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1. 发明专利

TW201817817A 固化性粒狀聚矽氧組合物、由其構成之光反射材料、及其製造方法审中-公开
简体标题：固化性粒状聚硅氧组合物、由其构成之光反射材料、及其制造方法
公开(公告)号：TW201817817A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106126724
申请日：2017-08-08
申请人：日商道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE
IPC分类号： C08L83/04 , C08K3/00 , H01L33/60
摘要：本發明提供一種固化性粒狀聚矽氧組合物及其用途，所述固化性粒狀聚矽氧組合物可形成具有熱熔性，操作作業性及固化特性優異，並且於可見波長區域中具備高光反射率，室溫至150℃左右之高溫時具有優異之柔軟性及強韌性的固化物。一種固化性粒狀聚矽氧組合物及其用途，其特徵在於，含有(A)軟化點為30℃以上且具有矽氫化反應性基團及/或自由基反應性基團之熱熔性聚矽氧微粒；(B)實質上不含有平均粒徑為5μm以上之粗大粒子之無機填充料(微粒)；以及(C)固化劑，藉由固化形成25℃及150℃時之儲存彈性模數分別為2000MPa以下及100MPa以下，厚度為100μm時波長450nm、優選700nm之光反射率皆為90%以上之固化物。
简体摘要：本发明提供一种固化性粒状聚硅氧组合物及其用途，所述固化性粒状聚硅氧组合物可形成具有热熔性，操作作业性及固化特性优异，并且于可见波长区域中具备高光反射率，室温至150℃左右之高温时具有优异之柔软性及强韧性的固化物。一种固化性粒状聚硅氧组合物及其用途，其特征在于，含有(A)软化点为30℃以上且具有硅氢化反应性基团及/或自由基反应性基团之热熔性聚硅氧微粒；(B)实质上不含有平均粒径为5μm以上之粗大粒子之无机填充料(微粒)；以及(C)固化剂，借由固化形成25℃及150℃时之存储弹性模数分别为2000MPa以下及100MPa以下，厚度为100μm时波长450nm、优选700nm之光反射率皆为90%以上之固化物。

2. 发明专利

TWI647282B 反應性聚矽氧組合物、反應性熱塑體、硬化物、及光半導體裝置有权
简体标题：反应性聚硅氧组合物、反应性热塑体、硬化物、及光半导体设备
公开(公告)号：TWI647282B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103120372
申请日：2014-06-12
申请人：日商道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 吉武誠 , YOSHITAKE, MAKOTO
IPC分类号： C08L83/07 , C08L83/05 , C08K3/00 , C08F290/06 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L23/29 , H01L23/31

3. 发明专利

TW201817816A 固化性粒狀聚矽氧組合物、由其構成之半導體用構件及其成型方法审中-公开
简体标题：固化性粒状聚硅氧组合物、由其构成之半导体用构件及其成型方法
公开(公告)号：TW201817816A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106126721
申请日：2017-08-08
申请人：日商道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE
IPC分类号： C08L83/04 , C09D183/04 , C08K3/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/56
摘要：本發明提供一種固化性粒狀聚矽氧組合物、以及將該固化性粒狀聚矽氧組合物成型而成之顆粒物等，所述固化性粒狀聚矽氧組合物可形成具有熱熔性，操作作業性及固化特性優異，並且熔融時之間隙填補性優異，室溫至150℃左右之高溫時具有優異之柔軟性及強韌性的固化物。一種固化性粒狀聚矽氧組合物及其用途，其特徵在於，含有：(A)軟化點為30℃以上且具有矽氫化反應性基團及/或自由基反應性基團之熱熔性聚矽氧微粒；(B)實質上不含有平均粒徑10.0μm以上之粗大粒子之無機填充料(微粒)；以及(C)固化劑，藉由固化可形成25℃及150℃時之儲存彈性模數分別為2000MPa以下及100MPa以下之固化物。
简体摘要：本发明提供一种固化性粒状聚硅氧组合物、以及将该固化性粒状聚硅氧组合物成型而成之颗粒物等，所述固化性粒状聚硅氧组合物可形成具有热熔性，操作作业性及固化特性优异，并且熔融时之间隙填补性优异，室温至150℃左右之高温时具有优异之柔软性及强韧性的固化物。一种固化性粒状聚硅氧组合物及其用途，其特征在于，含有：(A)软化点为30℃以上且具有硅氢化反应性基团及/或自由基反应性基团之热熔性聚硅氧微粒；(B)实质上不含有平均粒径10.0μm以上之粗大粒子之无机填充料(微粒)；以及(C)固化剂，借由固化可形成25℃及150℃时之存储弹性模数分别为2000MPa以下及100MPa以下之固化物。

