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1. 发明专利

TW200525163A 使用掃描束進行鄰近區域反射率改變之差異評估 USE OF SCANNING BEAM FOR DIFFERENTIAL EVALUATION OF ADJACENT REGIONS FOR CHANGE IN REFLECTIVITY 审中-公开
简体标题：使用扫描束进行邻近区域反射率改变之差异评估 USE OF SCANNING BEAM FOR DIFFERENTIAL EVALUATION OF ADJACENT REGIONS FOR CHANGE IN REFLECTIVITY
公开(公告)号：TW200525163A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093137994
申请日：2004-12-08
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：波頓彼得G. BORDEN, PETER G. , 布迪亞多愛德華W. BUDIARTO, EDWARD W.
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01N21/95607 , G01N21/3151 , G01N21/55 , G01R31/2656
摘要：本發明揭示具有不同摻質濃度輪廓之二區域之一半導體晶圓藉由執行二(或更多)測量於該二區域中，並比較來自該二區域之測量，以獲得該二區域之間反射率之一差異之一反射率改變測量指示加以評估。若另一區域之對應特性為已知，分析該反射率改變測量產生其中一區域之一或多個特性。舉例來說，若該二區域其中之一係摻雜，而另一區域係非摻雜(如一電晶體之源極／汲極與通道區域)，接著該二區域間之反射率之一改變可產生一或多個下列特性於該摻雜區域中：(1)摻雜濃度，(2)接面或輪廓深度，及(3)於該接面之摻質濃度之一輪廓之陡度(即斜率)。在某些實施例中，上述二區域中之測量藉由使用電磁輻射之唯一光束加以執行。在數個此類實施例中，當反射率係一入射光束之波長之一函數，使用三個不同波長之雷射光束做三組測量，以獲得三個反射率改變測量(各個波長各一測量)。接下來，該三反射率改變測量用以解決該摻雜區域之各個三個特性，稱為接面深度、摻雜濃度、及輪廓陡度。
简体摘要：本发明揭示具有不同掺质浓度轮廓之二区域之一半导体晶圆借由运行二(或更多)测量于该二区域中，并比较来自该二区域之测量，以获得该二区域之间反射率之一差异之一反射率改变测量指示加以评估。若另一区域之对应特性为已知，分析该反射率改变测量产生其中一区域之一或多个特性。举例来说，若该二区域其中之一系掺杂，而另一区域系非掺杂(如一晶体管之源极／汲极与信道区域)，接着该二区域间之反射率之一改变可产生一或多个下列特性于该掺杂区域中：(1)掺杂浓度，(2)接面或轮廓深度，及(3)于该接面之掺质浓度之一轮廓之陡度(即斜率)。在某些实施例中，上述二区域中之测量借由使用电磁辐射之唯一光束加以运行。在数个此类实施例中，当反射率系一入射光束之波长之一函数，使用三个不同波长之激光光束做三组测量，以获得三个反射率改变测量(各个波长各一测量)。接下来，该三反射率改变测量用以解决该掺杂区域之各个三个特性，称为接面深度、掺杂浓度、及轮廓陡度。

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