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1. 发明专利

TW202014500A CMP用研磨液及研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW202014500A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108148248
申请日：2015-07-09
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：坂下雅弘 , SAKASHITA, MASAHIRO , 渡辺直己 , WATANABE, NAOMI , 花野真之 , HANANO, MASAYUKI , 三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C23F11/04 , C23F11/14 , H01L21/304
摘要：本發明的實施形態是有關於一種CMP用研磨液，其用於研磨至少具有含有鈷的部分、及含有鈷以外的金屬的含有金屬的部分的被研磨面，且含有研磨粒子、金屬防蝕劑及/或有機酸類、及水，pH值為4.0以下，在所述CMP用研磨液中測定鈷的腐蝕電位EA與所述金屬的腐蝕電位EB時，腐蝕電位EA與腐蝕電位EB的腐蝕電位差EA-EB的絕對值為0 mV～300 mV。
简体摘要：本发明的实施形态是有关于一种CMP用研磨液，其用于研磨至少具有含有钴的部分、及含有钴以外的金属的含有金属的部分的被研磨面，且含有研磨粒子、金属防蚀剂及/或有机酸类、及水，pH值为4.0以下，在所述CMP用研磨液中测定钴的腐蚀电位EA与所述金属的腐蚀电位EB时，腐蚀电位EA与腐蚀电位EB的腐蚀电位差EA-EB的绝对值为0 mV～300 mV。

2. 发明专利

TW201834053A 研磨劑、研磨劑用儲存液及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨剂、研磨剂用存储液及研磨方法
公开(公告)号：TW201834053A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107108185
申请日：2018-03-12
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：花野真之 , HANANO, MASAYUKI , 三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI , 渡辺直己 , WATANABE, NAOMI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3205
摘要：一種研磨劑，其含有研磨粒與水，所述研磨粒包含二氧化矽粒子，所述研磨粒的平均粒徑Rave為50 nm以上，所述研磨粒的所述平均粒徑Rave相對於平均短徑Rmin的比例Rave/Rmin為1.0～2.0，所述研磨劑中的所述研磨粒的界面電位為正。
简体摘要：一种研磨剂，其含有研磨粒与水，所述研磨粒包含二氧化硅粒子，所述研磨粒的平均粒径Rave为50 nm以上，所述研磨粒的所述平均粒径Rave相对于平均短径Rmin的比例Rave/Rmin为1.0～2.0，所述研磨剂中的所述研磨粒的界面电位为正。

3. 发明专利

TWI600731B 研磨劑及基板的研磨方法有权
简体标题：研磨剂及基板的研磨方法
公开(公告)号：TWI600731B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW101125706
申请日：2012-07-18
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI , 飛田文子 , TOBITA, AYAKO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC分类号： C23F3/06

4. 发明专利

TW201631108A CMP用研磨液及研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW201631108A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104122239
申请日：2015-07-09
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：坂下雅弘 , SAKASHITA, MASAHIRO , 渡辺直己 , WATANABE, NAOMI , 花野真之 , HANANO, MASAYUKI , 三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C23F11/04 , C23F11/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K13/06 , H01L21/31053 , H01L21/31058 , H01L21/7684 , H01L21/76865 , H01L23/53238
摘要：本發明的實施形態是有關於一種CMP用研磨液，其用於研磨至少具有含有鈷的部分、及含有鈷以外的金屬的含有金屬的部分的被研磨面，且含有研磨粒子、金屬防蝕劑、及水，pH值為4.0以下，在所述CMP用研磨液中測定鈷的腐蝕電位EA 與所述金屬的腐蝕電位EB 時，腐蝕電位EA 與腐蝕電位EB 的腐蝕電位差EA -EB 的絕對值為0 mV～300 mV。
简体摘要：本发明的实施形态是有关于一种CMP用研磨液，其用于研磨至少具有含有钴的部分、及含有钴以外的金属的含有金属的部分的被研磨面，且含有研磨粒子、金属防蚀剂、及水，pH值为4.0以下，在所述CMP用研磨液中测定钴的腐蚀电位EA 与所述金属的腐蚀电位EB 时，腐蚀电位EA 与腐蚀电位EB 的腐蚀电位差EA -EB 的绝对值为0 mV～300 mV。

