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1. 发明专利

TW202004876A 工件加工用片材审中-公开
公开(公告)号：TW202004876A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108112637
申请日：2019-04-11
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：森田由希 , MORITA, YUKI , 山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/78 , B23K26/00 , B33Y10/00 , B33Y80/00
摘要：一種工件加工用片材1，其為至少具有基材2、與積層於基材2的第1面側的黏著劑層3之工件加工用片材1，其中，在基材2的第2面的算術平均粗糙度(Ra)為0.01 μm以上、0.4 μm以下，在基材2的第2面的最大高度粗糙度(Rz)為0.01 μm以上、2.5 μm以下，基材2的波長532 nm的透光率為40%以上。如此的工件加工用片材1不僅雷射刻印性優良，對雷射光也具有耐受性。
简体摘要：一种工件加工用片材1，其为至少具有基材2、与积层于基材2的第1面侧的黏着剂层3之工件加工用片材1，其中，在基材2的第2面的算术平均粗糙度(Ra)为0.01 μm以上、0.4 μm以下，在基材2的第2面的最大高度粗糙度(Rz)为0.01 μm以上、2.5 μm以下，基材2的波长532 nm的透光率为40%以上。如此的工件加工用片材1不仅激光刻印性优良，对激光光也具有耐受性。

2. 发明专利

TW201907465A 隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：隐形切割用黏着片及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201907465A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107104717
申请日：2018-02-09
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：福元孝斉 , FUKUMOTO, KOSEI , 山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI , 中村優智 , NAKAMURA, MASATOMO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/67
摘要：本發明係一種隱形切割用黏著片1，其特徵在於：其係至少使用在將在內部形成改質層的半導體晶圓，以室溫環境，切斷分離成各個晶片的隱形切割用黏著片1，其具備：基材11；及黏著劑層12，其係積層在上述基材11的一方的面，使上述隱形切割用黏著片1經由黏著劑層12黏貼在矽晶圓時，黏著劑層12與上述矽晶圓的界面的在23℃的剪力為70N/(3mm×20mm)以上，250N/(3mm×20mm)以下。該隱形切割用黏著片，即使以室溫進行擴展，亦可將半導體晶圓良好地個片化成晶片。
简体摘要：本发明系一种隐形切割用黏着片1，其特征在于：其系至少使用在将在内部形成改质层的半导体晶圆，以室温环境，切断分离成各个芯片的隐形切割用黏着片1，其具备：基材11；及黏着剂层12，其系积层在上述基材11的一方的面，使上述隐形切割用黏着片1经由黏着剂层12黏贴在硅晶圆时，黏着剂层12与上述硅晶圆的界面的在23℃的剪力为70N/(3mm×20mm)以上，250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用黏着片，即使以室温进行扩展，亦可将半导体晶圆良好地个片化成芯片。

3. 发明专利

TW201818460A 隱形切割用黏著板片审中-公开
简体标题：隐形切割用黏着板片
公开(公告)号：TW201818460A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106136687
申请日：2017-10-25
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種隱形切割用黏著板片，其為具備基材以及積層在該基材中之單面側的黏著劑層的隱形切割用黏著板片，當邊將該基材使用熱機械分析裝置以升溫速度20℃/分從25℃加熱到120℃，邊將該基材以0.2g的負荷拉伸，將該基材於60℃之長度減去該基材之初始長度而得到的該基材之長度變化量設定為△L60℃，並將該基材於90℃之長度減去該基材之初始長度而得到的該基材之長度變化量設定為△L90℃時，符合下式(1)之關係：△L90℃-△L60℃
简体摘要：本发明提供一种隐形切割用黏着板片，其为具备基材以及积层在该基材中之单面侧的黏着剂层的隐形切割用黏着板片，当边将该基材使用热机械分析设备以升温速度20℃/分从25℃加热到120℃，边将该基材以0.2g的负荷拉伸，将该基材于60℃之长度减去该基材之初始长度而得到的该基材之长度变化量设置为△L60℃，并将该基材于90℃之长度减去该基材之初始长度而得到的该基材之长度变化量设置为△L90℃时，符合下式(1)之关系：△L90℃-△L60℃<0μm...(1)。该隐形切割用黏着板片的热收缩性优良。

