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1. 发明专利

TWI676691B 鉭濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI676691B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105115508
申请日：2016-05-19
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO , 仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO
IPC分类号： C22C27/02 , C23C14/34

2. 发明专利

TW201837220A 鉭濺射靶审中-公开
简体标题：钽溅射靶
公开(公告)号：TW201837220A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107110533
申请日：2018-03-27
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C23C14/34
摘要：本發明提供一種有助於提高大功率濺射時的膜厚均勻性的鉭濺射靶。該鉭濺射靶，其純度為99.99品質%以上，濺射面的維式硬度的平均值為85~110Hv，並且，滿足以下的(1)~(2)兩個條件：(1)對垂直於濺射面的斷面進行電子背向散射圖案(Electron Back-Scattered Patterns,EBSP)測量時，局部角度方位差(KAM值)的平均值為0.2°~2.8°；(2)對垂直於濺射面的斷面進行EBSP測量時，在與濺射面的法線方向相對的方位差為15°以內進行取向的{100}面的取向面積比的平均值為20%以上。
简体摘要：本发明提供一种有助于提高大功率溅射时的膜厚均匀性的钽溅射靶。该钽溅射靶，其纯度为99.99品质%以上，溅射面的维式硬度的平均值为85~110Hv，并且，满足以下的(1)~(2)两个条件：(1)对垂直于溅射面的断面进行电子背向散射图案(Electron Back-Scattered Patterns,EBSP)测量时，局部角度方位差(KAM值)的平均值为0.2°~2.8°；(2)对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时，在与溅射面的法线方向相对的方位差为15°以内进行取向的{100}面的取向面积比的平均值为20%以上。

3. 发明专利

TWI665325B 鉭濺射靶有权
简体标题：钽溅射靶
公开(公告)号：TWI665325B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107110533
申请日：2018-03-27
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C23C14/34

4. 发明专利

TWI695076B 濺鍍靶有权
简体标题：溅镀靶
公开(公告)号：TWI695076B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105115509
申请日：2016-05-19
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：村田周平 , MURATA, SHUHEI , 山越康廣 , YAMAKOSHI, YASUHIRO , 永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14

5. 发明专利

TWI586821B 鉭濺鍍靶及其製造方法以及使用該靶而形成之半導體配線用障壁膜有权
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法以及使用该靶而形成之半导体配线用障壁膜
公开(公告)号：TWI586821B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102110010
申请日：2013-03-21
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO , 仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/14
CPC分类号： C23C14/3414 , B22D21/06 , C22C27/02 , C22F1/18 , C23C14/14 , H01J37/3426 , H01J2237/332 , H01L21/2855 , H01L21/76843

6. 发明专利

TWI580796B 鉭濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI580796B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102145544
申请日：2013-12-11
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO , 永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C22C27/02 , C23C14/34 , C23C14/14 , B21J5/00 , C21D1/26 , C21D9/00 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C27/02 , C22F1/18 , C23C14/3414 , H01L21/2855 , H01L21/76841 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201439335A 鉭濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201439335A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102145544
申请日：2013-12-11
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO , 永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C22C27/02 , C23C14/34 , C23C14/14 , B21J5/00 , C21D1/26 , C21D9/00 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C27/02 , C22F1/18 , C23C14/3414 , H01L21/2855 , H01L21/76841 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種鉭濺鍍靶，於其濺鍍面，(200)面之位向率超過70%，且(222)面之位向率在30%以下。藉由控制靶之結晶位向，而具有下述效果：降低鉭靶之放電電壓，使電漿容易產生，且提升電漿之穩定性。
简体摘要：一种钽溅镀靶，于其溅镀面，(200)面之位向率超过70%，且(222)面之位向率在30%以下。借由控制靶之结晶位向，而具有下述效果：降低钽靶之放电电压，使等离子容易产生，且提升等离子之稳定性。

8. 发明专利

TWI623638B 鉭濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI623638B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103107182
申请日：2014-03-04
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO , 永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14

9. 发明专利

TWI553135B 鉭濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI553135B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101143224
申请日：2012-11-20
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO , 永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C14/3414 , C01B21/0617 , C23C14/0641 , C23C14/185 , C23C14/3407 , Y10T428/31678

10. 发明专利

TW201335401A 鉭濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201335401A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101143224
申请日：2012-11-20
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO , 永津光太郎 , NAGATSU, KOTARO
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C14/3414 , C01B21/0617 , C23C14/0641 , C23C14/185 , C23C14/3407 , Y10T428/31678
摘要：本發明係有關於一種鉭濺鍍靶，於其濺鍍面，(200)面之配向率為70%以下，並且(222)面之配向率為10%以上。藉由控制靶之晶體配向，可加快濺鍍速率，藉此，可以短時間使所需之膜厚成膜，可提高產出量。
简体摘要：本发明系有关于一种钽溅镀靶，于其溅镀面，(200)面之配向率为70%以下，并且(222)面之配向率为10%以上。借由控制靶之晶体配向，可加快溅镀速率，借此，可以短时间使所需之膜厚成膜，可提高产出量。

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