4. 发明专利

TW201842137A 固化性有機聚矽氧烷組成物以及半導體裝置审中-公开
简体标题：固化性有机聚硅氧烷组成物以及半导体设备
公开(公告)号：TW201842137A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107104333
申请日：2018-02-07
申请人：日商道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 西嶋一裕 , NISHIJIMA, KAZUHIRO , 飯村智浩 , IIMURA, TOMOHIRO , 須藤学 , SUTOH, MANABU
IPC分类号： C09J183/07 , C09J183/05 , C09J11/06 , C09J11/04 , H01L21/52 , H01L33/48
摘要：本發明提供一種對於半導體元件之接著性優異且形成之固化物中氣泡少之固化性有機聚矽氧烷組成物。一種固化性有機聚矽氧烷組成物，其至少由下述(A)、(B)以及(C)構成；(A)一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷；(B)以平均單元式：(R13SiO1/2)a(R12SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R1為相同或不同之不具有脂肪族不飽和碳鍵之一價烴基或者氫原子，其中，一分子中至少2個R1為氫原子，R2為不具有脂肪族不飽和鍵之一價烴基，a、b、c分別為滿足0
简体摘要：本发明提供一种对于半导体组件之接着性优异且形成之固化物中气泡少之固化性有机聚硅氧烷组成物。一种固化性有机聚硅氧烷组成物，其至少由下述(A)、(B)以及(C)构成；(A)一分子中具有至少2个烯基之有机聚硅氧烷；(B)以平均单元式：(R13SiO1/2)a(R12SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R1为相同或不同之不具有脂肪族不饱和碳键之一价烃基或者氢原子，其中，一分子中至少2个R1为氢原子，R2为不具有脂肪族不饱和键之一价烃基，a、b、c分别为满足0

5. 发明专利

TW201817815A 固化性粒狀聚矽氧組合物、由其構成之半導體用構件及其成型方法审中-公开
简体标题：固化性粒状聚硅氧组合物、由其构成之半导体用构件及其成型方法
公开(公告)号：TW201817815A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106126717
申请日：2017-08-08
申请人：日商道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE
IPC分类号： C08L83/04 , C09D183/04 , C08K3/00 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要：本發明提供一種固化性粒狀聚矽氧組合物以及將該固化性粒狀聚矽氧組合物成型而成之顆粒物等及其用途，該固化性粒狀聚矽氧組合物可形成具有熱熔性，覆蓋成型(overmolding)等之操作作業性及固化特性優異，並且室溫至250℃左右之高溫時具有優異之硬質性及強韌性的固化物。一種固化性粒狀聚矽氧組合物及其用途，其特徵在於，含有：(A)軟化點為30℃以上且具有矽氫化反應性基團及/或自由基反應性基團之熱熔性聚矽氧微粒100質量份；(B)無機填充料(微粒)100至4000質量份；以及(C)固化劑，藉由固化形成固化物，該固化物於25℃至200℃之範圍內之平均線膨脹係數為30ppm/℃以下，於-50℃時之儲存彈性模數(G'-50)與於250℃時之儲存彈性模數(G'250)之值之比：(G'-50/G'250)為1/1至1/50之範圍。
简体摘要：本发明提供一种固化性粒状聚硅氧组合物以及将该固化性粒状聚硅氧组合物成型而成之颗粒物等及其用途，该固化性粒状聚硅氧组合物可形成具有热熔性，覆盖成型(overmolding)等之操作作业性及固化特性优异，并且室温至250℃左右之高温时具有优异之硬质性及强韧性的固化物。一种固化性粒状聚硅氧组合物及其用途，其特征在于，含有：(A)软化点为30℃以上且具有硅氢化反应性基团及/或自由基反应性基团之热熔性聚硅氧微粒100质量份；(B)无机填充料(微粒)100至4000质量份；以及(C)固化剂，借由固化形成固化物，该固化物于25℃至200℃之范围内之平均线膨胀系数为30ppm/℃以下，于-50℃时之存储弹性模数(G'-50)与于250℃时之存储弹性模数(G'250)之值之比：(G'-50/G'250)为1/1至1/50之范围。

