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    • 3. 发明专利
    • 金屬烷氧化合物、薄膜形成用原料及薄膜之製造方法
    • 金属烷氧化合物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法
    • TW201918491A
    • 2019-05-16
    • TW107129214
    • 2018-08-22
    • 日商ADEKA股份有限公司ADEKA CORPORATION
    • 岡田奈奈OKADA, NANA畑瀨雅子HATASE, MASAKO西田章浩NISHIDA, AKIHIRO桜井淳SAKURAI, ATSUSHI
    • C07F5/00C23C16/18
    • C07F5/00C23C16/18H01L21/31
    • 本發明係提供以下述一般式(1)所表示之金屬烷氧化合物、含有前述化合物而成之薄膜形成用原料,以及使用該原料而形成含有金屬之薄膜的製造方法: (式中,R1係表示氫原子或是碳原子數1~4之烷基,R2係表示異丙基、第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基,R3係表示氫或是碳原子數1~4之烷基,R4係表示碳原子數1~4之烷基,M係表示鈧原子、釔原子、鑭原子、鈰原子、鐠原子、釹原子、鉅原子、釤原子、銪原子、釓原子、鋱原子、鏑原子、鈥原子、鉺原子、銩原子、鐿原子或是鎦原子,n係表示以M所示之原子的價數,但是,當M為鑭原子之情況,R2係第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基)。
    • 本发明系提供以下述一般式(1)所表示之金属烷氧化合物、含有前述化合物而成之薄膜形成用原料,以及使用该原料而形成含有金属之薄膜的制造方法: (式中,R1系表示氢原子或是碳原子数1~4之烷基,R2系表示异丙基、第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基,R3系表示氢或是碳原子数1~4之烷基,R4系表示碳原子数1~4之烷基,M系表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、巨原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或是镥原子,n系表示以M所示之原子的价数,但是,当M为镧原子之情况,R2系第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基)。