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1. 发明专利

TW200503215A 凸塊製程 BUMPING PROCESS 失效
简体标题：凸块制程 BUMPING PROCESS
公开(公告)号：TW200503215A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW092118293
申请日：2003-07-04
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：林悦農 LIN, YUEH-LUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
摘要：一種凸塊製程。此凸塊製程包括：(a)提供一晶圓，晶圓具有多個銲墊及暴露出銲墊的一保護層。(b)形成一金屬層於晶圓上，金屬層係至少覆蓋住晶圓上的銲墊。(c)形成一正型光阻層於晶圓上。(d)於銲墊上方之正型光阻層中形成多個第一開口以暴露金屬層。(e)形成一負型光阻層於正型光阻層上。(f)於銲墊上方之負型光阻層中形成具有底切之多個第二開口。(g)將一銲料填入每個第一開口與第二開口中，以形成多個銲料塊。(h)撥除正型光阻層與負型光阻層。此凸塊製程可避免底切造成凸塊高度降低，並且進一步增加凸塊高度以提高晶片與承載器間之連接關係的可靠度。
简体摘要：一种凸块制程。此凸块制程包括：(a)提供一晶圆，晶圆具有多个焊垫及暴露出焊垫的一保护层。(b)形成一金属层于晶圆上，金属层系至少覆盖住晶圆上的焊垫。(c)形成一正型光阻层于晶圆上。(d)于焊垫上方之正型光阻层中形成多个第一开口以暴露金属层。(e)形成一负型光阻层于正型光阻层上。(f)于焊垫上方之负型光阻层中形成具有底切之多个第二开口。(g)将一焊料填入每个第一开口与第二开口中，以形成多个焊料块。(h)拨除正型光阻层与负型光阻层。此凸块制程可避免底切造成凸块高度降低，并且进一步增加凸块高度以提高芯片与承载器间之连接关系的可靠度。

2. 发明专利

TW200644044A 用於凸塊製程之蝕刻液 ETCHING CHEMICAL USED IN BUMPING PROCESS 审中-公开
简体标题：用于凸块制程之蚀刻液 ETCHING CHEMICAL USED IN BUMPING PROCESS
公开(公告)号：TW200644044A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW094118523
申请日：2005-06-06
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：唐和明 TONG, HO-MING , 蔡孟錦 TSAI, MON-CHIN , 林悦農 LIN, YUEH-LUNG , 黃敏龍 HUANG, MIN-LUNG , 伍恩傑 WU, EN-CHIEH , 陳嘉濱 CHEN, JIA-BIN , 翁肇甫 WENG, CHAO-FU , 黃友發 NG HIEW-WATT
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種用於凸塊製程之蝕刻液，其成分包括35至50重量％之硫酸、1至3重量％之硝酸、1至5重量％之醋酸、10至25重量％之硫酸鈉及0.5至5重量％之硫酸鐵。該蝕刻液可以在室溫下蝕刻凸塊下金屬層之結合層及障壁層，且該蝕刻液可以與晶圓上之保護層相容，而不會損壞該保護層。
简体摘要：本发明系关于一种用于凸块制程之蚀刻液，其成分包括35至50重量％之硫酸、1至3重量％之硝酸、1至5重量％之醋酸、10至25重量％之硫酸钠及0.5至5重量％之硫酸铁。该蚀刻液可以在室温下蚀刻凸块下金属层之结合层及障壁层，且该蚀刻液可以与晶圆上之保护层兼容，而不会损坏该保护层。

3. 发明专利

TWI229400B 探測器清潔方法 PROBER-CLEANING METHOD 失效
简体标题：探测器清洁方法 PROBER-CLEANING METHOD
公开(公告)号：TWI229400B
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：TW091136763
申请日：2002-12-13
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：曹育誠 TSAU, YU-CHENG , 林悦農 LIN, YUEH-LUNG , 林義隆 LIN, YI-LUNG , 唐和明 TONG, HO-MING , 李俊哲 LEE, CHUN-CHI
IPC分类号： H01L , B08B
摘要：一種探測器清潔方法用以清潔一探測器之連接接點上的有機殘留物，其特徵在於利用一熱源以非接觸的方式對欲清潔的連接接點釋放熱，使得連接接點上的有機殘留物受熱與空氣中的氧反應而分解成氣體，離間連接接點表面。
简体摘要：一种探测器清洁方法用以清洁一探测器之连接接点上的有机残留物，其特征在于利用一热源以非接触的方式对欲清洁的连接接点释放热，使得连接接点上的有机残留物受热与空气中的氧反应而分解成气体，离间连接接点表面。

