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1. 发明专利

TWI653212B 轉化丁烯類之方法及２－氟丁烷之純化方法有权
简体标题：转化丁烯类之方法及２－氟丁烷之纯化方法
公开(公告)号：TWI653212B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW103124665
申请日：2014-07-18
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C17/42 , C07C17/383 , C07C19/08

2. 发明专利

TWI616428B 高純度２－氟丁烷及其使用方法有权
简体标题：高纯度２－氟丁烷及其使用方法
公开(公告)号：TWI616428B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW103107796
申请日：2014-03-07
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C19/08 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C19/08 , C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/3065 , H01L21/32136 , H01L21/32137

3. 发明专利

TW201434804A 高純度１Ｈ－七氟環戊烯审中-公开
简体标题：高纯度１Ｈ－七氟环戊烯
公开(公告)号：TW201434804A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103105589
申请日：2014-02-20
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C23/08 , H01L21/3065
CPC分类号： C09K13/00 , B65D25/38 , C07C17/23 , C07C17/383 , C07C23/08 , C07C2601/10 , C23F1/00 , C23F1/12 , H01L21/02263 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/3065
摘要：本發明為一種1H-七氟環戊烯，其特徵在於純度為99.9重量%以上，且有機氯系化合物的含量為350重量ppm以下。根據本發明，其提供一種具有適當的高純度的1H-七氟環戊烯作為半導體用的電漿反應用氣體。
简体摘要：本发明为一种1H-七氟环戊烯，其特征在于纯度为99.9重量%以上，且有机氯系化合物的含量为350重量ppm以下。根据本发明，其提供一种具有适当的高纯度的1H-七氟环戊烯作为半导体用的等离子反应用气体。

4. 发明专利

TWI653213B 高純度１－氟丁烷及電漿蝕刻方法有权
简体标题：高纯度１－氟丁烷及等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI653213B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW103120791
申请日：2014-06-17
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C19/08 , H01L21/3065

5. 发明专利

TWI617538B 高純度１Ｈ－七氟環戊烯有权
简体标题：高纯度１Ｈ－七氟环戊烯
公开(公告)号：TWI617538B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW103105589
申请日：2014-02-20
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C23/08 , H01L21/3065
CPC分类号： C09K13/00 , B65D25/38 , C07C17/23 , C07C17/383 , C07C23/08 , C07C2601/10 , C23F1/00 , C23F1/12 , H01L21/02263 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/3065

6. 发明专利

TW201641476A 氟化烷之製造方法、脒鹼之分離、回收方法、及回收的脒鹼之使用方法审中-公开
简体标题：氟化烷之制造方法、脒碱之分离、回收方法、及回收的脒碱之使用方法
公开(公告)号：TW201641476A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105109844
申请日：2016-03-29
申请人：關東電化工業股份有限公司 , KANTO DENKA KOGYO CO., LTD. , 日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：栗原一樹 , KURIHARA, KAZUKI , 杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C17/16 , C07B39/00 , C07C19/08 , C07D487/04
CPC分类号： C07C17/16 , B01D1/222 , B01D3/10 , B01D3/36 , C07C19/08 , C07D471/04
摘要：本發明係關於氟化烷的製造方法、脒鹼之分離、回收方法、以及回收的脒鹼之使用方法；其中氟化烷的製造方法係將碳數3~5之醇在無溶媒下、選自包含脒鹼及膦腈鹼之群組的鹼存在下，藉由以式(1)：R1SO2F所表示之氟化劑進行氟化之以式(2)：R2-F所表示之氟化烷的製造方法；該脒鹼之分離、回收方法係包含下述步驟(I)~(III)：於使下式(5)所表示之脒鹼-磺酸錯合物溶解於芳香族烴所得之溶液中添加鹼水溶液而使磺酸鹼金屬鹽析出之步驟(I)，於步驟(I)所得之經析出磺酸鹼金屬鹽的溶液中添加水而使磺酸鹼金屬鹽溶解，分液成溶解有磺酸鹼金屬鹽的水層與包含脒鹼的芳香族烴溶液之層，並將溶解有該磺酸鹼金屬鹽的水層去除之步驟(II)，及從步驟(II)所得之包含脒鹼之芳香族烴溶液餾去芳香族烴之步驟(III)(R1表示甲基、乙基或芳香族基；R2表示碳數3~5之烷基；n為0或2)。
简体摘要：本发明系关于氟化烷的制造方法、脒碱之分离、回收方法、以及回收的脒碱之使用方法；其中氟化烷的制造方法系将碳数3~5之醇在无溶媒下、选自包含脒碱及膦腈碱之群组的碱存在下，借由以式(1)：R1SO2F所表示之氟化剂进行氟化之以式(2)：R2-F所表示之氟化烷的制造方法；该脒碱之分离、回收方法系包含下述步骤(I)~(III)：于使下式(5)所表示之脒碱-磺酸错合物溶解于芳香族烃所得之溶液中添加碱水溶液而使磺酸碱金属盐析出之步骤(I)，于步骤(I)所得之经析出磺酸碱金属盐的溶液中添加水而使磺酸碱金属盐溶解，分液成溶解有磺酸碱金属盐的水层与包含脒碱的芳香族烃溶液之层，并将溶解有该磺酸碱金属盐的水层去除之步骤(II)，及从步骤(II)所得之包含脒碱之芳香族烃溶液馏去芳香族烃之步骤(III)(R1表示甲基、乙基或芳香族基；R2表示碳数3~5之烷基；n为0或2)。

