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1. 发明专利

TWI652275B 鈷化合物、薄膜形成用原料及薄膜之製造方法有权
简体标题：钴化合物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI652275B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104111952
申请日：2015-04-14
申请人：日商ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：吉野智晴 , YOSHINO, TOMOHARU , 遠津正揮 , ENZU, MASAKI , 桜井淳 , SAKURAI, ATSUSHI , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 內生蔵広幸 , UCHIUZOU, HIROYUKI , 西田章浩 , NISHIDA, AKIHIRO
IPC分类号： C07F15/06 , C23C14/24

2. 发明专利

TWI668203B 烷氧化物化合物、薄膜形成用原料、薄膜之形成方法及醇化合物有权
公开(公告)号：TWI668203B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104124553
申请日：2015-07-29
申请人：日商ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：桜井淳 , SAKURAI, ATSUSHI , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 吉野智晴 , YOSHINO, TOMOHARU , 遠津正揮 , ENZU, MASAKI
IPC分类号： C07C251/04 , C07C251/74 , C07F7/08 , C23C16/18

3. 发明专利

TW201918491A 金屬烷氧化合物、薄膜形成用原料及薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：金属烷氧化合物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201918491A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107129214
申请日：2018-08-22
申请人：日商ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：岡田奈奈 , OKADA, NANA , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 西田章浩 , NISHIDA, AKIHIRO , 桜井淳 , SAKURAI, ATSUSHI
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/18
CPC分类号： C07F5/00 , C23C16/18 , H01L21/31
摘要：本發明係提供以下述一般式(1)所表示之金屬烷氧化合物、含有前述化合物而成之薄膜形成用原料，以及使用該原料而形成含有金屬之薄膜的製造方法： (式中，R1係表示氫原子或是碳原子數1~4之烷基，R2係表示異丙基、第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基，R3係表示氫或是碳原子數1~4之烷基，R4係表示碳原子數1~4之烷基，M係表示鈧原子、釔原子、鑭原子、鈰原子、鐠原子、釹原子、鉅原子、釤原子、銪原子、釓原子、鋱原子、鏑原子、鈥原子、鉺原子、銩原子、鐿原子或是鎦原子，n係表示以M所示之原子的價數，但是，當M為鑭原子之情況，R2係第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基)。
简体摘要：本发明系提供以下述一般式(1)所表示之金属烷氧化合物、含有前述化合物而成之薄膜形成用原料，以及使用该原料而形成含有金属之薄膜的制造方法： (式中，R1系表示氢原子或是碳原子数1~4之烷基，R2系表示异丙基、第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基，R3系表示氢或是碳原子数1~4之烷基，R4系表示碳原子数1~4之烷基，M系表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、巨原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或是镥原子，n系表示以M所示之原子的价数，但是，当M为镧原子之情况，R2系第二丁基、第三丁基、第二戊基、1-乙基丙基或是第三戊基)。

4. 发明专利

TWI652274B 烷氧化合物，薄膜形成用原料，薄膜的製造方法及醇化合物有权
简体标题：烷氧化合物，薄膜形成用原料，薄膜的制造方法及醇化合物
公开(公告)号：TWI652274B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104111262
申请日：2015-04-08
申请人：日商ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：桜井淳 , SAKURAI, ATSUSHI , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 吉野智晴 , YOSHINO, TOMOHARU , 遠津正揮 , ENZU, MASAKI
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C07C251/08 , H01L21/28 , H01L21/285

5. 发明专利

TW201439103A 鋁前驅物、使用該鋁前驅物形成薄膜之方法，及使用該鋁前驅物形成電容器之方法审中-公开
简体标题：铝前驱物、使用该铝前驱物形成薄膜之方法，及使用该铝前驱物形成电容器之方法
公开(公告)号：TW201439103A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103104438
申请日：2014-02-11
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. , 艾迪科股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：尹相喆 , YOUN, SANG CHUL , 櫻井淳 , SAKURAI, ATSUSH , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 侖廷 , CHO, YOUN JOUNG , 姜知那 , KANG, JI NA , 山田直樹 , YAMADA, NAOKI , 崔晶植 , CHOI, JUNG SIK
IPC分类号： C07F5/06 , C23C16/20 , H01G4/14
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/085 , H01G4/1272 , H01L27/10852 , H01L28/40
摘要：本發明係關於一種由以下化學式1所表示之鋁化合物。在化學式1中，X是由以下化學式22或化學式3所表示之官能基。
简体摘要：本发明系关于一种由以下化学式1所表示之铝化合物。在化学式1中，X是由以下化学式22或化学式3所表示之官能基。