6. 发明专利

TW201404832A 反應性聚矽氧組合物、反應性熱塑性物件、硬化產品、及光學半導體裝置审中-公开
简体标题：反应性聚硅氧组合物、反应性热塑性对象、硬化产品、及光学半导体设备
公开(公告)号：TW201404832A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102123350
申请日：2013-06-28
申请人：道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 山崎春菜 , YAMAZAKI, HARUNA , 吉武誠 , YOSHITAKE, MAKOTO
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/14 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08K7/14 , H01L33/60
CPC分类号： C08K7/18 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08K7/14 , C08K2003/2241 , C08L83/04 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於反應性聚矽氧組合物，其包含：(A)由平均單元式表示之含烯基之有機聚矽氧烷；(B)由通式表示之含烯基之有機聚矽氧烷；(C)由通式表示之含鍵結矽原子之氫原子之有機聚矽氧烷；(D)矽氫化反應觸媒；(E)白色顏料；及(F)非球形二氧化矽、球形二氧化矽或玻璃纖維，藉由該組合物在指定條件下之反應獲得之反應性熱塑性物件，藉由加熱該物件獲得之硬化產品，以及具有該硬化產品之光學半導體裝置。該反應性聚矽氧組合物在常溫下係固體且產生在升高之溫度下流體化之反應性熱塑性物件。該反應性熱塑性物件一加熱便流體化且然後產生硬化產品。該硬化產品極少展現由熱量或光造成之機械強度降低或褪色，且具有高光反射率。而且該光學半導體裝置展現高發光效率且極少引起光反射材料之熱降解或光降解。
简体摘要：本发明系关于反应性聚硅氧组合物，其包含：(A)由平均单元式表示之含烯基之有机聚硅氧烷；(B)由通式表示之含烯基之有机聚硅氧烷；(C)由通式表示之含键结硅原子之氢原子之有机聚硅氧烷；(D)硅氢化反应触媒；(E)白色颜料；及(F)非球形二氧化硅、球形二氧化硅或玻璃钢，借由该组合物在指定条件下之反应获得之反应性热塑性对象，借由加热该对象获得之硬化产品，以及具有该硬化产品之光学半导体设备。该反应性聚硅氧组合物在常温下系固体且产生在升高之温度下流体化之反应性热塑性对象。该反应性热塑性对象一加热便流体化且然后产生硬化产品。该硬化产品极少展现由热量或光造成之机械强度降低或褪色，且具有高光反射率。而且该光学半导体设备展现高发光效率且极少引起光反射材料之热降解或光降解。

