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1. 发明专利

TW202030779A 半導體裝置的製造方法及半導體晶圓加工用接著膜审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体晶圆加工用接着膜
公开(公告)号：TW202030779A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108140625
申请日：2019-11-08
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：佐藤慎 , SATOU, MAKOTO , 茶花幸一 , CHABANA, KOICHI , 谷口徹弥 , TANIGUCHI, TETSUYA , 林出明子 , HAYASHIDE, AKIKO
IPC分类号： H01L21/28 , B32B7/10
摘要：一種半導體裝置的製造方法，具有：準備於其中一個主面具有多個電極的半導體晶圓，並將半導體晶圓加工用接著膜貼附於該半導體晶圓的設置有電極之側而獲得積層體的步驟，所述半導體晶圓加工用接著膜包括包含基材及黏著劑層的背面研磨帶、以及形成於黏著劑層上的接著劑層；對半導體晶圓進行研削而使半導體晶圓的厚度變薄的步驟；對厚度變薄的半導體晶圓及接著劑層進行切割而單片化為帶接著劑層的半導體晶片的步驟；以及將帶接著劑層的半導體晶片的電極與其他半導體晶片或配線電路基板的電極電性連接的步驟，其中背面研磨帶的厚度為75 μm～300 μm，黏著劑層的厚度為接著劑層的厚度的3倍以上。
简体摘要：一种半导体设备的制造方法，具有：准备于其中一个主面具有多个电极的半导体晶圆，并将半导体晶圆加工用接着膜贴附于该半导体晶圆的设置有电极之侧而获得积层体的步骤，所述半导体晶圆加工用接着膜包括包含基材及黏着剂层的背面研磨带、以及形成于黏着剂层上的接着剂层；对半导体晶圆进行研削而使半导体晶圆的厚度变薄的步骤；对厚度变薄的半导体晶圆及接着剂层进行切割而单片化为带接着剂层的半导体芯片的步骤；以及将带接着剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电性连接的步骤，其中背面研磨带的厚度为75 μm～300 μm，黏着剂层的厚度为接着剂层的厚度的3倍以上。

2. 发明专利

TW201906956A 半導體用接著劑、半導體裝置的製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体用接着剂、半导体设备的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201906956A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107121179
申请日：2018-06-20
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：秋吉利泰 , AKIYOSHI, TOSHIYASU , 菅原丈博 , SUGAWARA, TAKEHIRO , 茶花幸一 , CHABANA, KOICHI , 佐藤慎 , SATOU, MAKOTO , 林出明子 , HAYASHIDE, AKIKO
IPC分类号： C09J7/00 , C09J175/04 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J139/04 , C09J135/00 , C09J11/06 , C09J11/04 , C09J11/08 , H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要：一種半導體用接著劑，其含有玻璃轉移溫度為35℃以下的熱塑性樹脂。
简体摘要：一种半导体用接着剂，其含有玻璃转移温度为35℃以下的热塑性树脂。

3. 发明专利

TW201806044A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201806044A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106112128
申请日：2017-04-12
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：本田一尊 , HONDA, KAZUTAKA , 茶花幸一 , CHABANA, KOICHI , 佐藤慎 , SATOU, MAKOTO , 永井朗 , NAGAI, AKIRA
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , C09J4/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J201/00
CPC分类号： C09J11/06 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/56 , H01L2224/73204 , H01L2224/81
摘要：本發明揭示一種包括具有連接部的半導體晶片及具有連接部的配線電路基板、且各自的連接部相互電性連接的半導體裝置、或者包括具有連接部的多個半導體晶片且各自的連接部相互電性連接的半導體裝置的製造方法。連接部包含金屬。所述方法包括：（a）第一步驟，以中間介隔有半導體用黏接劑的狀態，於低於連接部的金屬的熔點的溫度下，將半導體晶片及配線電路基板、或者半導體晶片彼此以各自的連接部相互接觸的方式壓接，獲得預連接體；（b）第二步驟，使用密封用樹脂將預連接體的至少一部分密封，獲得密封預連接體；以及（c）第三步驟，將密封預連接體於連接部的金屬的熔點以上的溫度下加熱，獲得密封連接體。
简体摘要：本发明揭示一种包括具有连接部的半导体芯片及具有连接部的配线电路基板、且各自的连接部相互电性连接的半导体设备、或者包括具有连接部的多个半导体芯片且各自的连接部相互电性连接的半导体设备的制造方法。连接部包含金属。所述方法包括：（a）第一步骤，以中间介隔有半导体用黏接剂的状态，于低于连接部的金属的熔点的温度下，将半导体芯片及配线电路基板、或者半导体芯片彼此以各自的连接部相互接触的方式压接，获得预连接体；（b）第二步骤，使用密封用树脂将预连接体的至少一部分密封，获得密封预连接体；以及（c）第三步骤，将密封预连接体于连接部的金属的熔点以上的温度下加热，获得密封连接体。

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