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1. 发明专利

TW201918593A 矽塊的品質判斷方法、矽塊的品質判斷程式及單晶矽的製造方法审中-公开
简体标题：硅块的品质判断方法、硅块的品质判断进程及单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TW201918593A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107119816
申请日：2018-06-08
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：齋藤康裕 , SAITO, YASUHIRO , 工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 倉垣俊二 , KURAGAKI, SHUNJI , 金大基 , KIM, TEGI
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , H01L21/66
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要：本發明提供一種能夠減低下一個步驟中品質確認頻繁度的矽塊的品質判斷方法。判斷從以柴可拉斯基法拉起的單晶矽中切出的複數的矽塊的品質之矽塊的品質判斷方法，包括：取得從複數的矽塊的各自的端部切出的樣本晶圓的品質評比結果S2；取得該單晶矽的拉起實際結果資料S3；因應各個的樣本晶圓的品質評比結果，設定各個矽塊的拉起管理容許量S6、S7；以及比對取得的拉起實際結果資料、以及設定的拉起管理容許量，判斷各個矽塊的品質S8、S9。
简体摘要：本发明提供一种能够减低下一个步骤中品质确认频繁度的硅块的品质判断方法。判断从以柴可拉斯基法拉起的单晶硅中切出的复数的硅块的品质之硅块的品质判断方法，包括：取得从复数的硅块的各自的端部切出的样本晶圆的品质评比结果S2；取得该单晶硅的拉起实际结果数据S3；因应各个的样本晶圆的品质评比结果，设置各个硅块的拉起管理容许量S6、S7；以及比对取得的拉起实际结果数据、以及设置的拉起管理容许量，判断各个硅块的品质S8、S9。

2. 发明专利

TWI679317B 矽塊的品質判斷方法、矽塊的品質判斷程式及單晶矽的製造方法有权
简体标题：硅块的品质判断方法、硅块的品质判断进程及单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TWI679317B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107119816
申请日：2018-06-08
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：齋藤康裕 , SAITO, YASUHIRO , 工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 倉垣俊二 , KURAGAKI, SHUNJI , 金大基 , KIM, TEGI
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , H01L21/66

3. 发明专利

TW201725288A 單結晶拉引裝置具備之加熱器關連元件之選擇方法审中-公开
简体标题：单结晶拉引设备具备之加热器关连组件之选择方法
公开(公告)号：TW201725288A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105123848
申请日：2016-07-28
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 茨木博美 , IBARAGI, HIROMI
IPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
摘要：在提供一種加熱器關連元件之選擇方法，其可在以CZ法拉引單結晶時，防止拉引裝置所具備的元件特別是加熱器關連元件的破損，使裝置擁有長期壽命。一種加熱器關連元件之選擇方法，當使用熔化填充於坩堝12內之結晶用原料來作為加熱器關連元件並進行溫度控制的加熱器13和具備用來連結上述加熱器13及電源之碳電極14的拉引裝置10並以CZ法來育成單結晶時，選擇將加熱器的腳部13b的熱膨脹係數與碳電極14的熱膨脹係數的差作為熱膨脹係數差△C時的該熱膨脹係數差△C在以下列算式(1)所算出的極限熱膨脹係數差△CL以下的加熱器13及碳電極14。
简体摘要：在提供一种加热器关连组件之选择方法，其可在以CZ法拉引单结晶时，防止拉引设备所具备的组件特别是加热器关连组件的破损，使设备拥有长期寿命。一种加热器关连组件之选择方法，当使用熔化填充于坩埚12内之结晶用原料来作为加热器关连组件并进行温度控制的加热器13和具备用来链接上述加热器13及电源之碳电极14的拉引设备10并以CZ法来育成单结晶时，选择将加热器的脚部13b的热膨胀系数与碳电极14的热膨胀系数的差作为热膨胀系数差△C时的该热膨胀系数差△C在以下列算式(1)所算出的极限热膨胀系数差△CL以下的加热器13及碳电极14。

