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1. 发明专利

TW202004362A 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及电脑可读取记录媒体
公开(公告)号：TW202004362A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117783
申请日：2019-05-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山內剛 , YAMAUCHI, TAKASHI , 川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 榎本正志 , ENOMOTO, MASASHI
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/30
摘要：本發明所揭露之內容，對於可一併達成LWR的進一步改善與生產力的提高之基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體加以說明。本發明之基板處理方法，包含如下步驟：將對於EUV光具有感光性的光阻液供給至基板之表面，形成塗布膜；以不加熱的方式使塗布膜所包含之溶劑揮發，藉以形成半固化膜；對半固化膜照射EUV光，將半固化膜曝光；以及於半固化膜之曝光後，對基板供給顯影液。
简体摘要：本发明所揭露之内容，对于可一并达成LWR的进一步改善与生产力的提高之基板处理方法、基板处理设备及电脑可读取记录媒体加以说明。本发明之基板处理方法，包含如下步骤：将对于EUV光具有感光性的光阻液供给至基板之表面，形成涂布膜；以不加热的方式使涂布膜所包含之溶剂挥发，借以形成半固化膜；对半固化膜照射EUV光，将半固化膜曝光；以及于半固化膜之曝光后，对基板供给显影液。

2. 发明专利

TWI669759B 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體有权
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI669759B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW107109198
申请日：2018-03-19
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 水之浦宏 , MIZUNOURA, HIROSHI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67

3. 发明专利

TW201832305A 基板處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201832305A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106142318
申请日：2017-12-04
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐野要平 , SANO, YOHEI , 川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 榎本正志 , ENOMOTO, MASASHI , 鹽澤崇博 , SHIOZAWA, TAKAHIRO , 吉田圭佑 , YOSHIDA, KEISUKE , 鬼塚智也 , ONITSUKA, TOMOYA
IPC分类号： H01L21/67 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要：本發明之目的為：在使用了含金屬之材料的基板處理中，抑制熱處理中的金屬污染，同時適當地形成含金屬膜。為了達成上述目的，本發明之基板處理系統，具有對形成在基板上的含金屬膜進行熱處理的熱處理裝置。熱處理裝置，具有：處理室320，其收納晶圓W；熱處理板360，其設置在處理室320的內部，並載置晶圓W；噴淋頭330，其對處理室320的內部供給含水分之氣體；以及中央排氣部，其從處理室320的中央部將內部氣體排出。
简体摘要：本发明之目的为：在使用了含金属之材料的基板处理中，抑制热处理中的金属污染，同时适当地形成含金属膜。为了达成上述目的，本发明之基板处理系统，具有对形成在基板上的含金属膜进行热处理的热处理设备。热处理设备，具有：处理室320，其收纳晶圆W；热处理板360，其设置在处理室320的内部，并载置晶圆W；喷淋头330，其对处理室320的内部供给含水分之气体；以及中央排气部，其从处理室320的中央部将内部气体排出。

4. 发明专利

TW201824348A 塗布顯影方法及塗布顯影裝置审中-公开
简体标题：涂布显影方法及涂布显影设备
公开(公告)号：TW201824348A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106131511
申请日：2017-09-14
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 水之浦宏 , MIZUNOURA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16
摘要：本發明提供一種塗布顯影方法及塗布顯影裝置，在將形成於基板表面的包含金屬之光阻膜顯影時，即於基板塗布含有金屬之光阻劑而形成光阻膜，將曝光後的該光阻膜顯影時，抑制金屬對基板之周端面及背面側邊緣部的附著。施行如下步驟：於基板W的表面塗布含有金屬之光阻劑74而形成光阻膜71，將該光阻膜71曝光的步驟；對該基板之表面供給顯影液77而將該光阻膜71顯影的顯影步驟；以及在該顯影步驟前，於未形成該光阻膜的基板W之邊緣部，至少於周端面及背面側邊緣部，形成防止與該顯影液77的接觸之保護膜72的步驟。
简体摘要：本发明提供一种涂布显影方法及涂布显影设备，在将形成于基板表面的包含金属之光阻膜显影时，即于基板涂布含有金属之光阻剂而形成光阻膜，将曝光后的该光阻膜显影时，抑制金属对基板之周端面及背面侧边缘部的附着。施行如下步骤：于基板W的表面涂布含有金属之光阻剂74而形成光阻膜71，将该光阻膜71曝光的步骤；对该基板之表面供给显影液77而将该光阻膜71显影的显影步骤；以及在该显影步骤前，于未形成该光阻膜的基板W之边缘部，至少于周端面及背面侧边缘部，形成防止与该显影液77的接触之保护膜72的步骤。

5. 发明专利

TWI573177B 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統有权
简体标题：基板处理方法、进程、电脑记忆媒体及基板处理系统
公开(公告)号：TWI573177B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103130406
申请日：2014-09-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山內剛 , YAMAUCHI, TAKASHI , 川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 大河內厚 , OOKOUCHI, ATSUSHI , 一之宮博 , ICHINOMIYA, HIROSHI , 西畑広 , NISIHATA, HIROSI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/0002 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/67028 , H01L21/6715

