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1. 发明专利

TW201810775A 含有矽奈米粒子之氫聚矽倍半氧烷、其燒製物及其等之製造方法审中-公开
简体标题：含有硅奈米粒子之氢聚硅倍半氧烷、其烧制物及其等之制造方法
公开(公告)号：TW201810775A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106101079
申请日：2017-01-11
申请人：捷恩智股份有限公司 , JNC CORPORATION , 捷恩智石油化學股份有限公司 , JNC PETROCHEMICAL CORPORATION
发明人：高野義人 , TAKANO, YOSHIHITO , 木崎哲朗 , KIZAKI, TETSURO , 山田浩綱 , YAMADA, HIROTSUNA , 近藤正一 , KONDO, MASAKAZU , 高橋彬 , TAKAHASHI, AKIRA
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0525
CPC分类号： C01B33/00 , H01M4/38 , H01M4/58
摘要：本發明包含一種含有矽奈米粒子之氫聚矽倍半氧烷燒製物，該含有矽奈米粒子之氫聚矽倍半氧烷燒製物由通式SiOx2Hy2(0.3
简体摘要：本发明包含一种含有硅奈米粒子之氢聚硅倍半氧烷烧制物，该含有硅奈米粒子之氢聚硅倍半氧烷烧制物由通式SiOx2Hy2(0.3

2. 发明专利

TW201806860A 鋰離子二次電池用負極活性物質的製造方法审中-公开
简体标题：锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法
公开(公告)号：TW201806860A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106111463
申请日：2017-04-06
申请人：捷恩智股份有限公司 , JNC CORPORATION , 捷恩智石油化學股份有限公司 , JNC PETROCHEMICAL CORPORATION
发明人：高野義人 , TAKANO, YOSHIHITO , 木崎哲朗 , KIZAKI, TETSURO , 近藤正一 , KONDO, MASAKAZU
IPC分类号： C01B33/113 , H01M4/48 , H01M4/36
CPC分类号： C01B33/113 , H01M4/36 , H01M4/48
摘要：本發明提供一種以高生產性製造具有充放電循環劣化得到極度抑制的、高電容且優異的充放電特性的二次電池用負極活性物質的方法。一種鋰離子二次電池用負極活性物質的製造方法，所述鋰離子二次電池用負極活性物質包含矽-鈦氧化物複合物，所述鋰離子二次電池用負極活性物質的製造方法的特徵在於：所述鋰離子二次電池用負極活性物質中所含的矽-鈦氧化物複合物是藉由將氧化鈦被覆於矽氧化物而獲得，所述矽氧化物是對倍半矽氧烷聚合物（PSQ）於墮性氣體環境下進行熱處理而獲得，且由通式SiOxCyHz（0.5＜x＜1.8、0≦y＜5、0≦z＜0.4）表示，所述倍半矽氧烷聚合物（PSQ）是使矽化合物進行水解及縮聚反應而獲得，且具有下述式（1）的結構，於對所述矽氧化物被覆氧化鈦後，於還原性氣體環境下進行熱處理。
简体摘要：本发明提供一种以高生产性制造具有充放电循环劣化得到极度抑制的、高电容且优异的充放电特性的二次电池用负极活性物质的方法。一种锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，所述锂离子二次电池用负极活性物质包含硅-钛氧化物复合物，所述锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法的特征在于：所述锂离子二次电池用负极活性物质中所含的硅-钛氧化物复合物是借由将氧化钛被覆于硅氧化物而获得，所述硅氧化物是对倍半硅氧烷聚合物（PSQ）于堕性气体环境下进行热处理而获得，且由通式SiOxCyHz（0.5＜x＜1.8、0≦y＜5、0≦z＜0.4）表示，所述倍半硅氧烷聚合物（PSQ）是使硅化合物进行水解及缩聚反应而获得，且具有下述式（1）的结构，于对所述硅氧化物被覆氧化钛后，于还原性气体环境下进行热处理。