5. 发明专利

TW201343886A 研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW201343886A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102109013
申请日：2013-03-14
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI , 深澤正人 , FUKASAWA, MASATO , 西山雅也 , NISHIYAMA, MASAYA
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： H01L21/30625 , B81C1/00 , C09G1/00 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , C09K13/06 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76898
摘要：本發明關於一種研磨方法，其具有下述步驟：準備基板之步驟，該基板，具有(1)作為阻止層之氮化矽、於比該阻止層靠被研磨面側之位置，具有(2)至少一部分的線路金屬和(3)至少一部分的絕緣材料；研磨步驟，其供給CMP研磨液，而將位於被研磨面側的(2)線路金屬和(3)絕緣材料加以研磨；及停止研磨之步驟，其於(1)氮化矽曝露出後且被完全去除之前停止研磨；其中，前述CMP研磨液的pH值是5.0以下，且含有以下成分而組成：(A)共聚物，該共聚物是由(a)陰離子性且不含疏水性取代基之單體與(b)含疏水性取代基之單體所構成；(B)磨粒；(C)酸；(D)氧化劑、及(E)液狀介質；並且，(B)成分具有在CMP研磨液中為+10mV以上的ξ電位；(A)成分之共聚比(a)：(b)，以莫耳比計算，為25：75~75：25。藉此，能夠以高研磨速度去除金屬與層間絕緣膜，並能以高選擇比來研磨層間絕緣膜與阻止層，而製造尺寸精確度高的半導體裝置。
简体摘要：本发明关于一种研磨方法，其具有下述步骤：准备基板之步骤，该基板，具有(1)作为阻止层之氮化硅、于比该阻止层靠被研磨面侧之位置，具有(2)至少一部分的线路金属和(3)至少一部分的绝缘材料；研磨步骤，其供给CMP研磨液，而将位于被研磨面侧的(2)线路金属和(3)绝缘材料加以研磨；及停止研磨之步骤，其于(1)氮化硅曝露出后且被完全去除之前停止研磨；其中，前述CMP研磨液的pH值是5.0以下，且含有以下成分而组成：(A)共聚物，该共聚物是由(a)阴离子性且不含疏水性取代基之单体与(b)含疏水性取代基之单体所构成；(B)磨粒；(C)酸；(D)氧化剂、及(E)液状介质；并且，(B)成分具有在CMP研磨液中为+10mV以上的ξ电位；(A)成分之共聚比(a)：(b)，以莫耳比计算，为25：75~75：25。借此，能够以高研磨速度去除金属与层间绝缘膜，并能以高选择比来研磨层间绝缘膜与阻止层，而制造尺寸精确度高的半导体设备。

6. 发明专利

TW201510196A ＣＭＰ用硏磨液及使用此硏磨液之硏磨方法（二）审中-公开
简体标题：ＣＭＰ用研磨液及使用此研磨液之研磨方法（二）
公开(公告)号：TW201510196A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103115010
申请日：2014-04-25
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：坂下雅弘 , SAKASHITA, MASAHIRO , 花野真之 , HANANO, MASAYUKI , 三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/044 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：本發明是一種CMP用研磨液，用來研磨釕系金屬，且該CMP用研磨液含有研磨粒子、酸成分、氧化劑、三唑系化合物、四級鏻鹽、及水，其中，前述酸成分包含選自由無機酸、單羧酸、具有複數個羧基且不具有羥基之羧酸、及此等酸的鹽組成之群組中的至少一種，前述研磨粒子在前述CMP用研磨液中具有負的ζ電位，前述CMP用研磨液的pH值為3.0以上且未達7.0。
简体摘要：本发明是一种CMP用研磨液，用来研磨钌系金属，且该CMP用研磨液含有研磨粒子、酸成分、氧化剂、三唑系化合物、四级鏻盐、及水，其中，前述酸成分包含选自由无机酸、单羧酸、具有复数个羧基且不具有羟基之羧酸、及此等酸的盐组成之群组中的至少一种，前述研磨粒子在前述CMP用研磨液中具有负的ζ电位，前述CMP用研磨液的pH值为3.0以上且未达7.0。

