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1. 发明专利

TW200845232A 使用低能量電漿系統製造高介質常數電晶體閘極的方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A HIGH DIELECTRIC CONSTANT TRANSISTOR GATE USING A LOW ENERGY PLASMA SYSTEM 审中-公开
简体标题：使用低能量等离子系统制造高介质常数晶体管闸极的方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A HIGH DIELECTRIC CONSTANT TRANSISTOR GATE USING A LOW ENERGY PLASMA SYSTEM
公开(公告)号：TW200845232A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097107373
申请日：2008-03-03
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：奧森克里斯多夫尚恩 OLSEN, CHRISTOPHER SEAN , 蔡泰正 CHUA, THAI CHENG , 洪史帝芬 HUNG, STEVEN , 劉派翠西亞M LIU, PATRICIA M. , 佐藤達也 SATO, TATSUYA , 派特森艾利克斯M PATERSON, ALEX M. , 托多羅瓦倫汀 TODOROW, VALENTIN , 荷倫約翰P HOLLAND, JOHN P.
IPC分类号： H01L
摘要：本發明大致上是提供適以於基材上形成高品質之閘極介電層的方法與設備。實施例包含一方法,其中金屬電漿處理製程是用來代替標準的氮化製程,以於基材上形成高介電常數(k)層。實施例更包含適以"植入"較低能量之金屬離子的設備,以減少離子轟擊對閘極介電層(如二氧化矽層)的破壞及避免金屬原子與下面的矽結合。一般而言,此製程包括形成高k介電層,然後終止沉積之高k材料表面,以於閘極電極與高k介電材料之間形成良好界面。
简体摘要：本发明大致上是提供适以于基材上形成高品质之闸极介电层的方法与设备。实施例包含一方法,其中金属等离子处理制程是用来代替标准的氮化制程,以于基材上形成高介电常数(k)层。实施例更包含适以"植入"较低能量之金属离子的设备,以减少离子轰击对闸极介电层(如二氧化硅层)的破坏及避免金属原子与下面的硅结合。一般而言,此制程包括形成高k介电层,然后终止沉积之高k材料表面,以于闸极电极与高k介电材料之间形成良好界面。

2. 发明专利

TW200820324A 製造場效電晶體之整合式閘極介電層的方法 METHOD FOR FABRICATING AN INTEGRATED GATE DIELECTRIC LAYER FOR FIELD EFFECT TRANSISTORS 审中-公开
简体标题：制造场效应管之集成式闸极介电层的方法 METHOD FOR FABRICATING AN INTEGRATED GATE DIELECTRIC LAYER FOR FIELD EFFECT TRANSISTORS
公开(公告)号：TW200820324A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096126429
申请日：2007-07-19
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 CHUA, THAI CHENG , 康堤吉賽賓娜 CONTI, GIUSEPPINA , 繆蘇克里斯南項克 MUTHUKRISNAN, SHANKAR , 悠瑞特思凱優里 URITSKY, YURI , 史文博格玖漢尼斯 SWENBERG, JOHANES , 柯爾須瑞亞思 KHER, SHREYAS , 王慶古安查理士 WANG, CHIKUANG CHARLES
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/02046 , H01L21/02052 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/02337 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3141 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L29/513
摘要：本發明提供了形成一整合式閘極介電層於基板上之方法。在一實施例中,此方法包括:形成一氧化矽層於一基板上;電漿處理氧化矽層;藉由ALD製程來沉積一氮化矽層於氧化矽層上;以及熱退火基板。在另一實施例中,此方法包括:預清潔一基板;形成一氧化矽層於基板上;電漿處理氧化矽層;藉由ALD製程來沉積一氮化矽層於氧化矽層上;以及熱退火基板,其中經形成之氧化矽層與氮化矽層係具有小於30埃之總厚度且被用作為一閘極結構中之閘極介電層。
简体摘要：本发明提供了形成一集成式闸极介电层于基板上之方法。在一实施例中,此方法包括:形成一氧化硅层于一基板上;等离子处理氧化硅层;借由ALD制程来沉积一氮化硅层于氧化硅层上;以及热退火基板。在另一实施例中,此方法包括:预清洁一基板;形成一氧化硅层于基板上;等离子处理氧化硅层;借由ALD制程来沉积一氮化硅层于氧化硅层上;以及热退火基板,其中经形成之氧化硅层与氮化硅层系具有小于30埃之总厚度且被用作为一闸极结构中之闸极介电层。