7. 发明专利

TW201500331A 高純度１－氟丁烷及電漿蝕刻方法审中-公开
简体标题：高纯度１－氟丁烷及等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW201500331A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103120791
申请日：2014-06-17
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C19/08 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C17/383 , C07C17/389 , C07C19/08 , C09K13/00
摘要：本發明係一種高純度1-氟丁烷、該高純度1-氟丁烷之作為乾式蝕刻氣體之使用、以及電漿蝕刻方法，該高純度1-氟丁烷之特徵係純度為99.9容量%以上，丁烯類之合計為1000容量ppm以下，該電漿蝕刻方法係使用該高純度1-氟丁烷作為蝕刻氣體。如果利用本發明的話，則可提供一種高純度1-氟丁烷、該高純度1-氟丁烷之作為乾式蝕刻氣體之使用、以及電漿蝕刻方法，該高純度1-氟丁烷係適用於半導體之電漿反應用氣體，該電漿蝕刻方法係使用該高純度1-氟丁烷作為蝕刻氣體。
简体摘要：本发明系一种高纯度1-氟丁烷、该高纯度1-氟丁烷之作为干式蚀刻气体之使用、以及等离子蚀刻方法，该高纯度1-氟丁烷之特征系纯度为99.9容量%以上，丁烯类之合计为1000容量ppm以下，该等离子蚀刻方法系使用该高纯度1-氟丁烷作为蚀刻气体。如果利用本发明的话，则可提供一种高纯度1-氟丁烷、该高纯度1-氟丁烷之作为干式蚀刻气体之使用、以及等离子蚀刻方法，该高纯度1-氟丁烷系适用于半导体之等离子反应用气体，该等离子蚀刻方法系使用该高纯度1-氟丁烷作为蚀刻气体。

8. 发明专利

TWI438841B 電漿蝕刻方法有权
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI438841B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW097137027
申请日：2008-09-26
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：鈴木健文 , SUZUKI, TAKEFUMI , 杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA , 中村昌洋 , NAKAMURA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116

9. 发明专利

TWI633077B 氟化烴之製造方法有权
简体标题：氟化烃之制造方法
公开(公告)号：TWI633077B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW104104493
申请日：2015-02-11
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C17/093 , B01J31/22 , C07C19/08

10. 发明专利

TW201538456A 氟化烴之製造方法审中-公开
简体标题：氟化烃之制造方法
公开(公告)号：TW201538456A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104104493
申请日：2015-02-11
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA
IPC分类号： C07C17/093 , B01J31/22 , C07C19/08
CPC分类号： C07C17/361 , B01J31/146 , B01J2231/42 , C07C17/093 , C07C19/08
摘要：本發明係一種結構式(3)所示之氟化烴之製造方法，其特徵為使下述結構式(1)所示之二級或三級醚化合物、與結構式(2)所示之醯氟(acid fluoride)，在烴系溶媒中、三氟化硼錯合物存在下接觸(結構式(1)~(3)中，R1與R2表示碳數1~3之烷基，R1與R2可鍵結而形成環結構；R3表示氫原子、甲基或乙基，R4、R5表示甲基或乙基)。
简体摘要：本发明系一种结构式(3)所示之氟化烃之制造方法，其特征为使下述结构式(1)所示之二级或三级醚化合物、与结构式(2)所示之酰氟(acid fluoride)，在烃系溶媒中、三氟化硼错合物存在下接触(结构式(1)~(3)中，R1与R2表示碳数1~3之烷基，R1与R2可键结而形成环结构；R3表示氢原子、甲基或乙基，R4、R5表示甲基或乙基)。

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