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1. 发明专利

TW201322851A 印刷電路板之製造方法审中-公开
简体标题：印刷电路板之制造方法
公开(公告)号：TW201322851A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101129257
申请日：2012-08-13
申请人：揖斐電股份有限公司 , IBIDEN CO., LTD. , 國立大學法人名古屋大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
发明人：岩田義幸 , 堀勝 , 阪本一
IPC分类号： H05K3/18
CPC分类号： H05K3/027 , H05K3/0035 , H05K3/0055 , H05K3/421 , H05K2203/095
摘要：本發明提供一種可去除小徑之通孔用開口內之樹脂殘渣，形成連接可靠性較高之通孔導體之環境友好型的多層印刷電路板之製造方法。若使用混合有具有兩個碳原子間之雙鍵與氟烷基醚基之氟乙烯基醚系之氣體的處理氣體進行電子密度較高之大氣壓電漿處理，則可以較低之混合比充分地獲得藉由化學反應去除通孔導體用之開口之底部之樹脂殘渣的F自由基、CF自由基、CF2自由基、CF3自由基，有效地進行化學去除，並且藉由與利用電漿中之粒子之物理去除的協同效果而去除通孔之樹脂殘渣。
简体摘要：本发明提供一种可去除小径之通孔用开口内之树脂残渣，形成连接可靠性较高之通孔导体之环境友好型的多层印刷电路板之制造方法。若使用混合有具有两个碳原子间之双键与氟烷基醚基之氟乙烯基醚系之气体的处理气体进行电子密度较高之大气压等离子处理，则可以较低之混合比充分地获得借由化学反应去除通孔导体用之开口之底部之树脂残渣的F自由基、CF自由基、CF2自由基、CF3自由基，有效地进行化学去除，并且借由与利用等离子中之粒子之物理去除的协同效果而去除通孔之树脂残渣。

2. 发明专利

TWI524828B 印刷電路板之製造方法有权
简体标题：印刷电路板之制造方法
公开(公告)号：TWI524828B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW101129257
申请日：2012-08-13
申请人：揖斐電股份有限公司 , IBIDEN CO., LTD. , 國立大學法人名古屋大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
发明人：岩田義幸 , 堀勝 , 阪本一
IPC分类号： H05K3/18
CPC分类号： H05K3/027 , H05K3/0035 , H05K3/0055 , H05K3/421 , H05K2203/095

3. 发明专利

TW202027152A 蝕刻方法及蝕刻裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TW202027152A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108139518
申请日：2019-10-31
申请人：國立大學法人名古屋大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY , 日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：堀勝 , HORI, MASARU , 谷出敦 , TANIDE, ATSUSHI , 中村昭平 , NAKAMURA, SHOHEI , 高辻茂 , TAKATSUJI, SHIGERU , 灘原壮一 , NADAHARA, SOICHI
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065
摘要：本發明提供一種達到抑制過蝕刻與半導體之表面粗糙的蝕刻方法及蝕刻裝置。於該蝕刻方法中，將包含Cl2與H2之混合氣體電漿化，將混合氣體電漿化而成之電漿氣體供給至收容III族氮化物半導體之處理室1001，藉由電漿氣體對III族氮化物半導體進行蝕刻。混合氣體中之H2為1體積%以上且10體積%以下。
简体摘要：本发明提供一种达到抑制过蚀刻与半导体之表面粗糙的蚀刻方法及蚀刻设备。于该蚀刻方法中，将包含Cl2与H2之混合气体等离子化，将混合气体等离子化而成之等离子气体供给至收容III族氮化物半导体之处理室1001，借由等离子气体对III族氮化物半导体进行蚀刻。混合气体中之H2为1体积%以上且10体积%以下。

4. 发明专利

TWI452629B 低介電率膜之損傷修復方法、半導體製造裝置、記憶媒體有权
简体标题：低介电率膜之损伤修复方法、半导体制造设备、记忆媒体
公开(公告)号：TWI452629B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW096110408
申请日：2007-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人名古屋大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
发明人：堀勝 , HORI, MASARU , 久保田和宏 , KUBOTA, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/3105