7. 发明专利

TW201412907A CMP用研磨液、儲存液及研磨方法审中-公开
简体标题： CMP用研磨液、存储液及研磨方法
公开(公告)号：TW201412907A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102124227
申请日：2013-07-05
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：嶌田友和 , SHIMADA, TOMOKAZU , 三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI , 田中孝明 , TANAKA, TAKAAKI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：本發明關於一種CMP用研磨液，其含有二氧化矽粒子、具有至少一個鍵結於磷原子上的芳香環之四級鏻鹽、及水，二氧化矽粒子的矽烷醇基密度為1.0~2.0個/nm2，縱橫比為1.3以上，且於CMP用研磨液中的界達電位為＋10 mV以上，二氧化矽粒子的含量相對於四級鏻鹽的含量之比為750以上。
简体摘要：本发明关于一种CMP用研磨液，其含有二氧化硅粒子、具有至少一个键结于磷原子上的芳香环之四级鏻盐、及水，二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为1.0~2.0个/nm2，纵横比为1.3以上，且于CMP用研磨液中的界达电位为＋10 mV以上，二氧化硅粒子的含量相对于四级鏻盐的含量之比为750以上。

8. 发明专利

TW201311841A 研磨劑及基板的研磨方法审中-公开
简体标题：研磨剂及基板的研磨方法
公开(公告)号：TW201311841A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101125706
申请日：2012-07-18
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI , 飛田文子 , TOBITA, AYAKO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC分类号： C23F3/06
摘要：本發明提供一種研磨劑，其是用於對含有鈷元素的層進行研磨，包含羧酸衍生物、金屬防蝕劑及水，且pH值為4.0以下，上述羧酸衍生物包含選自由鄰苯二甲酸化合物、間苯二甲酸化合物及下述通式(I)所表示的烷基二羧酸化合物以及這些的鹽及酸酐所組成的組群中的至少一種。通式(I)中，R表示碳數4~10的伸烷基。HOOC-R-COOH…(I)
简体摘要：本发明提供一种研磨剂，其是用于对含有钴元素的层进行研磨，包含羧酸衍生物、金属防蚀剂及水，且pH值为4.0以下，上述羧酸衍生物包含选自由邻苯二甲酸化合物、间苯二甲酸化合物及下述通式(I)所表示的烷基二羧酸化合物以及这些的盐及酸酐所组成的组群中的至少一种。通式(I)中，R表示碳数4~10的伸烷基。HOOC-R-COOH…(I)

9. 发明专利

TW201607999A 金屬膜用硏磨液及使用其的硏磨方法审中-公开
简体标题：金属膜用研磨液及使用其的研磨方法
公开(公告)号：TW201607999A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104116511
申请日：2015-05-22
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：花野真之 , HANANO, MASAYUKI , 三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI , 深沢正人 , FUKASAWA, MASATO , 桜井治彰 , SAKURAI, HARUAKI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種金屬膜用研磨液，其含有重量平均分子量為20,000以上的甲基丙烯酸系聚合物、研磨粒子及水系溶媒。
简体摘要：本发明提供一种金属膜用研磨液，其含有重量平均分子量为20,000以上的甲基丙烯酸系聚合物、研磨粒子及水系溶媒。

10. 发明专利

TW201531540A 硏磨液的製造方法及硏磨方法审中-公开
简体标题：研磨液的制造方法及研磨方法
公开(公告)号：TW201531540A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104101539
申请日：2015-01-16
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：花野真之 , HANANO, MASAYUKI , 坂下雅弘 , SAKASHITA, MASAHIRO , 深澤正人 , FUKASAWA, MASATO , 三嶋公二 , MISHIMA, KOUJI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/302
CPC分类号： B24B37/00 , B24B37/044 , C08F20/06 , C09D5/10 , C09D7/61 , C09G1/00 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：本發明是關於一種研磨液的製造方法，其具備：使聚合起始劑溶解於不含無機酸之水系溶劑中而獲得溶液的步驟；在溶液中，使至少包含甲基丙烯酸之單體成分聚合而獲得甲烯丙烯酸系聚合物的步驟；及，混合甲基丙烯酸系聚合物、特定的羧酸化合物、研磨粒子和金屬防蝕劑而獲得研磨液的步驟；並且，研磨液的pH值為4以下。
简体摘要：本发明是关于一种研磨液的制造方法，其具备：使聚合起始剂溶解于不含无机酸之水系溶剂中而获得溶液的步骤；在溶液中，使至少包含甲基丙烯酸之单体成分聚合而获得甲烯丙烯酸系聚合物的步骤；及，混合甲基丙烯酸系聚合物、特定的羧酸化合物、研磨粒子和金属防蚀剂而获得研磨液的步骤；并且，研磨液的pH值为4以下。

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