专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI684505B 複合基板之刻劃方法及刻劃裝置有权
简体标题：复合基板之刻划方法及刻划设备
公开(公告)号：TWI684505B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104133294
申请日：2015-10-08
申请人：日商三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO , 木山直哉 , KIYAMA, NAOYA , 秀島護 , HIDESHIMA, MAMORU , 田村健太 , TAMURA, KENTA
IPC分类号： B28D1/24 , B28D5/02 , C03B33/10

2. 发明专利

TW201600435A 脆性材料基板之搬送方法及搬送裝置审中-公开
简体标题：脆性材料基板之搬送方法及搬送设备
公开(公告)号：TW201600435A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104111826
申请日：2015-04-13
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 田村健太 , TAMURA, KENTA , 音田健司 , OTODA, KENJI , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO , 秀島護 , HIDESHIMA, MAMORU
IPC分类号： B65G49/06 , B65G49/08
摘要：本發明之課題在於在積層並保持基板之情形時，可自基板保持部吸附並搬送僅一片基板。於保持有基板(20)之基板保持部(15)之側方，對應並鄰接於基板之上升位置而配置噴嘴(23)。藉由於搬送基板時自噴嘴(23)吹送壓縮之空氣流，即便於重疊地搬送基板之情形時，亦可使下方之基板下落，而吸附並搬送僅上部之一片基板。
简体摘要：本发明之课题在于在积层并保持基板之情形时，可自基板保持部吸附并搬送仅一片基板。于保持有基板(20)之基板保持部(15)之侧方，对应并邻接于基板之上升位置而配置喷嘴(23)。借由于搬送基板时自喷嘴(23)吹送压缩之空气流，即便于重叠地搬送基板之情形时，亦可使下方之基板下落，而吸附并搬送仅上部之一片基板。

3. 发明专利

TWI596065B 分斷裝置有权
简体标题：分断设备
公开(公告)号：TWI596065B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW103121419
申请日：2014-06-20
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：岩坪佑磨 , IWATSUBO, YUMA , 村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO , 富本博之 , TOMIMOTO, HIROYUKI
IPC分类号： C03B33/09 , B26D7/10

4. 发明专利

TWI620632B 脆性材料基板之分斷工具有权
简体标题：脆性材料基板之分断工具
公开(公告)号：TWI620632B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103103666
申请日：2014-01-29
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO , 村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 音田健司 , OTODA, KENJI
IPC分类号： B28D1/32 , B28D7/04

5. 发明专利

TWI615365B 裂斷裝置有权
简体标题：裂断设备
公开(公告)号：TWI615365B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103121420
申请日：2014-06-20
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：岩坪佑磨 , IWATSUBO, YUMA , 村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO , 富本博之 , TOMIMOTO, HIROYUKI
IPC分类号： C03B33/10 , B28D1/26

6. 发明专利

TWI593001B 脆性材料基板之分斷方法與分斷裝置有权
简体标题：脆性材料基板之分断方法与分断设备
公开(公告)号：TWI593001B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102120285
申请日：2013-06-07
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO , 田村健太 , TAMURA, KENTA
IPC分类号： H01L21/301