7. 发明专利

TW201638222A 硬化性粒狀聚矽氧組合物及其製造方法审中-公开
简体标题：硬化性粒状聚硅氧组合物及其制造方法
公开(公告)号：TW201638222A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105105266
申请日：2016-02-23
申请人：道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 今泉徹 , IMAIZUMI, TORU , 尾崎弘一 , OZAKI, KOUICHI
IPC分类号： C08L83/05 , C08L83/07 , C08J3/20 , C08J3/12 , H01L33/48
CPC分类号： C08L83/06 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K3/00 , C08K3/013 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要：本發明之硬化性粒狀聚矽氧組合物至少包含：(A)軟化點為30℃以上且具有矽氫化反應性基及/或自由基反應性基之熱熔性聚矽氧微粒子、(B)不具有軟化點或於上述(A)成分之軟化點以下不軟化之填料、及(C)硬化劑；且該硬化性粒狀聚矽氧組合物較佳為丸粒狀。本發明之硬化性粒狀聚矽氧組合物具有熱熔性，且操作作業性及硬化性優異。
简体摘要：本发明之硬化性粒状聚硅氧组合物至少包含：(A)软化点为30℃以上且具有硅氢化反应性基及/或自由基反应性基之热熔性聚硅氧微粒子、(B)不具有软化点或于上述(A)成分之软化点以下不软化之填料、及(C)硬化剂；且该硬化性粒状聚硅氧组合物较佳为丸粒状。本发明之硬化性粒状聚硅氧组合物具有热熔性，且操作作业性及硬化性优异。

8. 发明专利

TW201606034A 熱熔性聚矽氧及硬化性熱熔組合物审中-公开
简体标题：热熔性聚硅氧及硬化性热熔组合物
公开(公告)号：TW201606034A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104119856
申请日：2015-06-18
申请人：道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎春菜 , YAMAZAKI, HARUNA , 吉武誠 , YOSHITAKE, MAKOTO , 山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE
IPC分类号： C09J5/06 , C09J183/07 , C09J183/05 , C08L83/07 , C08L83/05 , H01L33/56
CPC分类号： C09J183/04 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K3/22 , C08K5/5419 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C09D183/04 , C09J11/00
摘要：本發明係一種熱熔性聚矽氧，其係使(A)矽原子鍵結之全部有機基之10莫耳%以上為苯基之含有烯基之有機聚矽氧烷與(B)一分子中至少含有2個矽原子鍵結氫原子之有機聚矽氧烷於(C)矽氫化反應用觸媒之存在下進行矽氫化反應而成，且於25℃下為非流動性，100℃之熔融黏度為5,000Pa．s以下；及一種硬化性熱熔組合物，其至少包含(I)上述熱熔性聚矽氧、(II)一分子中至少含有2個矽原子鍵結氫原子且矽原子鍵結氫原子為0.5質量%以上之有機聚矽氧烷、及(III)矽氫化反應用觸媒。該熱熔性聚矽氧於25℃下為非流動性，表面黏著性較低，藉由加熱會容易地熔融。又，該硬化性熱熔組合物兼具熱熔性與硬化性。
简体摘要：本发明系一种热熔性聚硅氧，其系使(A)硅原子键结之全部有机基之10莫耳%以上为苯基之含有烯基之有机聚硅氧烷与(B)一分子中至少含有2个硅原子键结氢原子之有机聚硅氧烷于(C)硅氢化反应用触媒之存在下进行硅氢化反应而成，且于25℃下为非流动性，100℃之熔融黏度为5,000Pa．s以下；及一种硬化性热熔组合物，其至少包含(I)上述热熔性聚硅氧、(II)一分子中至少含有2个硅原子键结氢原子且硅原子键结氢原子为0.5质量%以上之有机聚硅氧烷、及(III)硅氢化反应用触媒。该热熔性聚硅氧于25℃下为非流动性，表面黏着性较低，借由加热会容易地熔融。又，该硬化性热熔组合物兼具热熔性与硬化性。