6. 发明专利

TW201631659A 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統审中-公开
简体标题：基板处理方法、进程、电脑记忆媒体及基板处理系统
公开(公告)号：TW201631659A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104140174
申请日：2015-12-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：江崎智規 , ESAKI, TOMONORI , 川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 山內剛 , YAMAUCHI, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0271 , H01L21/31138 , H01L21/67178 , H01L21/67748
摘要：在使用了包含具有氧原子的第1聚合物與不具有氧原子的第2聚合物之嵌段共聚物的基板處理中，在選擇性地去除具有氧原子的第1聚合物時確保高選擇比，在基板上適當地形成預定圖案。具有：嵌段共聚物塗佈工程(工程S4)，在形成有預定圖案的晶圓上，塗佈包含具有氧原子之第1聚合物與不具有氧原子之第2聚合物的嵌段共聚物；聚合物分離工程(工程S5)，使嵌段共聚物相分離成第1聚合物與第2聚合物；及聚合物去除工程(工程S6)，在聚合物分離工程後，在低氧氣環境中加熱處理晶圓，從相分離的嵌段共聚物選擇性地去除第1聚合物。
简体摘要：在使用了包含具有氧原子的第1聚合物与不具有氧原子的第2聚合物之嵌段共聚物的基板处理中，在选择性地去除具有氧原子的第1聚合物时确保高选择比，在基板上适当地形成预定图案。具有：嵌段共聚物涂布工程(工程S4)，在形成有预定图案的晶圆上，涂布包含具有氧原子之第1聚合物与不具有氧原子之第2聚合物的嵌段共聚物；聚合物分离工程(工程S5)，使嵌段共聚物相分离成第1聚合物与第2聚合物；及聚合物去除工程(工程S6)，在聚合物分离工程后，在低氧气环境中加热处理晶圆，从相分离的嵌段共聚物选择性地去除第1聚合物。

7. 发明专利

TWI571920B 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統有权
简体标题：基板处理方法、进程、电脑记忆媒体及基板处理系统
公开(公告)号：TWI571920B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW103121719
申请日：2014-06-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：村松誠 , MURAMATSU, MAKOTO , 北野高広 , KITANO, TAKAHIRO , 冨田忠利 , TOMITA, TADATOSHI , 西孝典 , NISHI, TAKANORI , 川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 山內剛 , YAMAUCHI, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： G03F7/20 , B81C2201/0149 , C08L53/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02282 , H01L21/0274 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6708

8. 发明专利

TWI608304B 基板處理系統有权
简体标题：基板处理系统
公开(公告)号：TWI608304B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103145282
申请日：2014-12-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY
发明人：永原誠司 , NAGAHARA, SEIJI , 白石豪介 , SHIRAISHI, GOUSUKE , 志村悟 , SHIMURA, SATORU , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 友野勝 , TOMONO, MASARU , 田川精一 , TAGAWA, SEIICHI , 大島明博 , OSHIMA, AKIHIRO
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/677
CPC分类号： G03F7/2004 , G03F7/20 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L21/67196 , H01L21/67225

9. 发明专利

TW201526075A 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統审中-公开
简体标题：基板处理方法、进程、电脑记忆媒体及基板处理系统
公开(公告)号：TW201526075A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103130406
申请日：2014-09-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山內剛 , YAMAUCHI, TAKASHI , 川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 大河內厚 , OOKOUCHI, ATSUSHI , 一之宮博 , ICHINOMIYA, HIROSHI , 西畑広 , NISIHATA, HIROSI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/0002 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/67028 , H01L21/6715
摘要：在對相分離後之嵌段共聚物進行濕蝕刻而在基板上形成圖案時，以抑制殘留於晶圓上之液滴的方式，進行缺陷少的圖案形成。使用包含親水性聚合物與疏水性聚合物之嵌段共聚物來處理基板的方法，其特徵係，在中性層上形成光阻圖案，對光阻圖案形成後的晶圓塗佈嵌段共聚物。使嵌段共聚物相分離成親水性聚合物與疏水性聚合物，接下來，對相分離之嵌段共聚物照射紫外線。然後，從溶劑噴嘴(130)將極性有機溶劑供給至晶圓(W)，接下來，從第1氣體噴嘴(140)對晶圓(W)吐出乾燥氣體，而從晶圓(W)上排出極性有機溶劑。
简体摘要：在对相分离后之嵌段共聚物进行湿蚀刻而在基板上形成图案时，以抑制残留于晶圆上之液滴的方式，进行缺陷少的图案形成。使用包含亲水性聚合物与疏水性聚合物之嵌段共聚物来处理基板的方法，其特征系，在中性层上形成光阻图案，对光阻图案形成后的晶圆涂布嵌段共聚物。使嵌段共聚物相分离成亲水性聚合物与疏水性聚合物，接下来，对相分离之嵌段共聚物照射紫外线。然后，从溶剂喷嘴(130)将极性有机溶剂供给至晶圆(W)，接下来，从第1气体喷嘴(140)对晶圆(W)吐出干燥气体，而从晶圆(W)上排出极性有机溶剂。

10. 发明专利

TWI416279B 用來移除微影應用中之凝固物質的高當量濃度溶液有权
简体标题：用来移除微影应用中之凝固物质的高当量浓度溶液
公开(公告)号：TWI416279B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099132017
申请日：2010-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：旦恩雪諾 , DUNN, SHANNON , 川上真一路 , KAWAKAMI, SHINICHIRO , 海哲大衛 , HETZER, DAVID
IPC分类号： G03F7/26 , C11D7/32 , C11D7/06 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/0273

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