3. 发明专利

TW200743162A 用以製造場效電晶體之閘極介電質的方法 METHOD FOR FABRICATING A GATE DIELECTRIC OF A FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：用以制造场效应管之闸极介电质的方法 METHOD FOR FABRICATING A GATE DIELECTRIC OF A FIELD EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200743162A
公开(公告)日：2007-11-16
申请号：TW096115996
申请日：2007-05-04
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 CHUA, THAI CHENG , 扎爾尼克可力 CZARNIK, CORY , 海格德斯安德利亞G HEGEDUS, ANDREAS G. , 歐森克里斯多佛席恩 OLSEN, CHRISTOPHER SEAN , 阿門德哈雷德Z AHMED, KHALED Z. , 克悟思飛立普亞倫 KRAUS, PHILIP ALLAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3144 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L21/823857 , H01L29/518
摘要：所揭示者為一種用以製造一場效電晶體之閘極介電質的方法。在一實施例中,該方法包含以下步驟:移除一原生氧化物層、生成一氧化物層、在該氧化物層上生成一閘極介電質層、在該閘極介電質層上生成一氧化物層,及回火硬化上述該些層與其下方的熱氧化物層/矽界面。或者,可在形成該閘極介電層之前將該氧化物層加以氮化。在一實施例中,可使用配置在一群集工具內的處理室來實施一部份該方法中的步驟。在一實施例中,藉由沉積該氧化物層而在該基材上生成氧化物層,且閘極介電層上的氧化物層係利用一含氧電漿來氧化至少一部份該閘極介電層。在另一實施例中,基材上的氧化物層係利用沉積氧化層而生成,而閘極介電層上的氧化物層則係利用形成一熱氧化物層而形成,亦即,沉積氧化物層在該閘極介電層上。
简体摘要：所揭示者为一种用以制造一场效应管之闸极介电质的方法。在一实施例中,该方法包含以下步骤:移除一原生氧化物层、生成一氧化物层、在该氧化物层上生成一闸极介电质层、在该闸极介电质层上生成一氧化物层,及回火硬化上述该些层与其下方的热氧化物层/硅界面。或者,可在形成该闸极介电层之前将该氧化物层加以氮化。在一实施例中,可使用配置在一群集工具内的处理室来实施一部份该方法中的步骤。在一实施例中,借由沉积该氧化物层而在该基材上生成氧化物层,且闸极介电层上的氧化物层系利用一含氧等离子来氧化至少一部份该闸极介电层。在另一实施例中,基材上的氧化物层系利用沉积氧化层而生成,而闸极介电层上的氧化物层则系利用形成一热氧化物层而形成,亦即,沉积氧化物层在该闸极介电层上。

