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    • 1. 发明专利
    • 吸附暫固定片及其製造方法
    • 吸附暂固定片及其制造方法
    • TW201903015A
    • 2019-01-16
    • TW107111167
    • 2018-03-30
    • 日商日東電工股份有限公司NITTO DENKO CORPORATION
    • 伊関亮ISEKI, TORU土井浩平DOI, KOHEI金田充宏KANADA, MITSUHIRO加藤和通KATO, KAZUMICHI德山英幸TOKUYAMA, HIDEYUKI
    • C08J9/28B29C67/20B32B5/18H01L21/683
    • 本發明提供一種於與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力,且於相對於表面垂直之方向上具有較弱之接著力的吸附暫固定片。又,本發明提供此種吸附暫固定片之製造方法。 本發明之吸附暫固定片係具有具備連續氣泡構造之發泡層者,且於將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm£),將於23℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm£),將於125℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm£),並且將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm£),將於23℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm£),將於125℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm£)時,為V1<H1、V2<H2、V3<H3。
    • 本发明提供一种于与表面相同之方向上具有充分之剪切接着力,且于相对于表面垂直之方向上具有较弱之接着力的吸附暂固定片。又,本发明提供此种吸附暂固定片之制造方法。 本发明之吸附暂固定片系具有具备连续气泡构造之发泡层者,且于将该发泡层之表面的于-40℃下20小时后之硅芯片垂直接着力设为V1(N/1 cm£),将于23℃下20小时后之硅芯片垂直接着力设为V2(N/1 cm£),将于125℃下20小时后之硅芯片垂直接着力设为V3(N/1 cm£),并且将该发泡层之表面的于-40℃下20小时后之硅芯片剪切接着力设为H1(N/1 cm£),将于23℃下20小时后之硅芯片剪切接着力设为H2(N/1 cm£),将于125℃下20小时后之硅芯片剪切接着力设为H3(N/1 cm£)时,为V1<H1、V2<H2、V3<H3。
    • 3. 发明专利
    • 吸附暫固定片
    • 吸附暂固定片
    • TW201920401A
    • 2019-06-01
    • TW107132751
    • 2018-09-18
    • 日商日東電工股份有限公司NITTO DENKO CORPORATION
    • 伊関亮ISEKI, TORU加藤和通KATO, KAZUMICHI徳山英幸TOKUYAMA, HIDEYUKI金田充宏KANADA, MITSUHIRO
    • C08J9/00B32B5/18
    • 本發明提供一種在與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力,在與表面垂直之方向上具有較弱之接著力,且具有優異之防靜電性能之吸附暫固定片。 本發明之吸附暫固定片係具有具備連續氣泡構造之發泡層者,且表面電阻率為1.0×104Ω/□~1.0×1010Ω/□,於將該發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm□),將於23℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm□),將於80℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm□),且將該發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm□),將於23℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm□),將於80℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm□)時,為V1<H1、V2<H2、V3<H3。
    • 本发明提供一种在与表面相同之方向上具有充分之剪切接着力,在与表面垂直之方向上具有较弱之接着力,且具有优异之防静电性能之吸附暂固定片。 本发明之吸附暂固定片系具有具备连续气泡构造之发泡层者,且表面电阻率为1.0×104Ω/□~1.0×1010Ω/□,于将该发泡层之表面之于-30℃下18小时后之硅芯片垂直接着力设为V1(N/1 cm□),将于23℃下18小时后之硅芯片垂直接着力设为V2(N/1 cm□),将于80℃下18小时后之硅芯片垂直接着力设为V3(N/1 cm□),且将该发泡层之表面之于-30℃下18小时后之硅芯片剪切接着力设为H1(N/1 cm□),将于23℃下18小时后之硅芯片剪切接着力设为H2(N/1 cm□),将于80℃下18小时后之硅芯片剪切接着力设为H3(N/1 cm□)时,为V1<H1、V2<H2、V3<H3。