环戊硅烷，及作为涂布型聚硅烷组成物涂布于基板上并经烧成后，可形成导电性高之良好硅薄膜之包含使该环状硅烷聚合而得之聚硅烷之组成物。本发明提供一种以式(3)表示之环状硅烷之制造方法，[化1](siH2)n 式(3) 其系包含下列步骤之制造方法：(A)步骤：在卤化铝存在下于环己烷中使以式(1)表示之环状硅烷化合物与卤化氢反应，[化2](SiR1R2)n 式(1) 获得包含以式(2)表示之环状硅烷化合物之溶液，[化3] (SiR3R4)n 式(2) 接着，蒸馏该溶液获得以式(2)表示之环状硅烷化合物之步骤，及(B)步骤：使以式(2)表示之环状硅烷化合物溶解于有机溶剂中，接着以氢或氢化锂铝使该以式(2)表示之环状硅烷化合物还原之步骤。(A)步骤中之蒸馏系在40至80℃之温度下，且在0至30Torr之减压下进行。

4. 发明专利

TW201815770A 具有一個烴基的異氰脲酸衍生物之製造方法审中-公开
简体标题：具有一个烃基的异氰脲酸衍生物之制造方法
公开(公告)号：TW201815770A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106117942
申请日：2017-05-31
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 孫軍 , SON, GUN
IPC分类号： C07D251/32
摘要：本發明提供具有一個烴基的異氰脲酸衍生物之新穎製造方法。一種具有一個烴基的異氰脲酸衍生物之製造方法，其包含下述步驟：自下述式(0)表示之化合物獲得下述式(1)表示之化合物之第一步驟，自前述式(1)表示之化合物獲得下述式(2)表示之化合物之第二步驟，自前述式(2)表示之化合物獲得下述式(3)表示之化合物之第三步驟，及自前述式(3)表示之化合物獲得下述式(4)表示之化合物之第四步驟， (式中，X1分別表示氯原子、氟原子或溴原子，Bn表示苯環之至少1個氫原子可經甲基取代之苄基，R表示碳原子數1至10之烴基)，所有步驟均在不超過100℃之溫度進行。
简体摘要：本发明提供具有一个烃基的异氰脲酸衍生物之新颖制造方法。一种具有一个烃基的异氰脲酸衍生物之制造方法，其包含下述步骤：自下述式(0)表示之化合物获得下述式(1)表示之化合物之第一步骤，自前述式(1)表示之化合物获得下述式(2)表示之化合物之第二步骤，自前述式(2)表示之化合物获得下述式(3)表示之化合物之第三步骤，及自前述式(3)表示之化合物获得下述式(4)表示之化合物之第四步骤， (式中，X1分别表示氯原子、氟原子或溴原子，Bn表示苯环之至少1个氢原子可经甲基取代之苄基，R表示碳原子数1至10之烃基)，所有步骤均在不超过100℃之温度进行。

5. 发明专利

TW201623293A 丁內酯化合物之製造方法审中-公开
简体标题：丁内酯化合物之制造方法
公开(公告)号：TW201623293A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104136170
申请日：2015-11-03
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 孫軍 , SON, GUN
IPC分类号： C07D407/12
CPC分类号： C07B61/00 , C07D307/42
摘要：本發明提供一種可以廉價且良好產率之方式製造適合使用於液晶顯示元件之聚合性化合物之新穎方法。一種使式(1)(n為1~10之整數，PG為碳原子數為1~2之二烷基縮醛基、1,3-二噁烷基或1,3-二氧戊烷基，Ar1為伸聯苯基(Biphenylene)等)所表示之化合物，與式(2)(R為碳原子數1~6之烷基)所表示之化合物，於金屬錫或含錫化合物及鈀觸媒之存在下，於酸性條件下進行反應，以製造式(3)(n表示上述之意義)所表示之化合物之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种可以廉价且良好产率之方式制造适合使用于液晶显示组件之聚合性化合物之新颖方法。一种使式(1)(n为1~10之整数，PG为碳原子数为1~2之二烷基缩醛基、1,3-二恶烷基或1,3-二氧戊烷基，Ar1为伸联苯基(Biphenylene)等)所表示之化合物，与式(2)(R为碳原子数1~6之烷基)所表示之化合物，于金属锡或含锡化合物及钯触媒之存在下，于酸性条件下进行反应，以制造式(3)(n表示上述之意义)所表示之化合物之制造方法。

6. 发明专利

TW201623270A 丁內酯化合物及其製造方法审中-公开
简体标题：丁内酯化合物及其制造方法
公开(公告)号：TW201623270A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104136171
申请日：2015-11-03
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 孫軍 , SON, GUN
IPC分类号： C07D307/20 , C07D407/12 , C09K19/34 , G02F1/1337
CPC分类号： C07D307/38 , C07B61/00 , C07D307/42
摘要：本發明提供一種可以廉價且產率良好之方式製造液晶顯示元件等所使用之光聚合性化合物之新穎的製造方法及新穎的中間體化合物。一種使式(A)所表示之化合物與式(C)，於金屬錫或含錫化合物之存在下，於酸性條件進行反應而得之(1)所表示之化合物之製造方法、使式(1)所表示之化合物與式(D)所表示之化合物，於鹼存在下進行反應而得之式(2-A)所表示之化合物之製造方法，及式(1)所表示之化合物或式(2-A)所表示之化合物等。 (式中，n表示1或2，J1、J2表示鹵素原子，R表示碳原子數1~6之烷基，Y1表示-SO2-R2，R表示烴基)。
简体摘要：本发明提供一种可以廉价且产率良好之方式制造液晶显示组件等所使用之光聚合性化合物之新颖的制造方法及新颖的中间体化合物。一种使式(A)所表示之化合物与式(C)，于金属锡或含锡化合物之存在下，于酸性条件进行反应而得之(1)所表示之化合物之制造方法、使式(1)所表示之化合物与式(D)所表示之化合物，于碱存在下进行反应而得之式(2-A)所表示之化合物之制造方法，及式(1)所表示之化合物或式(2-A)所表示之化合物等。 (式中，n表示1或2，J1、J2表示卤素原子，R表示碳原子数1~6之烷基，Y1表示-SO2-R2，R表示烃基)。