4. 发明专利

TWI309868B 晶圓測試方法 THE METHOD FOR TESTING WAFER 有权
简体标题：晶圆测试方法 THE METHOD FOR TESTING WAFER
公开(公告)号：TWI309868B
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：TW091138172
申请日：2002-12-31
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：林悦農 LIN, YUEH-LUNG , 林義隆 LIN, YI-LUNG , 李俊哲 LEE, CHUN-CHI , 唐和明 TONG, HO-MING , 林千琪 LIN, CHIAN-CHI , 張志煌 CHANG, CHIH-HUANG
IPC分类号： H01L
摘要：一種晶圓測試方法用以測試分割過之晶圓,該晶圓係具有複數個陣列排列之晶片,其特徵在於先利用一影像系統(vision system)拍攝下該複數個待測晶片之一的影像,並將該影像與一預先設定之樣版比對,藉此得到該晶片的座標,據此放置一檢測器之連接接點,使該檢測器之連接接點與該晶片的接點電性連接,並且在同一時間,該影像系統係進行拍攝下一個待測晶片的影像,以續行該晶片之檢測步驟。
简体摘要：一种晶圆测试方法用以测试分割过之晶圆,该晶圆系具有复数个数组排列之芯片,其特征在于先利用一影像系统(vision system)拍摄下该复数个待测芯片之一的影像,并将该影像与一预先设置之样版比对,借此得到该芯片的座标,据此放置一检测器之连接接点,使该检测器之连接接点与该芯片的接点电性连接,并且在同一时间,该影像系统系进行拍摄下一个待测芯片的影像,以续行该芯片之检测步骤。

5. 发明专利

TWI311350B 球格陣列式封裝的測試方法 A TESTING METHOD OF BALL GRID ARRAY PACKAGE 有权
简体标题：球格数组式封装的测试方法 A TESTING METHOD OF BALL GRID ARRAY PACKAGE
公开(公告)号：TWI311350B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW092104140
申请日：2003-02-27
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陶恕 TAO, SU , 林悦農 LIN, YUEH-LUNG , 林義隆 LIN, YI-LUNG
IPC分类号： H01L , G01R
摘要：一種球格陣列式封裝的測試方法,係以球格陣列式封裝半成品為待測物,以進行一功能性測試以及一老化測試,並在完成老化測試之後,再植接銲球於承載器之銲球墊上,由於銲球於老化測試之後才形成,因此銲球不會受到損傷,故可提高其後續製程之良率,並有助於改善球格陣列式封裝之成品與外部電子裝置連接時之可靠度。
简体摘要：一种球格数组式封装的测试方法,系以球格数组式封装半成品为待测物,以进行一功能性测试以及一老化测试,并在完成老化测试之后,再植接焊球于承载器之焊球垫上,由于焊球于老化测试之后才形成,因此焊球不会受到损伤,故可提高其后续制程之良率,并有助于改善球格数组式封装之成品与外部电子设备连接时之可靠度。

6. 发明专利

TW200623296A 光電晶片之晶圓級測試方法 METHOD FOR WAFER-LEVEL TESTING PHOTOELECTRIC CHIPS 失效
简体标题：光电芯片之晶圆级测试方法 METHOD FOR WAFER-LEVEL TESTING PHOTOELECTRIC CHIPS
公开(公告)号：TW200623296A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW093140792
申请日：2004-12-27
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：林悦農 LIN, YUEH-LUNG
IPC分类号： H01L
摘要：一種光電晶片之晶圓級測試方法，一晶圓內係已預先形成複數個光電晶片，並且每一光電晶片具有一在該晶圓之一第一表面之光作動區以及複數個在該晶圓之一第二表面上之接點。在測試過程，一支撐機構係固定該晶圓，並使該晶圓之該第一表面朝向該支撐機構，一探測機構係探壓該晶圓之該第二表面，以電性接觸至少一光電晶片之該些接點，並以光通過該支撐機構，以測試被電性導接之該光電晶片，而不會有光干擾。
简体摘要：一种光电芯片之晶圆级测试方法，一晶圆内系已预先形成复数个光电芯片，并且每一光电芯片具有一在该晶圆之一第一表面之光作动区以及复数个在该晶圆之一第二表面上之接点。在测试过程，一支撑机构系固定该晶圆，并使该晶圆之该第一表面朝向该支撑机构，一探测机构系探压该晶圆之该第二表面，以电性接触至少一光电芯片之该些接点，并以光通过该支撑机构，以测试被电性导接之该光电芯片，而不会有光干扰。

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