4. 发明专利

TW201643281A 矽晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：硅晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW201643281A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105126517
申请日：2015-06-01
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 中村浩三 , NAKAMURA, KOUZOU , 村中寿行 , MURANAKA, TOSHIYUKI , 松田脩平 , MATSUDA, SHUHEI , 金大基 , KIM, TEGI , 平木敬一郎 , HIRAKI, KEIICHIRO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/26 , H01L21/324
CPC分类号： C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/221 , H01L21/3221 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L29/34
摘要：此製造方法，係包含：將含有硼做為受體之矽單結晶切片，得到未熱處理矽晶圓之工程；對於未熱處理矽晶圓，求得硼濃度之工程；對於未熱處理矽晶圓，求得氧供體濃度之工程，根據在求得硼濃度之工程所得到之硼濃度，以及在求得氧供體濃度之工程所得到之氧供體濃度，判斷是否對於未熱處理矽晶圓實施在300℃以上之溫度之熱處理。藉由此，可得到偏在於晶圓上之LPD減低的矽晶圓。
简体摘要：此制造方法，系包含：将含有硼做为受体之硅单结晶切片，得到未热处理硅晶圆之工程；对于未热处理硅晶圆，求得硼浓度之工程；对于未热处理硅晶圆，求得氧供体浓度之工程，根据在求得硼浓度之工程所得到之硼浓度，以及在求得氧供体浓度之工程所得到之氧供体浓度，判断是否对于未热处理硅晶圆实施在300℃以上之温度之热处理。借由此，可得到偏在于晶圆上之LPD减低的硅晶圆。

5. 发明专利

TWI605160B 單結晶拉引裝置具備之加熱器關連元件之選擇方法有权
简体标题：单结晶拉引设备具备之加热器关连组件之选择方法
公开(公告)号：TWI605160B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105123848
申请日：2016-07-28
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 茨木博美 , IBARAGI, HIROMI
IPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06

6. 发明专利

TWI580826B 矽晶圓之製造方法有权
简体标题：硅晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI580826B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105126517
申请日：2015-06-01
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 中村浩三 , NAKAMURA, KOUZOU , 村中寿行 , MURANAKA, TOSHIYUKI , 松田脩平 , MATSUDA, SHUHEI , 金大基 , KIM, TEGI , 平木敬一郎 , HIRAKI, KEIICHIRO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/26 , H01L21/324
CPC分类号： C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/221 , H01L21/3221 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L29/34

7. 发明专利

TWI571541B 矽晶圓之製造方法有权
简体标题：硅晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI571541B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104117600
申请日：2015-06-01
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 中村浩三 , NAKAMURA, KOUZOU , 村中寿行 , MURANAKA, TOSHIYUKI , 松田脩平 , MATSUDA, SHUHEI , 金大基 , KIM, TEGI , 平木敬一郎 , HIRAKI, KEIICHIRO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/26 , H01L21/324
CPC分类号： C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/221 , H01L21/3221 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L29/34

8. 发明专利

TW201608064A 矽晶圓及其製造方法审中-公开
简体标题：硅晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW201608064A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104117600
申请日：2015-06-01
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 中村浩三 , NAKAMURA, KOUZOU , 村中寿行 , MURANAKA, TOSHIYUKI , 松田脩平 , MATSUDA, SHUHEI , 金大基 , KIM, TEGI , 平木敬一郎 , HIRAKI, KEIICHIRO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/26 , H01L21/324
CPC分类号： C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/221 , H01L21/3221 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L29/34
摘要：此製造方法，係包含：將含有硼做為受體之矽單結晶切片，得到未熱處理矽晶圓之工程；對於未熱處理矽晶圓，求得硼濃度之工程；對於未熱處理矽晶圓，求得氧供體濃度之工程，根據在求得硼濃度之工程所得到之硼濃度，以及在求得氧供體濃度之工程所得到之氧供體濃度，判斷是否對於未熱處理矽晶圓實施在300℃以上之溫度之熱處理。藉由此，可得到偏在於晶圓上之LPD減低的矽晶圓。
简体摘要：此制造方法，系包含：将含有硼做为受体之硅单结晶切片，得到未热处理硅晶圆之工程；对于未热处理硅晶圆，求得硼浓度之工程；对于未热处理硅晶圆，求得氧供体浓度之工程，根据在求得硼浓度之工程所得到之硼浓度，以及在求得氧供体浓度之工程所得到之氧供体浓度，判断是否对于未热处理硅晶圆实施在300℃以上之温度之热处理。借由此，可得到偏在于晶圆上之LPD减低的硅晶圆。

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