4. 发明专利

TW200703465A 用於改善氮氧化矽閘極介電材之閘極漏電的一氧化氮再氧化法 NITRIC OXIDE REOXIDATION FOR IMPROVED GATE LEAKAGE REDUCTION OF SION GATE DIELECTRICS 审中-公开
简体标题：用于改善氮氧化硅闸极介电材之闸极漏电的一氧化氮再氧化法 NITRIC OXIDE REOXIDATION FOR IMPROVED GATE LEAKAGE REDUCTION OF SION GATE DIELECTRICS
公开(公告)号：TW200703465A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095121315
申请日：2006-06-14
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 CHUA, THAI CHENG , 奧森克里斯多夫S OLSEN, CHRISTOPHER S. , 克勞司菲利浦A KRAUS, PHILIP A. , 阿門德哈雷德Z AHMED, KHALED Z. , 扎爾尼克可力 CZARNIK, CORY
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/28185 , H01L21/2822 , H01L29/518
摘要：一種形成氮氧化矽閘極介電質的方法。該方法包括提供一個在基材上形成一矽膜的結構物。該結構物是曝露在包含氮源的第一電漿下以便將氮併入該矽膜。該結構物係在內含一氧化氮的大氣下氧化以便在該結構物上形成氮氧化矽閘極介電質。其後該結構物是曝露在包含氮源的第二電漿下。
简体摘要：一种形成氮氧化硅闸极介电质的方法。该方法包括提供一个在基材上形成一硅膜的结构物。该结构物是曝露在包含氮源的第一等离子下以便将氮并入该硅膜。该结构物系在内含一氧化氮的大气下氧化以便在该结构物上形成氮氧化硅闸极介电质。其后该结构物是曝露在包含氮源的第二等离子下。

5. 发明专利

TW200913069A 用於半導體元件之低溫氧化的方法 METHODS FOR LOW TEMPERATURE OXIDATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：用于半导体组件之低温氧化的方法 METHODS FOR LOW TEMPERATURE OXIDATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200913069A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097127833
申请日：2008-07-22
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 CHUA, THAI CHENG , 克魯斯詹姆士P CRUSE, JAMES P. , 扎爾尼克可力 CZARNIK, CORY
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7881 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L29/513 , H01L29/66825
摘要：本發明揭示在一半導體基材上製造一氧化物層之方法。在一些實施例中,一種在一半導體基材上形成一氧化物層之方法包含:放置一欲被氧化之基材於一電漿反應器之一真空腔室中的一基材支撐件上,該腔室具有遠離該基材支撐件之一離子產生區;將一製程氣體導入該腔室,該製程氣體包含:氫(H2)與氧(O2)中之至少一者,其被提供之氫(H2)對氧(O2)之流速比例高達約3:1,或水蒸氣(H2O蒸氣);以及在該腔室之該離子產生區中生成一誘導耦合電漿,以在該基材上形成一氧化矽層。
简体摘要：本发明揭示在一半导体基材上制造一氧化物层之方法。在一些实施例中,一种在一半导体基材上形成一氧化物层之方法包含:放置一欲被氧化之基材于一等离子反应器之一真空腔室中的一基材支撑件上,该腔室具有远离该基材支撑件之一离子产生区;将一制程气体导入该腔室,该制程气体包含:氢(H2)与氧(O2)中之至少一者,其被提供之氢(H2)对氧(O2)之流速比例高达约3:1,或水蒸气(H2O蒸气);以及在该腔室之该离子产生区中生成一诱导耦合等离子,以在该基材上形成一氧化硅层。

