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    • 9. 发明专利
    • 摻雜劑源
    • 掺杂剂源
    • TW201329012A
    • 2013-07-16
    • TW102110206
    • 2008-11-04
    • 日本電氣硝子股份有限公司NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD.
    • 馬屋原芳夫UMAYAHARA, YOSHIO鈴木良太SUZUKI, RYOTA西川欣克NISHIKAWA, YOSHIKATSU池邊勝IKEBE, MASARU森弘樹MORI, HIROKI長谷川義德HASEGAWA, YOSHINORI
    • C03C3/064C03C3/091C03C10/00C04B35/00H01L21/22
    • C03B19/06C03C3/064C03C3/091C03C10/0054C03C12/00Y02P40/57
    • 本發明之目的係提供一種耐熱性高且B2O3之揮發量多的摻雜劑源(dopant host),以及材質均勻、所揮發之硼的量於每次使用皆安定而且廉價的半導體用硼摻雜材料。本發明之摻雜劑源係含有SiO2 20至50莫耳%、Al2O3 30至60莫耳%(惟不包含30莫耳%)、B2O3 10至40莫耳%、RO(R為鹼土族金屬)2至10莫耳%之組成,或是由積層體所形成,該積層體包括:含有SiO2 30至60莫耳%、Al2O3 10至30莫耳%、B2O3 15至50莫耳%、RO(R為鹼土族金屬)2至10莫耳%之組成之硼成分揮發層;及含有SiO2 8至30莫耳%、Al2O3 50至85莫耳%、B2O3 5至20莫耳%、RO(R為鹼土族金屬)0.5至7莫耳%之組成之耐熱層。本發明之半導體用硼摻雜材料之製造方法係包括:將包含含有硼之結晶性玻璃粉末之原料粉末漿液化之步驟、將製得之漿液實施成型後製得片狀坯件之步驟、及將片狀坯件燒結之步驟。
    • 本发明之目的系提供一种耐热性高且B2O3之挥发量多的掺杂剂源(dopant host),以及材质均匀、所挥发之硼的量于每次使用皆安定而且廉价的半导体用硼掺杂材料。本发明之掺杂剂源系含有SiO2 20至50莫耳%、Al2O3 30至60莫耳%(惟不包含30莫耳%)、B2O3 10至40莫耳%、RO(R为碱土族金属)2至10莫耳%之组成,或是由积层体所形成,该积层体包括:含有SiO2 30至60莫耳%、Al2O3 10至30莫耳%、B2O3 15至50莫耳%、RO(R为碱土族金属)2至10莫耳%之组成之硼成分挥发层;及含有SiO2 8至30莫耳%、Al2O3 50至85莫耳%、B2O3 5至20莫耳%、RO(R为碱土族金属)0.5至7莫耳%之组成之耐热层。本发明之半导体用硼掺杂材料之制造方法系包括:将包含含有硼之结晶性玻璃粉末之原料粉末浆液化之步骤、将制得之浆液实施成型后制得片状坯件之步骤、及将片状坯件烧结之步骤。