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1. 发明专利

TWI321879B 卡片托座失效
公开(公告)号：TWI321879B
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：TW095124756
申请日：2006-07-07
申请人：新力股份有限公司 , 瑞薩科技股份有限公司
发明人：青木禎孝 , 筒井敬一 , 西澤裕孝 , 戶塚隆
IPC分类号： H01R , G06K
CPC分类号： G06K19/077 , G06K19/07739 , Y10S439/945
摘要：本發明提供一種卡片托座，其可藉由安裝記憶卡而安裝於與該記憶卡規格不同之其他記憶卡用之卡片槽中使用。本發明之卡片托座300具有主體50與安裝用凹部52。安裝用凹部52形成於主體50之厚度方向一方之面上可安裝第2記憶卡200之保持體30。安裝用凹部52中安裝有第2記憶卡200，藉此構成記憶卡安裝體400。若使前後左右之邊一致且使第1記憶卡100與記憶卡安裝體400重合俯視，則第1記憶卡100之接片2'至接片9'與第2記憶卡200之接片42至接片49構成為於前後方向上具有重複之部分，且於左右方向上具有重複之部分。
简体摘要：本发明提供一种卡片托座，其可借由安装记忆卡而安装于与该记忆卡规格不同之其他记忆卡用之卡片槽中使用。本发明之卡片托座300具有主体50与安装用凹部52。安装用凹部52形成于主体50之厚度方向一方之面上可安装第2记忆卡200之保持体30。安装用凹部52中安装有第2记忆卡200，借此构成记忆卡安装体400。若使前后左右之边一致且使第1记忆卡100与记忆卡安装体400重合俯视，则第1记忆卡100之接片2'至接片9'与第2记忆卡200之接片42至接片49构成为于前后方向上具有重复之部分，且于左右方向上具有重复之部分。

2. 发明专利

TW201120637A 儲存單元及記憶體系統 STORAGE UNIT AND MEMORY SYSTEM 审中-公开
简体标题：存储单元及内存系统 STORAGE UNIT AND MEMORY SYSTEM
公开(公告)号：TW201120637A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099132459
申请日：2010-09-24
申请人：新力股份有限公司
发明人：中西健一 , 筒井敬一 , 越山潤一
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F13/385 , G06F12/0893 , G06F2213/3854
摘要：本發明揭示一種儲存單元，其包含：一隨機存取記憶體裝置及一儲存裝置，分別使用以字及區段為單位之一位址存取該隨機存取記憶體裝置及該儲存裝置；及一儲存控制器，其根據經由一匯流排指定之該等位址控制對該隨機存取記憶體裝置及該儲存裝置之存取。該儲存控制器包含：第一介面功能及第二介面功能，其等存取儲存於該儲存裝置及該隨機存取記憶體上的分別使用經由該匯流排提供之該區段位址及該字位址指定的資料；使用該隨機存取記憶體裝置作為一第一磁碟快取區及回應於藉由該第一介面功能之該存取而判定待儲存於該隨機存取記憶體裝置中之資料的一功能；及藉由重複暫存器存取及經由該匯流排藉由一匯流排主控器功能以連續字大小資料之方式傳送使用該區段位址指定之該資料的功能。
简体摘要：本发明揭示一种存储单元，其包含：一随机存取内存设备及一存储设备，分别使用以字及区段为单位之一位址存取该随机存取内存设备及该存储设备；及一存储控制器，其根据经由一总线指定之该等位址控制对该随机存取内存设备及该存储设备之存取。该存储控制器包含：第一界面功能及第二界面功能，其等存取存储于该存储设备及该随机存取内存上的分别使用经由该总线提供之该区段位址及该字位址指定的数据；使用该随机存取内存设备作为一第一磁盘缓存区及回应于借由该第一界面功能之该存取而判定待存储于该随机存取内存设备中之数据的一功能；及借由重复寄存器存取及经由该总线借由一总线主控器功能以连续字大小数据之方式发送使用该区段位址指定之该数据的功能。

3. 发明专利

TWI390449B 卡式週邊裝置有权
简体标题：卡式周边设备
公开(公告)号：TWI390449B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW097129698
申请日：2008-08-05
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：今野環 , KONNO, TAMAKI , 青木禎孝 , AOKI, YOSHITAKA , 筒井敬一 , TSUTSUI, KEIICHI , 足立直大 , ADACHI, NAOHIRO
IPC分类号： G06K19/077 , G06F13/40
CPC分类号： G06F13/4068

4. 发明专利

TWI442231B 儲存單元及記憶體系統有权
简体标题：存储单元及内存系统
公开(公告)号：TWI442231B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW099132459
申请日：2010-09-24
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：中西健一 , NAKANISHI, KENICHI , 筒井敬一 , TSUTSUI, KEIICHI , 越山潤一 , KOSHIYAMA, JUNICHI
IPC分类号： G06F12/08 , G06F12/00 , G06F3/06
CPC分类号： G06F13/385 , G06F12/0893 , G06F2213/3854

