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    • 5. 发明专利
    • 複合膜及有機電致發光裝置
    • 复合膜及有机电致发光设备
    • TW201832937A
    • 2018-09-16
    • TW106137699
    • 2017-11-01
    • 日商富士軟片股份有限公司FUJIFILM CORPORATION
    • 元村勇也MOTOMURA, YUYA山﨑健太YAMAZAKI, KENTA森嶌慎一MORISHIMA, SHINICHI
    • B32B27/32H01L51/50G02B5/30G02B1/04
    • 本發明提供一種具有光學功能性及高阻隔性並且具有優異之可撓性之複合膜、以及具有可撓性並且耐久性高之有機電致發光裝置。有機電致發光裝置包含上述複合膜,該複合膜包含至少一層相位差層、基材及無機層,上述相位差層係使包含液晶化合物之組成物硬化而成之層,上述無機層包含氮化矽,上述基材與上述複合膜的表面之間的距離為60μm以下,上述基材以外的各層的以Gpa為單位之彈性模數E、以μm為單位之厚度t及上述基材表面至層中心為止的以μm為單位之距離l的乘積E×t×l滿足下述式1,且上述基材以外的各層的E×t×l的合計SUM(E×t×l)滿足下述式2;0.8≤E×t×l(式1)、SUM(E×t×l)≤1500(式2)。
    • 本发明提供一种具有光学功能性及高阻隔性并且具有优异之可挠性之复合膜、以及具有可挠性并且耐久性高之有机电致发光设备。有机电致发光设备包含上述复合膜,该复合膜包含至少一层相位差层、基材及无机层,上述相位差层系使包含液晶化合物之组成物硬化而成之层,上述无机层包含氮化硅,上述基材与上述复合膜的表面之间的距离为60μm以下,上述基材以外的各层的以Gpa为单位之弹性模数E、以μm为单位之厚度t及上述基材表面至层中心为止的以μm为单位之距离l的乘积E×t×l满足下述式1,且上述基材以外的各层的E×t×l的合计SUM(E×t×l)满足下述式2;0.8≤E×t×l(式1)、SUM(E×t×l)≤1500(式2)。
    • 9. 发明专利
    • 薄膜電晶體基板的製造方法、有機電致發光顯示裝置及其製法、液晶顯示裝置及其製法
    • 薄膜晶体管基板的制造方法、有机电致发光显示设备及其制法、液晶显示设备及其制法
    • TW201706690A
    • 2017-02-16
    • TW105104386
    • 2016-02-16
    • 富士軟片股份有限公司FUJIFILM CORPORATION
    • 霜山達也SHIMOYAMA, TATSUYA山﨑健太YAMAZAKI, KENTA
    • G02F1/1368G03F7/34G03F7/42H01L21/311H01L27/32H01L29/786H01L51/56
    • 本發明的目的在於提供一種即使在以剝離液組成物進行處理之後硬化膜(有機膜)的體積電阻率依舊高的薄膜電晶體基板的製造方法、以及使用這種薄膜電晶體基板的製造方法的有機電致發光顯示裝置及液晶顯示裝置的製造方法、以及有機電致發光顯示裝置及液晶顯示裝置。本發明的薄膜電晶體基板的製造方法依序包括至少步驟1~步驟6:步驟1:使用特定的硬化性組成物在薄膜電晶體基板上的至少一部分形成有機膜的步驟;步驟2:在有機膜上的至少一部分形成無機膜的步驟;步驟3:在無機膜上形成抗蝕劑層的步驟;步驟4:對抗蝕劑層進行曝光且顯影的步驟;步驟5:經由經顯影的抗蝕劑層對無機膜進行蝕刻的步驟;步驟6:使用特定的剝離液組成物將抗蝕劑層剝離除去的步驟。
    • 本发明的目的在于提供一种即使在以剥离液组成物进行处理之后硬化膜(有机膜)的体积电阻率依旧高的薄膜晶体管基板的制造方法、以及使用这种薄膜晶体管基板的制造方法的有机电致发光显示设备及液晶显示设备的制造方法、以及有机电致发光显示设备及液晶显示设备。本发明的薄膜晶体管基板的制造方法依序包括至少步骤1~步骤6:步骤1:使用特定的硬化性组成物在薄膜晶体管基板上的至少一部分形成有机膜的步骤;步骤2:在有机膜上的至少一部分形成无机膜的步骤;步骤3:在无机膜上形成抗蚀剂层的步骤;步骤4:对抗蚀剂层进行曝光且显影的步骤;步骤5:经由经显影的抗蚀剂层对无机膜进行蚀刻的步骤;步骤6:使用特定的剥离液组成物将抗蚀剂层剥离除去的步骤。