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1. 发明专利

TW201835006A 濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201835006A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107109340
申请日：2018-03-19
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：長田幸三 , OSADA, KOZO , 鶴田好孝 , TSURUTA, YOSHITAKA , 館野諭 , TATENO, SATORU
IPC分类号： C04B37/02 , C23C14/34
摘要：本發明提供即使襯管沿軸線方向彎曲變形，也能確保與靶材之間的接合材料的所需厚度並使品質提高的濺鍍靶及其製造方法。濺鍍靶（1）包括：具有由陶瓷材料構成的沿軸線方向以0.15mm~0.50mm的間隔排列配置的複數圓筒狀靶塊（2a）的靶材（2）；設在靶材（2）內周側的圓筒狀襯管（3）；介於靶材（2）和襯管（3）之間並用於接合它們的接合材料，沿徑向測量時，在沿軸線方向相鄰的至少一對靶塊的各自外周面中彼此相鄰的軸線方向的外緣之間的高低差量為0.50mm以下，至少一靶塊（2a）內的軸線方向的至少一部分接合材料的厚度沿軸線方向變化，至少一靶塊（2a）的接合材料的最小厚度為0.6mm以上且1.4mm以下。
简体摘要：本发明提供即使衬管沿轴线方向弯曲变形，也能确保与靶材之间的接合材料的所需厚度并使品质提高的溅镀靶及其制造方法。溅镀靶（1）包括：具有由陶瓷材料构成的沿轴线方向以0.15mm~0.50mm的间隔排列配置的复数圆筒状靶块（2a）的靶材（2）；设在靶材（2）内周侧的圆筒状衬管（3）；介于靶材（2）和衬管（3）之间并用于接合它们的接合材料，沿径向测量时，在沿轴线方向相邻的至少一对靶块的各自外周面中彼此相邻的轴线方向的外缘之间的高低差量为0.50mm以下，至少一靶块（2a）内的轴线方向的至少一部分接合材料的厚度沿轴线方向变化，至少一靶块（2a）的接合材料的最小厚度为0.6mm以上且1.4mm以下。

2. 发明专利

TWI698542B 圓筒形濺射靶件及其製造方法有权
简体标题：圆筒形溅射靶件及其制造方法
公开(公告)号：TWI698542B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108132861
申请日：2017-02-24
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：館野諭 , TATENO, SATORU , 長田幸三 , OSADA, KOZO
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622

3. 发明专利

TWI692539B 濺射靶及其包裝方法有权
简体标题：溅射靶及其包装方法
公开(公告)号：TWI692539B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108108464
申请日：2019-03-13
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：館野諭 , TATENO, SATORU , 鶴田好孝 , TSURUTA, YOSHITAKA
IPC分类号： C23C14/34 , B65D81/20

4. 发明专利

TW202014543A 圓筒形濺射靶件及其製造方法审中-公开
简体标题：圆筒形溅射靶件及其制造方法
公开(公告)号：TW202014543A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108132861
申请日：2017-02-24
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：館野諭 , TATENO, SATORU , 長田幸三 , OSADA, KOZO
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要：本發明之一目的在於提供圓筒軸方向之長度為470 mm以上之圓筒形燒結體、圓筒形濺射靶件及此些之製造方法。根據本發明之一實施型態之具有圓筒形燒結體之圓筒形濺射靶件之製造方法，於工作台上配置圓筒形成型體，圓筒形成型體於圓筒軸方向之長度為600 mm以上，工作台設置有氧元素供給口，氧元素供給口連接於用以提供氧元素之管路，自氧元素供給口沿圓筒軸方向供給氧元素且進行燒結，氧元素供給口小於設置於圓筒形成型體之圓筒內側之圓筒內周。而且於其他態樣中，工作台亦可配置於腔室中，用以提供氧元素之管路亦可自腔室之外連接至氧元素供給口。
简体摘要：本发明之一目的在于提供圆筒轴方向之长度为470 mm以上之圆筒形烧结体、圆筒形溅射靶件及此些之制造方法。根据本发明之一实施型态之具有圆筒形烧结体之圆筒形溅射靶件之制造方法，于工作台上配置圆筒形成型体，圆筒形成型体于圆筒轴方向之长度为600 mm以上，工作台设置有氧元素供给口，氧元素供给口连接于用以提供氧元素之管路，自氧元素供给口沿圆筒轴方向供给氧元素且进行烧结，氧元素供给口小于设置于圆筒形成型体之圆筒内侧之圆筒内周。而且于其他态样中，工作台亦可配置于腔室中，用以提供氧元素之管路亦可自腔室之外连接至氧元素供给口。

