基本信息:
- 专利标题： 吸附暫固定片及其製造方法
- 专利标题（中）：吸附暂固定片及其制造方法
- 申请号：TW107111167 申请日：2018-03-30
- 公开(公告)号：TW201903015A 公开(公告)日：2019-01-16
- 发明人： 伊関亮 , ISEKI, TORU , 土井浩平 , DOI, KOHEI , 金田充宏 , KANADA, MITSUHIRO , 加藤和通 , KATO, KAZUMICHI , 德山英幸 , TOKUYAMA, HIDEYUKI
- 申请人： 日商日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
- 专利权人： 日商日東電工股份有限公司,NITTO DENKO CORPORATION
- 当前专利权人： 日商日東電工股份有限公司,NITTO DENKO CORPORATION
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 2017-075475 20170405
- 主分类号： C08J9/28
- IPC分类号： C08J9/28 ; B29C67/20 ; B32B5/18 ; H01L21/683
摘要：
本發明提供一種於與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力，且於相對於表面垂直之方向上具有較弱之接著力的吸附暫固定片。又，本發明提供此種吸附暫固定片之製造方法。 本發明之吸附暫固定片係具有具備連續氣泡構造之發泡層者，且於將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm£)，將於23℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm£)，將於125℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm£)，並且將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm£)，將於23℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm£)，將於125℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm£)時，為V1＜H1、V2＜H2、V3＜H3。
摘要（中）：
本发明提供一种于与表面相同之方向上具有充分之剪切接着力，且于相对于表面垂直之方向上具有较弱之接着力的吸附暂固定片。又，本发明提供此种吸附暂固定片之制造方法。 本发明之吸附暂固定片系具有具备连续气泡构造之发泡层者，且于将该发泡层之表面的于-40℃下20小时后之硅芯片垂直接着力设为V1(N/1 cm£)，将于23℃下20小时后之硅芯片垂直接着力设为V2(N/1 cm£)，将于125℃下20小时后之硅芯片垂直接着力设为V3(N/1 cm£)，并且将该发泡层之表面的于-40℃下20小时后之硅芯片剪切接着力设为H1(N/1 cm£)，将于23℃下20小时后之硅芯片剪切接着力设为H2(N/1 cm£)，将于125℃下20小时后之硅芯片剪切接着力设为H3(N/1 cm£)时，为V1＜H1、V2＜H2、V3＜H3。