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    • 5. 发明专利
    • 研磨方法
    • TW201343886A
    • 2013-11-01
    • TW102109013
    • 2013-03-14
    • 日立化成股份有限公司HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
    • 三嶋公二MISHIMA, KOUJI深澤正人FUKASAWA, MASATO西山雅也NISHIYAMA, MASAYA
    • C09K3/14H01L21/304B24B37/00
    • H01L21/30625B81C1/00C09G1/00C09G1/02C09G1/04C09G1/06C09K3/1409C09K3/1436C09K3/1463C09K3/1472C09K13/06H01L21/31053H01L21/3212H01L21/7684H01L21/76898
    • 本發明關於一種研磨方法,其具有下述步驟:準備基板之步驟,該基板,具有(1)作為阻止層之氮化矽、於比該阻止層靠被研磨面側之位置,具有(2)至少一部分的線路金屬和(3)至少一部分的絕緣材料;研磨步驟,其供給CMP研磨液,而將位於被研磨面側的(2)線路金屬和(3)絕緣材料加以研磨;及停止研磨之步驟,其於(1)氮化矽曝露出後且被完全去除之前停止研磨;其中,前述CMP研磨液的pH值是5.0以下,且含有以下成分而組成:(A)共聚物,該共聚物是由(a)陰離子性且不含疏水性取代基之單體與(b)含疏水性取代基之單體所構成;(B)磨粒;(C)酸;(D)氧化劑、及(E)液狀介質;並且,(B)成分具有在CMP研磨液中為+10mV以上的ξ電位;(A)成分之共聚比(a):(b),以莫耳比計算,為25:75~75:25。藉此,能夠以高研磨速度去除金屬與層間絕緣膜,並能以高選擇比來研磨層間絕緣膜與阻止層,而製造尺寸精確度高的半導體裝置。
    • 本发明关于一种研磨方法,其具有下述步骤:准备基板之步骤,该基板,具有(1)作为阻止层之氮化硅、于比该阻止层靠被研磨面侧之位置,具有(2)至少一部分的线路金属和(3)至少一部分的绝缘材料;研磨步骤,其供给CMP研磨液,而将位于被研磨面侧的(2)线路金属和(3)绝缘材料加以研磨;及停止研磨之步骤,其于(1)氮化硅曝露出后且被完全去除之前停止研磨;其中,前述CMP研磨液的pH值是5.0以下,且含有以下成分而组成:(A)共聚物,该共聚物是由(a)阴离子性且不含疏水性取代基之单体与(b)含疏水性取代基之单体所构成;(B)磨粒;(C)酸;(D)氧化剂、及(E)液状介质;并且,(B)成分具有在CMP研磨液中为+10mV以上的ξ电位;(A)成分之共聚比(a):(b),以莫耳比计算,为25:75~75:25。借此,能够以高研磨速度去除金属与层间绝缘膜,并能以高选择比来研磨层间绝缘膜与阻止层,而制造尺寸精确度高的半导体设备。