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1. 发明专利

TW201906898A 含有鹼性顯影液可溶性矽之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有碱性显影液可溶性硅之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201906898A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107123471
申请日：2018-07-06
申请人：日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO
IPC分类号： C08G77/14 , C08G77/26 , C08G77/28 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/027
摘要： [課題] 　　提供一種阻劑下層膜，其可以光阻曝光後的顯影所使用的鹼性顯影液，與光阻的顯影同時使其下層存在之阻劑下層膜亦按照阻劑圖型同時除去。　　[解決手段] 　　於上層阻劑的顯影時與該上層阻劑共同按照阻劑圖型被鹼性顯影液溶解除去之含有矽的阻劑下層膜，含有成分(a)與要素(b)，該成分(a)為含有水解性矽烷、該水解物、該水解縮合物、或該等之組合之矽烷化合物，該要素(b)為對於鹼性顯影液之溶解誘發要素的微影術用阻劑下層膜形成組成物。對於鹼性顯影液之溶解誘發要素(b)，為含有於上述成分(a)的化合物的構造。對於鹼性顯影液之溶解誘發要素(b)為光產酸劑。
简体摘要： [课题] 　　提供一种阻剂下层膜，其可以光阻曝光后的显影所使用的碱性显影液，与光阻的显影同时使其下层存在之阻剂下层膜亦按照阻剂图型同时除去。　　[解决手段] 　　于上层阻剂的显影时与该上层阻剂共同按照阻剂图型被碱性显影液溶解除去之含有硅的阻剂下层膜，含有成分(a)与要素(b)，该成分(a)为含有水解性硅烷、该水解物、该水解缩合物、或该等之组合之硅烷化合物，该要素(b)为对于碱性显影液之溶解诱发要素的微影术用阻剂下层膜形成组成物。对于碱性显影液之溶解诱发要素(b)，为含有于上述成分(a)的化合物的构造。对于碱性显影液之溶解诱发要素(b)为光产酸剂。

2. 发明专利

TW202004348A 半導體基板用底漆及圖型形成方法审中-公开
简体标题：半导体基板用底漆及图型形成方法
公开(公告)号：TW202004348A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108112437
申请日：2019-04-10
申请人：日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , B32B17/10 , H01L21/027 , H01L21/308
摘要：提供一種與阻劑膜之密著性高，能以薄膜形成良好阻劑圖型之新穎阻劑圖型用表面改質劑即半導體基板用底漆、於基板上依表面改質劑與阻劑圖型之順序層合而成之層合基板、圖型形成方法及半導體裝置之製造方法。一種阻劑圖型用表面改質劑，其係在基板上形成0.10μm以下之阻劑圖型前塗布於基板而使基板與阻劑圖型之密著增強之阻劑圖型用表面改質劑，其特徵包含：下述平均組成式(1)所示之化合物、其水解物或水解縮合物之至少1種。 (式中，R1為-(CH2)nY基，Y為環己烯基等，n為0~4之整數，R2為C1~4之一價烴基，X為氫原子或C1~4之一價烴基，a為1~2，b為0~1，c為0~2之數，a+b+c≦4)。
简体摘要：提供一种与阻剂膜之密着性高，能以薄膜形成良好阻剂图型之新颖阻剂图型用表面改质剂即半导体基板用底漆、于基板上依表面改质剂与阻剂图型之顺序层合而成之层合基板、图型形成方法及半导体设备之制造方法。一种阻剂图型用表面改质剂，其系在基板上形成0.10μm以下之阻剂图型前涂布于基板而使基板与阻剂图型之密着增强之阻剂图型用表面改质剂，其特征包含：下述平均组成式(1)所示之化合物、其水解物或水解缩合物之至少1种。 (式中，R1为-(CH2)nY基，Y为环己烯基等，n为0~4之整数，R2为C1~4之一价烃基，X为氢原子或C1~4之一价烃基，a为1~2，b为0~1，c为0~2之数，a+b+c≦4)。

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