6. 发明专利

TW201619126A 烷氧化物化合物、薄膜形成用原料、薄膜之形成方法及醇化合物审中-公开
公开(公告)号：TW201619126A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104124553
申请日：2015-07-29
申请人： ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：桜井淳 , SAKURAI, ATSUSHI , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 吉野智晴 , YOSHINO, TOMOHARU , 遠津正揮 , ENZU, MASAKI
IPC分类号： C07C251/04 , C07C251/74 , C07F7/08 , C23C16/18
CPC分类号： C07F15/065 , C07C251/08 , C07C251/76 , C07F7/0818 , C07F7/10 , C07F15/04 , C07F15/045 , C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/45525 , H01L21/285
摘要：本發明之烷氧化物化合物以下述一般式(I)所示者為特徵：
简体摘要：本发明之烷氧化物化合物以下述一般式(I)所示者为特征：

7. 发明专利

TW201609762A 烷氧化合物，薄膜形成用原料，薄膜的製造方法及醇化合物审中-公开
简体标题：烷氧化合物，薄膜形成用原料，薄膜的制造方法及醇化合物
公开(公告)号：TW201609762A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104111262
申请日：2015-04-08
申请人： ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：桜井淳 , SAKURAI, ATSUSHI , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 吉野智晴 , YOSHINO, TOMOHARU , 遠津正揮 , ENZU, MASAKI
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C07C251/08 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C07F15/06 , C07C251/08 , C23C16/18 , C23C16/45553 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/28556 , H01L21/28568
摘要：本發明提供一種下述一般式(I)表示之烷氧化合物。 (式中，R1~R3分別獨立表示氫、碳原子數1~12之烴基等；R4表示碳原子數1~12之烴基等；L表示氫、鹵素、羥基、胺基、疊氮基、磷化物基、腈基、羰基、碳原子數1~12之烴基等；M表示金屬原子或矽原子，n表示1以上之整數，m表示0以上之整數，n+m表示金屬原子或矽原子之價數)。
简体摘要：本发明提供一种下述一般式(I)表示之烷氧化合物。 (式中，R1~R3分别独立表示氢、碳原子数1~12之烃基等；R4表示碳原子数1~12之烃基等；L表示氢、卤素、羟基、胺基、叠氮基、磷化物基、腈基、羰基、碳原子数1~12之烃基等；M表示金属原子或硅原子，n表示1以上之整数，m表示0以上之整数，n+m表示金属原子或硅原子之价数)。

8. 发明专利

TWI614260B 鋁前驅物、使用該鋁前驅物形成薄膜之方法，及使用該鋁前驅物形成電容器之方法有权
简体标题：铝前驱物、使用该铝前驱物形成薄膜之方法，及使用该铝前驱物形成电容器之方法
公开(公告)号：TWI614260B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW103104438
申请日：2014-02-11
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. , 艾迪科股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：尹相喆 , YOUN, SANG CHUL , 櫻井淳 , SAKURAI, ATSUSH , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 曺侖廷 , CHO, YOUN JOUNG , 姜知那 , KANG, JI NA , 山田直樹 , YAMADA, NAOKI , 崔晶植 , CHOI, JUNG SIK
IPC分类号： C07F5/06 , C23C16/20 , H01G4/14
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/085 , H01G4/1272 , H01L27/10852 , H01L28/40

9. 发明专利

TW201604200A 鈷化合物、薄膜形成用原料及薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：钴化合物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201604200A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104111952
申请日：2015-04-14
申请人： ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：吉野智晴 , YOSHINO, TOMOHARU , 遠津正揮 , ENZU, MASAKI , 桜井淳 , SAKURAI, ATSUSHI , 畑瀨雅子 , HATASE, MASAKO , 內生蔵広幸 , UCHIUZOU, HIROYUKI , 西田章浩 , NISHIDA, AKIHIRO
IPC分类号： C07F15/06 , C23C14/24
CPC分类号： C07F15/065 , C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/44
摘要：本發明之鈷化合物係以下述一般式(I)表示。一般式(I)中，R1~R3係各自獨立地表示碳數1~5之直鏈或分支鏈的烷基。又，本發明之薄膜形成用原料含有以上述一般式(I)表示之鈷化合物。依據本發明，可提供熔點低而可以液體之狀態輸送，可於低溫下分解，且蒸氣壓大而容易氣化之鈷化合物及使用其之薄膜形成用原料。
简体摘要：本发明之钴化合物系以下述一般式(I)表示。一般式(I)中，R1~R3系各自独立地表示碳数1~5之直链或分支链的烷基。又，本发明之薄膜形成用原料含有以上述一般式(I)表示之钴化合物。依据本发明，可提供熔点低而可以液体之状态输送，可于低温下分解，且蒸气压大而容易气化之钴化合物及使用其之薄膜形成用原料。

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