3. 发明专利

TW201826598A 含有矽奈米粒子的氫聚倍半矽氧烷燒結體-金屬氧化物複合體及其製造方法、鋰離子電池用負極活性物質、鋰離子電池用負極以及鋰離子電池审中-公开
简体标题：含有硅奈米粒子的氢聚倍半硅氧烷烧结体-金属氧化物复合体及其制造方法、锂离子电池用负极活性物质、锂离子电池用负极以及锂离子电池
公开(公告)号：TW201826598A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW107100708
申请日：2018-01-09
申请人：日商捷恩智股份有限公司 , JNC CORPORATION , 日商捷恩智石油化學股份有限公司 , JNC PETROCHEMICAL CORPORATION
发明人：山田浩綱 , YAMADA, HIROTSUNA , 高野義人 , TAKANO, YOSHIHITO , 木崎哲朗 , KIZAKI, TETSURO , 近藤正一 , KONDO, MASAKAZU
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/13 , H01M10/0525
摘要：一種含有矽奈米粒子的氫聚倍半矽氧烷燒結體-金屬氧化物複合體，包含含有矽奈米粒子的氫聚倍半矽氧烷燒結體及金屬氧化物，其中所述含有矽奈米粒子的氫聚倍半矽氧烷燒結體包含： 5重量%至95重量%的具有超過10 nm且未滿500 nm的體積基準平均粒徑的矽奈米粒子，以及源自被覆所述矽奈米粒子且在所述矽奈米粒子的表面進行化學鍵結的氫聚倍半矽氧烷的矽氧化物結構，所述含有矽奈米粒子的氫聚倍半矽氧烷燒結體由通式SiOxHy（0.01＜x＜1.35，0＜y＜0.35）表示，且具有Si-H鍵，所述金屬氧化物為包含選自鈦、鋅、鋯、鋁、及鐵中的一種以上的金屬的金屬氧化物。
简体摘要：一种含有硅奈米粒子的氢聚倍半硅氧烷烧结体-金属氧化物复合体，包含含有硅奈米粒子的氢聚倍半硅氧烷烧结体及金属氧化物，其中所述含有硅奈米粒子的氢聚倍半硅氧烷烧结体包含： 5重量%至95重量%的具有超过10 nm且未满500 nm的体积基准平均粒径的硅奈米粒子，以及源自被覆所述硅奈米粒子且在所述硅奈米粒子的表面进行化学键结的氢聚倍半硅氧烷的硅氧化物结构，所述含有硅奈米粒子的氢聚倍半硅氧烷烧结体由通式SiOxHy（0.01＜x＜1.35，0＜y＜0.35）表示，且具有Si-H键，所述金属氧化物为包含选自钛、锌、锆、铝、及铁中的一种以上的金属的金属氧化物。

4. 发明专利

TW201826600A 含有矽奈米粒子的氫聚倍半矽氧烷燒結體、鋰離子電池用負極活性物質、鋰離子電池用負極以及鋰離子電池审中-公开
简体标题：含有硅奈米粒子的氢聚倍半硅氧烷烧结体、锂离子电池用负极活性物质、锂离子电池用负极以及锂离子电池
公开(公告)号：TW201826600A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW107100371
申请日：2018-01-04
申请人：日商捷恩智股份有限公司 , JNC CORPORATION , 日商捷恩智石油化學股份有限公司 , JNC PETROCHEMICAL CORPORATION
发明人：高野義人 , TAKANO, YOSHIHITO , 木崎哲朗 , KIZAKI, TETSURO , 山田浩綱 , YAMADA, HIROTSUNA , 近藤正一 , KONDO, MASAKAZU , 高橋彬 , TAKAHASHI, AKIRA
IPC分类号： H01M4/48 , H01M4/13 , H01M10/052
摘要：本發明為一種含有矽奈米粒子的氫聚倍半矽氧烷燒結體，由通式SiOxHy（0.01＜x≦0.3，0＜y＜0.35）表示，且具有Si-H鍵，該含有矽奈米粒子的氫聚倍半矽氧烷燒結體的特徵在於：（A）包含超過65.0重量%的體積基準平均粒徑超過10 nm且未滿500 nm，且不包含粒徑為1000 nm以上的粒子的矽奈米粒子，（B）包含源自被覆所述矽奈米粒子且在所述矽奈米粒子的表面進行化學鍵結的氫聚倍半矽氧烷的矽氧化物結構。
简体摘要：本发明为一种含有硅奈米粒子的氢聚倍半硅氧烷烧结体，由通式SiOxHy（0.01＜x≦0.3，0＜y＜0.35）表示，且具有Si-H键，该含有硅奈米粒子的氢聚倍半硅氧烷烧结体的特征在于：（A）包含超过65.0重量%的体积基准平均粒径超过10 nm且未满500 nm，且不包含粒径为1000 nm以上的粒子的硅奈米粒子，（B）包含源自被覆所述硅奈米粒子且在所述硅奈米粒子的表面进行化学键结的氢聚倍半硅氧烷的硅氧化物结构。