5. 发明专利

TWI649295B 濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI649295B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW107109340
申请日：2018-03-19
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：長田幸三 , OSADA, KOZO , 鶴田好孝 , TSURUTA, YOSHITAKA , 館野諭 , TATENO, SATORU
IPC分类号： C04B37/02 , C23C14/34

6. 发明专利

TW201734240A 圓筒形濺射靶件及其製造方法审中-公开
简体标题：圆筒形溅射靶件及其制造方法
公开(公告)号：TW201734240A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106106359
申请日：2017-02-24
申请人： JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：館野諭 , TATENO, SATORU , 長田幸三 , OSADA, KOZO
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要：本發明之一目的在於提供圓筒軸方向之長度為470 mm以上之圓筒形燒結體、圓筒形濺射靶件及此些之製造方法。根據本發明之一實施型態之具有圓筒形燒結體之圓筒形濺射靶件之製造方法，於工作台上配置圓筒形成型體，圓筒形成型體於圓筒軸方向之長度為600 mm以上，工作台設置有氧元素供給口，氧元素供給口連接於用以提供氧元素之管路，自氧元素供給口沿圓筒軸方向供給氧元素且進行燒結，氧元素供給口小於設置於圓筒形成型體之圓筒內側之圓筒內周。而且於其他態樣中，工作台亦可配置於腔室中，用以提供氧元素之管路亦可自腔室之外連接至氧元素供給口。
简体摘要：本发明之一目的在于提供圆筒轴方向之长度为470 mm以上之圆筒形烧结体、圆筒形溅射靶件及此些之制造方法。根据本发明之一实施型态之具有圆筒形烧结体之圆筒形溅射靶件之制造方法，于工作台上配置圆筒形成型体，圆筒形成型体于圆筒轴方向之长度为600 mm以上，工作台设置有氧元素供给口，氧元素供给口连接于用以提供氧元素之管路，自氧元素供给口沿圆筒轴方向供给氧元素且进行烧结，氧元素供给口小于设置于圆筒形成型体之圆筒内侧之圆筒内周。而且于其他态样中，工作台亦可配置于腔室中，用以提供氧元素之管路亦可自腔室之外连接至氧元素供给口。

7. 发明专利

TWI606133B 濺射靶有权
简体标题：溅射靶
公开(公告)号：TWI606133B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW104132009
申请日：2015-09-30
申请人： JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：館野諭 , TATENO, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , B32B15/00 , B32B1/08

8. 发明专利

TW201614088A 濺射靶审中-公开
简体标题：溅射靶
公开(公告)号：TW201614088A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104132009
申请日：2015-09-30
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：館野諭 , TATENO, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , B32B15/00 , B32B1/08
摘要：目的之一在於提供一種濺射靶，係防止濺射靶材之破裂，且穩定地維持於基材上。提供一種濺射靶，包含以金屬製成之基材、設置於基材之一表面之濺射靶材及設置於基材與前述濺射靶材之間之接合材。接合材至少包含第一金屬元素及第二金屬元素，第二金屬元素相對於第一金屬元素具有10 ppm以上5000 ppm以下之濃度。
简体摘要：目的之一在于提供一种溅射靶，系防止溅射靶材之破裂，且稳定地维持于基材上。提供一种溅射靶，包含以金属制成之基材、设置于基材之一表面之溅射靶材及设置于基材与前述溅射靶材之间之接合材。接合材至少包含第一金属元素及第二金属元素，第二金属元素相对于第一金属元素具有10 ppm以上5000 ppm以下之浓度。

9. 发明专利

TWI635194B 圓筒形濺射靶件及其製造方法有权
简体标题：圆筒形溅射靶件及其制造方法
公开(公告)号：TWI635194B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106106359
申请日：2017-02-24
申请人： JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：館野諭 , TATENO, SATORU , 長田幸三 , OSADA, KOZO
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622

10. 发明专利

TWI554628B 分割的濺射靶件有权
简体标题：分割的溅射靶件
公开(公告)号：TWI554628B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW105105444
申请日：2016-02-24
申请人： JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：館野諭 , TATENO, SATORU
IPC分类号： C23C14/34 , B23K28/00 , B23K101/40

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