7. 发明专利

TW201642488A 薄膜太陽電池之加工裝置及薄膜太陽電池之加工方法审中-公开
简体标题：薄膜太阳电池之加工设备及薄膜太阳电池之加工方法
公开(公告)号：TW201642488A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105112978
申请日：2016-04-26
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：山田充 , YAMADA, MITSURU , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO , 中谷郁祥 , NAKATANI, IKUYOSHI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係提供一種有助於縮短形成劃線所需之時間之薄膜太陽電池之加工裝置、及薄膜太陽電池之加工方法。本發明之薄膜太陽電池之加工裝置包括：載台，其係供載置形成有中間層23之基板10；刀具，其係於中間層23形成劃線30；頭，其係將刀具按壓至中間層23；掃描機構，其係藉由使頭相對於載台相對移動而使刀具進行掃描；及控制裝置，其係控制頭及掃描機構之動作。控制裝置係藉由按壓刀具而形成劃線30之加工開始點30X，且於形成加工開始點30X後，一邊維持按壓刀具之狀態一邊使刀具進行掃描，藉此於中間層23形成劃線30，且使形成加工開始點30X時按壓刀具之力即按壓力，強於形成劃線30時之按壓力。
简体摘要：本发明系提供一种有助于缩短形成划线所需之时间之薄膜太阳电池之加工设备、及薄膜太阳电池之加工方法。本发明之薄膜太阳电池之加工设备包括：载台，其系供载置形成有中间层23之基板10；刀具，其系于中间层23形成划线30；头，其系将刀具按压至中间层23；扫描机构，其系借由使头相对于载台相对移动而使刀具进行扫描；及控制设备，其系控制头及扫描机构之动作。控制设备系借由按压刀具而形成划线30之加工开始点30X，且于形成加工开始点30X后，一边维持按压刀具之状态一边使刀具进行扫描，借此于中间层23形成划线30，且使形成加工开始点30X时按压刀具之力即按压力，强于形成划线30时之按压力。

8. 发明专利

TW201437162A 刻劃方法及刻劃裝置审中-公开
简体标题：刻划方法及刻划设备
公开(公告)号：TW201437162A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102143954
申请日：2013-12-02
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO
IPC分类号： C03B33/037
摘要：本發明係在對SiC晶圓進行刻劃時根據製造時之偏角而防止水平裂痕之產生。其解決手段為：在對具有偏角之SiC基板、以與定向面垂直地進行刻劃時，在相對於SiC基板之結晶軸垂直之方向進行刻劃時，使用相對於刀前端稜線左右之刀前端角度不同、且從結晶軸觀察使處於較高位置之刀前端角度較大、另一方較小之刻劃輪21進行刻劃。藉此能夠使水平裂痕之產生變少。
简体摘要：本发明系在对SiC晶圆进行刻划时根据制造时之偏角而防止水平裂痕之产生。其解决手段为：在对具有偏角之SiC基板、以与定向面垂直地进行刻划时，在相对于SiC基板之结晶轴垂直之方向进行刻划时，使用相对于刀前端棱线左右之刀前端角度不同、且从结晶轴观察使处于较高位置之刀前端角度较大、另一方较小之刻划轮21进行刻划。借此能够使水平裂痕之产生变少。

9. 发明专利

TWI589538B 刻劃方法及刻劃裝置有权
简体标题：刻划方法及刻划设备
公开(公告)号：TWI589538B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102143954
申请日：2013-12-02
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO
IPC分类号： C03B33/037

10. 发明专利

TW201622933A 複合基板之刻劃方法及刻劃裝置审中-公开
简体标题：复合基板之刻划方法及刻划设备
公开(公告)号：TW201622933A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104133294
申请日：2015-10-08
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：武田真和 , TAKEDA, MASAKAZU , 村上健二 , MURAKAMI, KENJI , 木下知子 , KINOSHITA, TOMOKO , 木山直哉 , KIYAMA, NAOYA , 秀島護 , HIDESHIMA, MAMORU , 田村健太 , TAMURA, KENTA
IPC分类号： B28D1/24 , B28D5/02 , C03B33/10
摘要：本發明係對在玻璃基板積層有樹脂層及保護層之複合基板進行刻劃。沿著於複合基板10之刻劃預定線SL之兩側隔開固定間隔之2條線進行刻劃而形成溝槽21a、21b。其次，將其間之樹脂層與保護層剝離，形成溝槽23而使玻璃基板11之面露出。藉由對所露出之玻璃面沿著刻劃預定線進行刻劃而將複合基板分斷。
简体摘要：本发明系对在玻璃基板积层有树脂层及保护层之复合基板进行刻划。沿着于复合基板10之刻划预定线SL之两侧隔开固定间隔之2条线进行刻划而形成沟槽21a、21b。其次，将其间之树脂层与保护层剥离，形成沟槽23而使玻璃基板11之面露出。借由对所露出之玻璃面沿着刻划预定线进行刻划而将复合基板分断。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式