6. 发明专利

TW200814205A 製造利用於閘極結構中之閘極介電層的方法 A METHOD FOR FABRICATING A GATE DIELECTRIC LAYER UTILIZED IN A GATE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：制造利用于闸极结构中之闸极介电层的方法 A METHOD FOR FABRICATING A GATE DIELECTRIC LAYER UTILIZED IN A GATE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200814205A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096125263
申请日：2007-07-11
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 CHUA, THAI CHENG , 克勞司菲利浦A KRAUS, PHILLIP A. , 奧森克里斯多夫尚恩 OLSEN, CHRISTOPHER SEAN , 扎爾尼克可力 CZARNIK, CORY , 王奇匡查爾斯 WANG, CHIKUANG CHARLES
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3145 , H01L21/28202 , H01L29/518 , H01L29/66568 , H01L29/78
摘要：本發明提供了形成一閘極介電層於基板上之方法。在一實施例中,此方法包括:形成一氧化矽層於矽基板上;藉由熱製程來沉積一氮化矽層於該氧化矽層上,其中該氧化矽層與該氮化矽層係作為一閘極結構中之閘極介電層;以及熱退火該基板。在另一實施例中,此方法包括:形成一氧化矽層於矽基板上,該氧化矽層之厚度小於15埃;電漿處理該氧化矽層;藉由熱製程來沉積一氮化矽層於該氧化矽層上,該氮化矽層之厚度小於15埃,其中該氧化矽層與該氮化矽層係作為一閘極結構中之閘極介電層;電漿處理該氮化矽層;以及熱退火該基板。
简体摘要：本发明提供了形成一闸极介电层于基板上之方法。在一实施例中,此方法包括:形成一氧化硅层于硅基板上;借由热制程来沉积一氮化硅层于该氧化硅层上,其中该氧化硅层与该氮化硅层系作为一闸极结构中之闸极介电层;以及热退火该基板。在另一实施例中,此方法包括:形成一氧化硅层于硅基板上,该氧化硅层之厚度小于15埃;等离子处理该氧化硅层;借由热制程来沉积一氮化硅层于该氧化硅层上,该氮化硅层之厚度小于15埃,其中该氧化硅层与该氮化硅层系作为一闸极结构中之闸极介电层;等离子处理该氮化硅层;以及热退火该基板。

7. 发明专利

TW200805497A 形成氮氧化矽材料的方法 METHOD FOR FORMING SILICON OXYNITRIDE MATERIALS 审中-公开
简体标题：形成氮氧化硅材料的方法 METHOD FOR FORMING SILICON OXYNITRIDE MATERIALS
公开(公告)号：TW200805497A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096105855
申请日：2007-02-15
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 CHUA, THAI CHENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02323 , H01L21/0214 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02337 , H01L21/28202 , H01L21/3144
摘要：本發明之實施例係提供用以形成氮氧化矽材料於一基材上之方法。在一實施例中,其係提供一種用以形成一介電質材料於一基材上之方法,該方法包含:設置一基材於一處理系統內,該基材具有一原生氧化物表面,該處理系統包含複數個製程腔室;以及在一清潔製程期間移除該原生氧化物,以形成不含有或實質上不含有該原生氧化物之基材表面。在一實例中,該方法更包含:在一第一氮化製程期間將該基材暴露於一第一含氮電漿,以從該基材表面形成一氮化矽層;在一熱氧化製程期間將該基材暴露於一氧源,以從該氮化矽層形成一氮氧化矽層;在一第二氮化製程期間將該基材暴露於一第二含氮電漿;以及將該基材暴露於一退火製程。
简体摘要：本发明之实施例系提供用以形成氮氧化硅材料于一基材上之方法。在一实施例中,其系提供一种用以形成一介电质材料于一基材上之方法,该方法包含:设置一基材于一处理系统内,该基材具有一原生氧化物表面,该处理系统包含复数个制程腔室;以及在一清洁制程期间移除该原生氧化物,以形成不含有或实质上不含有该原生氧化物之基材表面。在一实例中,该方法更包含:在一第一氮化制程期间将该基材暴露于一第一含氮等离子,以从该基材表面形成一氮化硅层;在一热氧化制程期间将该基材暴露于一氧源,以从该氮化硅层形成一氮氧化硅层;在一第二氮化制程期间将该基材暴露于一第二含氮等离子;以及将该基材暴露于一退火制程。