4. 发明专利

TW201817842A 隱形切割用黏著板片审中-公开
简体标题：隐形切割用黏着板片
公开(公告)号：TW201817842A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106136682
申请日：2017-10-25
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI
IPC分类号： C09J133/08 , C09J133/12 , C09J133/14 , C09J7/00 , H01L21/302
摘要：本發明提供一種隱形切割用黏著板片，其為具備基材以及積層在該基材中之單面側的黏著劑層的隱形切割用黏著板片，該基材於23℃之拉伸彈性係數為50MPa以上、450MPa以下，該黏著劑層由含有丙烯酸系共聚物之能量射線硬化性黏著劑構成，其中該丙烯酸系共聚物含有丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-羥基乙酯、及烷基之碳數為2以下的(甲基)丙烯酸烷酯作為構成單體。該隱形切割用黏著板片的耐溶性劑及熱收縮性優良。
简体摘要：本发明提供一种隐形切割用黏着板片，其为具备基材以及积层在该基材中之单面侧的黏着剂层的隐形切割用黏着板片，该基材于23℃之拉伸弹性系数为50MPa以上、450MPa以下，该黏着剂层由含有丙烯酸系共聚物之能量射线硬化性黏着剂构成，其中该丙烯酸系共聚物含有丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-羟基乙酯、及烷基之碳数为2以下的(甲基)丙烯酸烷酯作为构成单体。该隐形切割用黏着板片的耐溶性剂及热收缩性优良。

5. 发明专利

TWI668287B 黏著薄片有权
简体标题：黏着薄片
公开(公告)号：TWI668287B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104109384
申请日：2015-03-24
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI , 宮永朋治 , MIYANAGA, TOMOHARU
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/301 , C09J133/00 , B32B27/00 , B32B27/30 , B23K26/53

6. 发明专利

TW201906957A 隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：隐形切割用黏着片及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201906957A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107104714
申请日：2018-02-09
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：福元孝斉 , FUKUMOTO, KOSEI , 山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI , 中村優智 , NAKAMURA, MASATOMO
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/027
摘要：本發明係一種隱形切割用黏著片1，其特徵在於：其係至少使用在將在內部形成改質層的半導體晶圓，以-20℃以上，10℃以下的環境切斷分離成各個晶片的隱形切割用黏著片1，其具備：基材11；及黏著劑層12，其係積層在上述基材11的一方的面，使上述隱形切割用黏著片1經由黏著劑層12黏貼在矽晶圓時，黏著劑層12與上述矽晶圓的界面的在0℃的剪力為190N/(3mm×20mm)以上，400N/(3mm×20mm)以下。該隱形切割用黏著片1，即使所得晶片尺寸很小時，亦可藉由冷擴展良好地將半導體晶圓個片化成晶片。
简体摘要：本发明系一种隐形切割用黏着片1，其特征在于：其系至少使用在将在内部形成改质层的半导体晶圆，以-20℃以上，10℃以下的环境切断分离成各个芯片的隐形切割用黏着片1，其具备：基材11；及黏着剂层12，其系积层在上述基材11的一方的面，使上述隐形切割用黏着片1经由黏着剂层12黏贴在硅晶圆时，黏着剂层12与上述硅晶圆的界面的在0℃的剪力为190N/(3mm×20mm)以上，400N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用黏着片1，即使所得芯片尺寸很小时，亦可借由冷扩展良好地将半导体晶圆个片化成芯片。