5. 发明专利

TW201812913A 使用蝕刻劑膜循環乾蝕刻之方法审中-公开
简体标题：使用蚀刻剂膜循环干蚀刻之方法
公开(公告)号：TW201812913A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123203
申请日：2017-07-11
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V. , 國立大學法人名古屋大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
发明人：財津優 , ZAITSU, MASARU , 小林伸好 , KOBAYASHI, NOBUYOSHI , 小林明子 , KOBAYASHI, AKIKO , 堀勝 , HORI, MASARU , 近藤博基 , KONDO, HIROKI , 堤隆嘉 , TSUTSUMI, TAKAYOSHI
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02274
摘要：本發明係關於一種藉由乾蝕刻製程蝕刻基板上之靶層之方法，其包括至少一個蝕刻循環，其中蝕刻循環包括：使用反應性物質將含鹵素膜沉積至基板上之靶層上；以及使用非鹵素蝕刻氣體電漿蝕刻含鹵素膜，該電漿本身實質上不蝕刻靶層，以在含鹵素膜及靶層的邊界區域處產生蝕刻劑物質，從而蝕刻邊界區域中的部分靶層。
简体摘要：本发明系关于一种借由干蚀刻制程蚀刻基板上之靶层之方法，其包括至少一个蚀刻循环，其中蚀刻循环包括：使用反应性物质将含卤素膜沉积至基板上之靶层上；以及使用非卤素蚀刻气体等离子蚀刻含卤素膜，该等离子本身实质上不蚀刻靶层，以在含卤素膜及靶层的边界区域处产生蚀刻剂物质，从而蚀刻边界区域中的部分靶层。

6. 发明专利

TWI453793B 圖案形成方法及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：图案形成方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI453793B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW096149752
申请日：2007-12-24
申请人：國立大學法人名古屋大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀勝 , HORI, MASARU , 壁義郎 , KABE, YOSHIRO , 鹽澤俊彥 , SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L29/66818

7. 发明专利

TW201805320A 具有第３族氮化物系化合物層之半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：具有第３族氮化物系化合物层之半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201805320A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106107600
申请日：2017-03-08
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. , 國立大學法人名古屋大學 , NAGOYA UNIVERSITY
发明人：橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 堀勝 , HORI, MASARU , 関根誠 , SEKINE, MAKOTO
IPC分类号： C08G12/08 , C08G65/40 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C08G12/08 , C08G65/40 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3065
摘要：本發明提供一種具有已圖型化的第3族氮化物系化合物層的半導體基板之製造方法，該方法係在使用由300℃至700℃的高溫之蝕刻法的情況，形成的圖型亦不因回焊或分解而崩壞。本發明提供一種製造方法，其係具有已圖型化的第3族氮化物系化合物層的半導體基板之製造方法，其特徵為於基板之第3族氮化物系化合物層之上形成已圖型化的遮罩層的步驟，及，藉由300℃以上、700℃以下之乾式蝕刻而將前述第3族氮化物系化合物層仿照該遮罩圖型而蝕刻，由此而形成已圖型化的第3族氮化物系化合物層的步驟，前述已圖型化的遮罩層係包含以下述式(1)所示的單位構造的聚合物：，或是，包含以下述式(2)所表示的單位構造的聚合物：，包含以下述式(3)所表示的單位構造的聚合物：，或，包含以式(2)所表示的單位構造及以式(3)所表示的單位構造之組合的聚合物，或包含此等聚合物之交聯構造體。
简体摘要：本发明提供一种具有已图型化的第3族氮化物系化合物层的半导体基板之制造方法，该方法系在使用由300℃至700℃的高温之蚀刻法的情况，形成的图型亦不因回焊或分解而崩坏。本发明提供一种制造方法，其系具有已图型化的第3族氮化物系化合物层的半导体基板之制造方法，其特征为于基板之第3族氮化物系化合物层之上形成已图型化的遮罩层的步骤，及，借由300℃以上、700℃以下之干式蚀刻而将前述第3族氮化物系化合物层仿照该遮罩图型而蚀刻，由此而形成已图型化的第3族氮化物系化合物层的步骤，前述已图型化的遮罩层系包含以下述式(1)所示的单位构造的聚合物：，或是，包含以下述式(2)所表示的单位构造的聚合物：，包含以下述式(3)所表示的单位构造的聚合物：，或，包含以式(2)所表示的单位构造及以式(3)所表示的单位构造之组合的聚合物，或包含此等聚合物之交联构造体。

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