8. 发明专利

TW200741867A 利用低能量電漿系統製造高介電常數電晶體閘極之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A HIGH DIELECTRIC CONSTANT TRANSISTOR GATE USING A LOW ENERGY PLASMA SYSTEM 审中-公开
简体标题：利用低能量等离子系统制造高介电常数晶体管闸极之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A HIGH DIELECTRIC CONSTANT TRANSISTOR GATE USING A LOW ENERGY PLASMA SYSTEM
公开(公告)号：TW200741867A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096107652
申请日：2007-03-06
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 CHUA, THAI CHENG , 洪史帝芬 HUNG, STEVEN , 劉派翠西亞M LIU, PATRICIA M. , 佐藤達也 SATO, TATSUYA , 派特森艾利克斯M PATERSON, ALEX M. , 托多羅夫瓦倫汀 TODOROV, VALENTIN , 荷倫約翰P HOLLAND, JOHN P.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32082 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/31155 , H01L21/3144 , H01L21/316 , H01L21/31683 , H01L29/517
摘要：本發明大致上是提供適以於基材上形成高品質之閘極介電層的方法與設備。實施例包含一方法,其中金屬電漿處理製程是用來代替標準的氮化製程,以於基材上形成高介電常數(k)層。實施例更包含適以"植入"較低能量之金屬離子的設備,以減少離子轟擊對閘極介電層(如二氧化矽層)的破壞及避免金屬原子與下面的矽結合。一般而言,此製程包括形成高k介電層、然後處理沉積之材料,以於閘極電極與高k介電材料之間形成良好界面。實施例還提供群集式工具,其係適以形成高k介電材料、終止高k介電材料的表面、實行預定的後處理步驟、以及形成閘極層。
简体摘要：本发明大致上是提供适以于基材上形成高品质之闸极介电层的方法与设备。实施例包含一方法,其中金属等离子处理制程是用来代替标准的氮化制程,以于基材上形成高介电常数(k)层。实施例更包含适以"植入"较低能量之金属离子的设备,以减少离子轰击对闸极介电层(如二氧化硅层)的破坏及避免金属原子与下面的硅结合。一般而言,此制程包括形成高k介电层、然后处理沉积之材料,以于闸极电极与高k介电材料之间形成良好界面。实施例还提供群集式工具,其系适以形成高k介电材料、终止高k介电材料的表面、实行预定的后处理步骤、以及形成闸极层。

9. 发明专利

TW200721323A 場效電晶體之閘極介電質的製造方法 METHOD FOR FABRICATING A GATE DIELECTRIC OF A FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：场效应管之闸极介电质的制造方法 METHOD FOR FABRICATING A GATE DIELECTRIC OF A FIELD EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200721323A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095137757
申请日：2006-10-13
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡泰正 CHUA, THAI CHENG , 阿門德哈雷德Z AHMED, KHALED Z. , 扎爾尼克可力 CZARNIK, CORY , 克洛斯飛利浦亞倫 KUAUS, PHILIP ALLAN , 歐森克里斯多佛席恩 OLSEN, CHRISTOPHER SEAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L21/823857 , H01L29/518 , Y10S438/908
摘要：所揭示者為一種用以製造一場效電晶體之閘極介電質的方法。在一實施例中,該方法包含以下步驟:移除一原生氧化物層、生成一氧化物層、在該氧化物層上生成一閘極介電質層、氧化該閘極介電層層、及回火硬化上述該些層與其下方的熱氧化物層/矽界面。或者,可在形成該閘極介電層層之前將該氧化物層加以氮化。或者,可在將該閘極介電層層氧化之前先將其加以氮化。在一實施例中,可使用配置在一群集工具內的處理室來實施一部份該方法中的步驟。
简体摘要：所揭示者为一种用以制造一场效应管之闸极介电质的方法。在一实施例中,该方法包含以下步骤:移除一原生氧化物层、生成一氧化物层、在该氧化物层上生成一闸极介电质层、氧化该闸极介电层层、及回火硬化上述该些层与其下方的热氧化物层/硅界面。或者,可在形成该闸极介电层层之前将该氧化物层加以氮化。或者,可在将该闸极介电层层氧化之前先将其加以氮化。在一实施例中,可使用配置在一群集工具内的处理室来实施一部份该方法中的步骤。

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