5. 发明专利

TW201725772A 鋰離子二次電池用負極活性物質的製造方法审中-公开
简体标题：锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法
公开(公告)号：TW201725772A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105139193
申请日：2016-11-29
申请人：捷恩智股份有限公司 , JNC CORPORATION , 捷恩智石油化學股份有限公司 , JNC PETROCHEMICAL CORPORATION
发明人：高野義人 , TAKANO, YOSHIHITO , 木崎哲朗 , KIZAKI, TETSURO , 岩谷敬三 , IWATANI, KEIZO
IPC分类号： H01M4/48
CPC分类号： C01B33/12 , H01M4/36 , H01M4/48
摘要：本發明提供一種以高生產性製造具有充放電循環劣化得到極度抑制的、高電容且優異的充放電特性的二次電池用負極活性物質的方法。一種製造方法，其為具有下述特徵的、含有矽-鈦氧化物複合物而成的鋰離子二次電池用負極活性物質的製造方法，該矽-鈦氧化物複合物是藉由將氧化鈦被覆於矽氧化物而獲得，關於該矽氧化物，a）是對使特定矽化合物進行水解及縮合反應所得的氫倍半矽氧烷聚合物於惰性氣體環境下進行熱處理而獲得，b）含有矽、氧及氫，c）於紅外光譜中，來源於Si-H鍵的波峰1與來源於Si-O-Si鍵的波峰2的強度比在0.01～0.35的範圍內，d）為通式SiOxHy（1＜x＜1.8、0.01＜y＜0.4）所表示者。
简体摘要：本发明提供一种以高生产性制造具有充放电循环劣化得到极度抑制的、高电容且优异的充放电特性的二次电池用负极活性物质的方法。一种制造方法，其为具有下述特征的、含有硅-钛氧化物复合物而成的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，该硅-钛氧化物复合物是借由将氧化钛被覆于硅氧化物而获得，关于该硅氧化物，a）是对使特定硅化合物进行水解及缩合反应所得的氢倍半硅氧烷聚合物于惰性气体环境下进行热处理而获得，b）含有硅、氧及氢，c）于红外光谱中，来源于Si-H键的波峰1与来源于Si-O-Si键的波峰2的强度比在0.01～0.35的范围内，d）为通式SiOxHy（1＜x＜1.8、0.01＜y＜0.4）所表示者。

6. 发明专利

TWI692904B 鋰離子二次電池用負極活性物質及其製造方法有权
简体标题：锂离子二次电池用负极活性物质及其制造方法
公开(公告)号：TWI692904B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105121301
申请日：2016-07-06
申请人：日商捷恩智股份有限公司 , JNC CORPORATION , 日商捷恩智石油化學股份有限公司 , JNC PETROCHEMICAL CORPORATION
发明人：高野義人 , TAKANO, YOSHIHITO , 近藤正一 , KONDO, MASAKAZU , 木崎哲朗 , KIZAKI, TETSURO , 岩谷敬三 , IWATANI, KEIZO
IPC分类号： H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0525

7. 发明专利

TW201711256A 鋰離子二次電池用負極活性物質及其製造方法审中-公开
简体标题：锂离子二次电池用负极活性物质及其制造方法
公开(公告)号：TW201711256A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105121301
申请日：2016-07-06
申请人：捷恩智股份有限公司 , JNC CORPORATION , 捷恩智石油化學股份有限公司 , JNC PETROCHEMICAL CORPORATION
发明人：高野義人 , TAKANO, YOSHIHITO , 近藤正一 , KONDO, MASAKAZU , 木崎哲朗 , KIZAKI, TETSURO , 岩谷敬三 , IWATANI, KEIZO
IPC分类号： H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/1391 , C01B33/18 , H01M2/16 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/48 , H01M4/621 , H01M4/661 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , H01M2004/028
摘要：本發明提供一種二次電池用負極活性物質及其製造方法，其具有優異的充放電電容及電容維持率提高的循環特性。本發明是鋰離子二次電池用負極活性物質及其製造方法，負極活性物質是含有通式SiOxHy（1＜x＜1.8、0.01＜y＜0.4）表示的矽氧化物而成，其是對使式（1）所表示的Si化合物水解後進行縮合反應所得的氫倍半矽氧烷聚合物於惰性氣體環境下進行熱處理而得，含有Si、O及H，且於紅外光譜中，820 cm-1 ～920 cm-1 間的源於Si-H的波峰1的強度I1 與1000 cm-1 ～1200 cm-1 間的源於Si-O-Si的波峰2的強度I2 之比I1 /I2 在0.01～0.35的範圍內。 HSi(R)3 （1）（式中，R為選自氫、碳數1～10的烷氧基等中的基團）
简体摘要：本发明提供一种二次电池用负极活性物质及其制造方法，其具有优异的充放电电容及电容维持率提高的循环特性。本发明是锂离子二次电池用负极活性物质及其制造方法，负极活性物质是含有通式SiOxHy（1＜x＜1.8、0.01＜y＜0.4）表示的硅氧化物而成，其是对使式（1）所表示的Si化合物水解后进行缩合反应所得的氢倍半硅氧烷聚合物于惰性气体环境下进行热处理而得，含有Si、O及H，且于红外光谱中，820 cm-1 ～920 cm-1 间的源于Si-H的波峰1的强度I1 与1000 cm-1 ～1200 cm-1 间的源于Si-O-Si的波峰2的强度I2 之比I1 /I2 在0.01～0.35的范围内。 HSi(R)3 （1）（式中，R为选自氢、碳数1～10的烷氧基等中的基团）

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