7. 发明专利

TWI689784B 包含具有碳酸酯骨架之水解性矽烷之微影用光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：包含具有碳酸酯骨架之水解性硅烷之微影用光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI689784B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105102714
申请日：2016-01-28
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/14 , C08G77/28 , G03F7/40 , H01L21/027

8. 发明专利

TW201840614A 包含具有含有脲鍵的結構單元的聚合物之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：包含具有含有脲键的结构单元的聚合物之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201840614A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103766
申请日：2018-02-02
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 孫軍 , SON, GUN
IPC分类号： C08F220/36 , C08F220/38 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/027 , C07C275/22 , C07C275/24
摘要： [課題] 本發明係提供比以往使交聯性更顯著提升之阻劑下層膜形成組成物作為目的，進而，為了改善阻劑下層膜與阻劑圖型之密著性，故以提供與阻劑材料之成分交聯之阻劑下層膜形成用組成物為目的，　　[解決手段] 一種微影用阻劑下層膜形成組成物，其特徵為包含具有以下述式(1)表示之構造單位及以下述式(2)表示之構造單位之共聚物、交聯劑、有機酸觸媒及溶劑，(式中，R1係各自獨立表示氫原子或甲基，R2係各自獨立表示碳原子數1至3之伸烷基，R3係表示單鍵或亞甲基，A係表示可具有取代基之碳原子數1至12之直鏈狀、支鏈狀、或者是具有環狀構造之脂肪族基或可具有取代基之碳原子數6至16之芳香族基或者是雜環基，Pr係表示保護基)。
简体摘要： [课题] 本发明系提供比以往使交联性更显着提升之阻剂下层膜形成组成物作为目的，进而，为了改善阻剂下层膜与阻剂图型之密着性，故以提供与阻剂材料之成分交联之阻剂下层膜形成用组成物为目的，　　[解决手段] 一种微影用阻剂下层膜形成组成物，其特征为包含具有以下述式(1)表示之构造单位及以下述式(2)表示之构造单位之共聚物、交联剂、有机酸触媒及溶剂，(式中，R1系各自独立表示氢原子或甲基，R2系各自独立表示碳原子数1至3之伸烷基，R3系表示单键或亚甲基，A系表示可具有取代基之碳原子数1至12之直链状、支链状、或者是具有环状构造之脂肪族基或可具有取代基之碳原子数6至16之芳香族基或者是杂环基，Pr系表示保护基)。

9. 发明专利

TWI532084B 異種元素鍵結形成法有权
简体标题：异种元素键结形成法
公开(公告)号：TWI532084B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW099145807
申请日：2010-12-24
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：古性均 , FURUSHO, HITOSHI , 野原雄貴 , NOHARA, YUKI , 渡邊久幸 , WATANABE, HISAYUKI , 後藤裕一 , GOTO, YUICHI
IPC分类号： H01L21/265 , H05H1/46
CPC分类号： C08J3/28 , B01J19/081 , B01J19/087 , C08J2383/16 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L21/2254 , H01L31/0288 , H01L31/182 , H01L31/20 , H05H2245/123 , Y02E10/546 , Y02P70/521

10. 发明专利

TW201609876A 藉由加熱聚合之聚矽烷之製造方法审中-公开
简体标题：借由加热聚合之聚硅烷之制造方法
公开(公告)号：TW201609876A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104122954
申请日：2015-07-15
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 孫軍 , SON, GUN , 後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 永井健太郎 , NAGAI, KENTARO
IPC分类号： C08G77/60
CPC分类号： C01B33/04 , C08G77/60
摘要：本發明課題在於藉由將環戊矽烷加熱，作成重量平均分子量較大的聚矽烷，而得到塗佈型聚矽烷組成物，再將彼等塗佈於基板並進行燒成後，提供導電性高的良好之矽薄膜。解決手段為一種聚矽烷之製造方法，其特徵為將環戊矽烷加熱至50℃至120℃的溫度。尤其是藉由加熱至80℃至100℃，可得到分子量分布較小、重量平均分子量較高的聚合物。可進行0.5小時至6小時的加熱。所得之聚矽烷為環戊矽烷的聚合物，重量平均分子量能以600至3000的範圍獲得。所得之聚矽烷的重量平均分子量Mw與數量平均分子量Mn的Mw/Mn比可成為1.03至1.55。環戊矽烷在總環狀矽烷中係含80莫耳%以上。
简体摘要：本发明课题在于借由将环戊硅烷加热，作成重量平均分子量较大的聚硅烷，而得到涂布型聚硅烷组成物，再将彼等涂布于基板并进行烧成后，提供导电性高的良好之硅薄膜。解决手段为一种聚硅烷之制造方法，其特征为将环戊硅烷加热至50℃至120℃的温度。尤其是借由加热至80℃至100℃，可得到分子量分布较小、重量平均分子量较高的聚合物。可进行0.5小时至6小时的加热。所得之聚硅烷为环戊硅烷的聚合物，重量平均分子量能以600至3000的范围获得。所得之聚硅烷的重量平均分子量Mw与数量平均分子量Mn的Mw/Mn比可成为1.03至1.55。环戊硅烷在总环状硅烷中系含80莫耳%以上。

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