9. 发明专利

TW201527478A 聚矽氧接著性膜、及半導體裝置审中-公开
简体标题：聚硅氧接着性膜、及半导体设备
公开(公告)号：TW201527478A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103143093
申请日：2014-12-10
申请人：道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：藤澤豊彥 , FUJISAWA, TOYOHIKO , 山崎春菜 , YAMAZAKI, HARUNA , 山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 吉武誠 , YOSHITAKE, MAKOTO
IPC分类号： C09J7/00 , C09J5/00 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/52
CPC分类号： C08L83/04 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K3/36 , C08K5/05 , C08K5/5415 , C08K5/5435 , C08K5/56 , C08L83/00 , C09J7/10 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , C09J2483/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要：本發明係一種使聚矽氧組合物進行矽氫化反應成B-階狀而成之聚矽氧接著性膜，上述聚矽氧組合物至少包含(A)具有苯基及烯基之有機聚矽氧烷、(B)具有苯基及烯基之任意之二有機聚矽氧烷、(C)於一分子中具有至少2個鍵結矽原子之氫原子之有機聚矽氧烷、(D)接著促進劑及(E)矽氫化反應用觸媒。對於表面有間隙之被接著體，該B-階狀聚矽氧接著性膜即便於相對低溫、低壓下之熱壓接中亦容易軟化而顯示出良好之間隙填充性，並且可硬化而牢固地接著於上述被接著體。
简体摘要：本发明系一种使聚硅氧组合物进行硅氢化反应成B-阶状而成之聚硅氧接着性膜，上述聚硅氧组合物至少包含(A)具有苯基及烯基之有机聚硅氧烷、(B)具有苯基及烯基之任意之二有机聚硅氧烷、(C)于一分子中具有至少2个键结硅原子之氢原子之有机聚硅氧烷、(D)接着促进剂及(E)硅氢化反应用触媒。对于表面有间隙之被接着体，该B-阶状聚硅氧接着性膜即便于相对低温、低压下之热压接中亦容易软化而显示出良好之间隙填充性，并且可硬化而牢固地接着于上述被接着体。

10. 发明专利

TW201333118A 硬化性矽酮組合物、其硬化產品及光半導體裝置审中-公开
简体标题：硬化性硅酮组合物、其硬化产品及光半导体设备
公开(公告)号：TW201333118A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW102104072
申请日：2013-02-01
申请人：道康寧東麗股份有限公司 , DOW CORNING TORAY CO., LTD.
发明人：山崎亮介 , YAMAZAKI, RYOSUKE , 吉武誠 , YOSHITAKE, MAKOTO
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/07 , C08L83/14 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08K7/18 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/60 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K3/22 , C08K5/549 , C08K5/56 , C08K2003/2237 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於硬化性矽酮組合物，其包含：(A)由平均單元式代表之有機聚矽氧烷；(B)具有10個或更少矽原子之有機聚矽氧烷，其中所有結合矽原子之有機基團之30莫耳%至60莫耳%係具有2個至6個碳之烯基；(C)由通式代表之有機聚矽氧烷；(D)在一分子中具有至少2個結合矽原子之氫原子之有機聚矽氧烷，其中此組份中所有結合矽原子之有機基團中之苯基含量係至少20莫耳%；(E)在一分子中具有至少2個結合矽原子之氫原子之有機聚矽氧烷，其中此組份中所有結合矽原子之有機基團中之苯基含量小於20莫耳%；(F)矽氫化反應觸媒；(G)白色顏料；及(H)除白色顏料以外之無機填料，該硬化性矽酮組合物具有形成硬化產品之極佳可成形性，該硬化產品幾乎不會因熱及光而導致變色及機械強度降低，具有高光反射比，具有極佳尺寸穩定性，且能夠藉由用於光半導體裝置之密封劑良好附著。
简体摘要：本发明系关于硬化性硅酮组合物，其包含：(A)由平均单元式代表之有机聚硅氧烷；(B)具有10个或更少硅原子之有机聚硅氧烷，其中所有结合硅原子之有机基团之30莫耳%至60莫耳%系具有2个至6个碳之烯基；(C)由通式代表之有机聚硅氧烷；(D)在一分子中具有至少2个结合硅原子之氢原子之有机聚硅氧烷，其中此组份中所有结合硅原子之有机基团中之苯基含量系至少20莫耳%；(E)在一分子中具有至少2个结合硅原子之氢原子之有机聚硅氧烷，其中此组份中所有结合硅原子之有机基团中之苯基含量小于20莫耳%；(F)硅氢化反应触媒；(G)白色颜料；及(H)除白色颜料以外之无机填料，该硬化性硅酮组合物具有形成硬化产品之极佳可成形性，该硬化产品几乎不会因热及光而导致变色及机械强度降低，具有高光反射比，具有极佳尺寸稳定性，且能够借由用于光半导体设备之密封剂良好附着。

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