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2. 发明专利

TW201918491A 金屬烷氧化合物、薄膜形成用原料及薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：金属烷氧化合物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201918491A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107129214
申请日：2018-08-22
申请人：日商ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：岡田奈奈 , OKADA, NANA , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 西田章浩 , NISHIDA, AKIHIRO , 桜井淳 , SAKURAI, ATSUSHI
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/18
CPC分类号： C07F5/00 , C23C16/18 , H01L21/31
摘要：本發明係提供以下述一般式(1)所表示之金屬烷氧化合物、含有前述化合物而成之薄膜形成用原料，以及使用該原料而形成含有金屬之薄膜的製造方法： (式中，R1係表示氫原子或是碳原子數1~4之烷基，R2係表示異丙基、第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基，R3係表示氫或是碳原子數1~4之烷基，R4係表示碳原子數1~4之烷基，M係表示鈧原子、釔原子、鑭原子、鈰原子、鐠原子、釹原子、鉅原子、釤原子、銪原子、釓原子、鋱原子、鏑原子、鈥原子、鉺原子、銩原子、鐿原子或是鎦原子，n係表示以M所示之原子的價數，但是，當M為鑭原子之情況，R2係第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基)。
简体摘要：本发明系提供以下述一般式(1)所表示之金属烷氧化合物、含有前述化合物而成之薄膜形成用原料，以及使用该原料而形成含有金属之薄膜的制造方法： (式中，R1系表示氢原子或是碳原子数1~4之烷基，R2系表示异丙基、第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基，R3系表示氢或是碳原子数1~4之烷基，R4系表示碳原子数1~4之烷基，M系表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、巨原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或是镥原子，n系表示以M所示之原子的价数，但是，当M为镧原子之情况，R2系第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基)。

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