7. 发明专利

TW201907464A 隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：隐形切割用黏着片及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201907464A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107104716
申请日：2018-02-09
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：福元孝斉 , FUKUMOTO, KOSEI , 山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI , 中村優智 , NAKAMURA, MASATOMO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/67
摘要：本發明係一種隱形切割用黏著片1，其係至少使用在將在內部形成改質層的半導體晶圓，以室溫環境，切斷分離成各個晶片的隱形切割用黏著片1，其具備：基材11；及黏著劑層12，其係積層在上述基材11的一方的面，使上述隱形切割用黏著片1經由黏著劑層12黏貼在矽晶圓時，黏著劑層12與上述矽晶圓的界面的在23℃的剪力為5N/(3mm×20mm)以上，70N/(3mm×20mm)以下。該隱形切割用黏著片1，對於晶片的清洗性優良。
简体摘要：本发明系一种隐形切割用黏着片1，其系至少使用在将在内部形成改质层的半导体晶圆，以室温环境，切断分离成各个芯片的隐形切割用黏着片1，其具备：基材11；及黏着剂层12，其系积层在上述基材11的一方的面，使上述隐形切割用黏着片1经由黏着剂层12黏贴在硅晶圆时，黏着剂层12与上述硅晶圆的界面的在23℃的剪力为5N/(3mm×20mm)以上，70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用黏着片1，对于芯片的清洗性优良。

8. 发明专利

TW201834036A 切割片审中-公开
公开(公告)号：TW201834036A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106137354
申请日：2017-10-30
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI
IPC分类号： H01L21/301
摘要：一種切割片1，係至少具備基材2、及層積在基材2的第1面側之黏著劑層3之切割片1，在基材2的第2面之算術平均粗糙度(Ra)為0.01μm以上且0.5μm以下，而且在基材2的第2面之最大高度粗糙度(Rz)為3μm以下。此種切割片1係具有適合於工件的高倍率攝像之光線透射性。
简体摘要：一种切割片1，系至少具备基材2、及层积在基材2的第1面侧之黏着剂层3之切割片1，在基材2的第2面之算术平均粗糙度(Ra)为0.01μm以上且0.5μm以下，而且在基材2的第2面之最大高度粗糙度(Rz)为3μm以下。此种切割片1系具有适合于工件的高倍率摄像之光线透射性。

9. 发明专利

TW202014490A 黏接片以及加工物之製造方法审中-公开
简体标题：黏接片以及加工物之制造方法
公开(公告)号：TW202014490A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108148058
申请日：2015-12-01
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI , 中村優智 , NAKAMURA, MASATOMO
IPC分类号： C09J7/00 , C09J133/04 , C08J3/28 , H01L21/683
摘要：本發明係關於一種黏接片以及加工物之製造方法，其中，本發明所提供的一種黏接片，係在板狀組件照射雷射光形成改質部，用於將上述板狀組件分割後晶片化的黏接片，具有基材和上述基材的一邊面上備有的黏接劑層，上述基材對於上述一邊面以及上述一邊面之反面的兩邊面，於JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)所規定的算數平均粗糙度Ra係0.01μm以上、0.2μm以下，上述黏接劑層的厚度係2μm以上、12μm以下。這種黏接片在利用雷射光之切割製程中使用時，難以產生瑕疵且具有優越的頂取(Pick up)性。
简体摘要：本发明系关于一种黏接片以及加工物之制造方法，其中，本发明所提供的一种黏接片，系在板状组件照射激光光形成改质部，用于将上述板状组件分割后芯片化的黏接片，具有基材和上述基材的一边面上备有的黏接剂层，上述基材对于上述一边面以及上述一边面之反面的两边面，于JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)所规定的算数平均粗糙度Ra系0.01μm以上、0.2μm以下，上述黏接剂层的厚度系2μm以上、12μm以下。这种黏接片在利用激光光之切割制程中使用时，难以产生瑕疵且具有优越的顶取(Pick up)性。

10. 发明专利

TWI686457B 半導體加工用薄片有权
简体标题：半导体加工用薄片
公开(公告)号：TWI686457B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105106257
申请日：2016-03-02
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山下茂之 , YAMASHITA, SHIGEYUKI
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/301

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