5. 发明专利

TW201331947A 記憶控制裝置、記憶裝置、資訊處理系統及其中之處理方法审中-公开
简体标题：记忆控制设备、记忆设备、信息处理系统及其中之处理方法
公开(公告)号：TW201331947A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101141401
申请日：2012-11-07
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：足立直大 , ADACHI, NAOHIRO , 大久保英明 , OKUBO, HIDEAKI , 山本真紀子 , YAMAMOTO, MAKIKO , 筒井敬一 , TSUTSUI, KEIICHI , 中西健一 , NAKANISHI, KENICHI , 藤波靖 , FUJINAMI, YASUSHI
IPC分类号： G11C29/14 , G11C29/18 , G11C29/42 , G11C29/46
CPC分类号： G11C13/0069 , G06F11/1008 , G11C7/1009 , G11C7/1045 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C16/08 , G11C2211/5646
摘要：本發明之記憶控制裝置可消除非揮發性記憶體的資料保持特性之差異。記憶控制裝置係具備記錄資訊保持部與位元操作部。記錄資訊保持部係就使每個位元保持第1值或第2值中之任一者之值之記憶體單元的特定資料區域，在使所有位元成為第1值後再使任意位元成為第2值之第1模式、與在使所有位元成為第2值後再使任意位元成為第1值之第2模式之中，保持顯示在前次寫入動作時係採用了哪一者之記錄資訊。位元操作部係在記錄資訊顯示第1模式之情形下，利用第2模式進行寫入動作，而在記錄資訊顯示第2模式之情形下，則利用第1模式進行寫入動作。
简体摘要：本发明之记忆控制设备可消除非挥发性内存的数据保持特性之差异。记忆控制设备系具备记录信息保持部与比特操作部。记录信息保持部系就使每个比特保持第1值或第2值中之任一者之值之内存单元的特定数据区域，在使所有比特成为第1值后再使任意比特成为第2值之第1模式、与在使所有比特成为第2值后再使任意比特成为第1值之第2模式之中，保持显示在前次写入动作时系采用了哪一者之记录信息。比特操作部系在记录信息显示第1模式之情形下，利用第2模式进行写入动作，而在记录信息显示第2模式之情形下，则利用第1模式进行写入动作。

6. 发明专利

TWI390447B 卡式週邊裝置失效
简体标题：卡式周边设备
公开(公告)号：TWI390447B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW097129055
申请日：2008-07-31
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：青木禎孝 , AOKI, YOSHITAKA , 筒井敬一 , TSUTSUI, KEIICHI
IPC分类号： G06K19/04 , G06K19/02 , G06F3/06 , G06K19/07
CPC分类号： G06K19/07743 , G06K19/07732 , G06K19/07739

7. 发明专利

TWI414941B 非揮發性記憶體及記憶體系統有权
简体标题：非挥发性内存及内存系统
公开(公告)号：TWI414941B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW099132876
申请日：2010-09-28
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：越山潤一 , KOSHIYAMA, JUNICHI , 中西健一 , NAKANISHI, KENICHI , 筒井敬一 , TSUTSUI, KEIICHI
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/00 , G06F12/16
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C2029/0411

8. 发明专利

TW201120636A 非揮發性記憶體及記憶體系統 NONVOLATILE MEMORY AND MEMORY SYSTEM 审中-公开
简体标题：非挥发性内存及内存系统 NONVOLATILE MEMORY AND MEMORY SYSTEM
公开(公告)号：TW201120636A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099132876
申请日：2010-09-28
申请人：新力股份有限公司
发明人：越山潤一 , 中西健一 , 筒井敬一
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C2029/0411
摘要：本文揭示的是一種非揮發性記憶體，其包含：一記憶體區域，其包含經組態以保持資料之一資料區域及經組態以保持稱作ECC之一錯誤校正碼的一錯誤校正碼區域；及一控制單元，其經組態以控制對該記憶體區域之存取。該控制單元包含：一錯誤偵測及校正功能，其經組態以偵測自該資料區域讀取之該資料中的一錯誤且校正該偵測到之錯誤；至少一保存區域，其經組態使得若一指定位址處之資料及相對應於該資料之ECC係自該記憶體區域讀取且若偵測到一錯誤，則該保存區域保持該位址及相對應於該位址之正確資料；及一有效性呈現區塊，其經組態以指示保持於該保存區域中之該位址及該正確資料是否有效。
简体摘要：本文揭示的是一种非挥发性内存，其包含：一内存区域，其包含经组态以保持数据之一数据区域及经组态以保持称作ECC之一错误校正码的一错误校正码区域；及一控制单元，其经组态以控制对该内存区域之存取。该控制单元包含：一错误侦测及校正功能，其经组态以侦测自该数据区域读取之该数据中的一错误且校正该侦测到之错误；至少一保存区域，其经组态使得若一指定位址处之数据及相对应于该数据之ECC系自该内存区域读取且若侦测到一错误，则该保存区域保持该位址及相对应于该位址之正确数据；及一有效性呈现区块，其经组态以指示保持于该保存区域中之该位址及该正确数据是否有效。

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