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1. 发明专利

TW200822185A 使用蝕刻反應器執行奈米壓印模板的蝕刻 ETCHING OF NANO-IMPRINT TEMPLATES USING AN ETCH REACTOR 失效
简体标题：使用蚀刻反应器运行奈米压印模板的蚀刻 ETCHING OF NANO-IMPRINT TEMPLATES USING AN ETCH REACTOR
公开(公告)号：TW200822185A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096134570
申请日：2007-09-14
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：仙卓須德麥哈維R CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 庫默亞傑 KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L , G03F , H05H
CPC分类号： C23F4/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/68 , G03F1/80 , G03F7/0002
摘要：本發明係提供一種利用一經壓印的(imprinted)光阻材料來蝕刻金屬層的方法。在一實施例中,一種用於處理光微影倍縮光罩(photolithographic reticle)的方法包括:提供一倍縮光罩,該倍縮光罩具有形成於光學透明基板上的一金屬光罩層以及沉積在金屬光罩層上的一經壓印之光阻材料;在第一蝕刻步驟中,蝕刻該經壓印的光阻材料之凹陷區域,以暴露部分的金屬光罩層;以及在第二蝕刻步驟中,透過經壓印的光阻材料來蝕刻金屬光罩層的暴露部分;其中第一或第二蝕刻步驟的至少其中之一者係利用由包含含氧、含鹵素以及含氯氣體的製程氣體所形成的電漿。在一實施例中,第一和第二蝕刻步驟皆利用製程氣體。在另一實施例中,第一和第二蝕刻步驟係於同一處理室中進行。
简体摘要：本发明系提供一种利用一经压印的(imprinted)光阻材料来蚀刻金属层的方法。在一实施例中,一种用于处理光微影倍缩光罩(photolithographic reticle)的方法包括:提供一倍缩光罩,该倍缩光罩具有形成于光学透明基板上的一金属光罩层以及沉积在金属光罩层上的一经压印之光阻材料;在第一蚀刻步骤中,蚀刻该经压印的光阻材料之凹陷区域,以暴露部分的金属光罩层;以及在第二蚀刻步骤中,透过经压印的光阻材料来蚀刻金属光罩层的暴露部分;其中第一或第二蚀刻步骤的至少其中之一者系利用由包含含氧、含卤素以及含氯气体的制程气体所形成的等离子。在一实施例中,第一和第二蚀刻步骤皆利用制程气体。在另一实施例中,第一和第二蚀刻步骤系于同一处理室中进行。

2. 发明专利

TW200822181A 用於光罩幕電漿蝕刻之方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR PHOTOMASK PLASMA ETCHING 审中-公开
简体标题：用于光罩幕等离子蚀刻之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR PHOTOMASK PLASMA ETCHING
公开(公告)号：TW200822181A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096132787
申请日：2007-09-03
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫默亞傑 KUMAR, AJAY , 仙卓須德麥哈維R CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 禮文頓理查 LEWINGTON, RICHARD , 拜文斯達倫 BIVENS, DARIN , 沙巴瓦愛米塔 SABHARWAL, AMITABH , 潘那葉席巴J PANAYIL, SHEEBA J. , 奧義艾倫喜若西 OUYE, ALAN HIROSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23F4/00 , G03F1/80 , H01J37/321 , H01J37/32422
摘要：在此提供一種用於蝕刻光罩幕的方法和設備。該設備包括一製程腔室,製程腔室在基材支架上方具有護板。該護板包含具有孔的板,以及該板具有兩個區域,這兩個區域具有至少一種彼此不同的屬性,諸如材料或電位偏壓。該方法提供了利用通過護板的離子和中性物質分佈來蝕刻一光罩幕基材。
简体摘要：在此提供一种用于蚀刻光罩幕的方法和设备。该设备包括一制程腔室,制程腔室在基材支架上方具有护板。该护板包含具有孔的板,以及该板具有两个区域,这两个区域具有至少一种彼此不同的属性,诸如材料或电位偏压。该方法提供了利用通过护板的离子和中性物质分布来蚀刻一光罩幕基材。

3. 实用新型

TWM350205U 氣體注入噴嘴 GAS INJECTION NOZZLE 失效
简体标题：气体注入喷嘴 GAS INJECTION NOZZLE
公开(公告)号：TWM350205U
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096218146
申请日：2007-10-29
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：仙卓須德麥哈維R CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 格林柏恩麥克N. GRIMBERGEN, MICHAEL N. , 古延基姆K NGUYEN, KHIEM K. , 禮文頓理查 LEWINGTON, RICHARD , 伊波拉罕伊波拉罕M IBRAHIM, IBRAHIM M. , 潘那葉席巴J PANAYIL, SHEEBA J. , 庫默亞傑 KUMAR, AJAY
IPC分类号： H05H
摘要：本新型提供了多個氣體注入噴嘴,其適合與電漿反應器中的氣體分佈環模制連接,以用於處理諸如罩幕或晶圓的工件。氣體注入噴嘴包括一中空圓柱體,中空圓柱體具有:一第一外直徑部分和限定一頂部的一第二外直徑部分;一第一通道,其形成為縱向穿過此圓柱體,並延伸通過第一外直徑部分且至少部分進入到第二外直徑部分;以及一第二通道,其與第一通道同軸地對準,並且從第一通道的端部向頂部的端部縱向延伸,其中第一外直徑部分大於第二外直徑部分。
简体摘要：本新型提供了多个气体注入喷嘴,其适合与等离子反应器中的气体分布环模制连接,以用于处理诸如罩幕或晶圆的工件。气体注入喷嘴包括一中空圆柱体,中空圆柱体具有:一第一外直径部分和限定一顶部的一第二外直径部分;一第一信道,其形成为纵向穿过此圆柱体,并延伸通过第一外直径部分且至少部分进入到第二外直径部分;以及一第二信道,其与第一信道同轴地对准,并且从第一信道的端部向顶部的端部纵向延伸,其中第一外直径部分大于第二外直径部分。

4. 发明专利

TW200814860A 具有動態可調式電漿源功率施加器的電漿反應器 PLASMA REACTOR WITH A DYNAMICALLY ADJUSTABLE PLASMA SOURCE POWER APPLICATOR 审中-公开
简体标题：具有动态可调式等离子源功率施加器的等离子反应器 PLASMA REACTOR WITH A DYNAMICALLY ADJUSTABLE PLASMA SOURCE POWER APPLICATOR
公开(公告)号：TW200814860A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096115640
申请日：2007-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：强德拉屈得馬哈法R CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 禮文頓理查 LEWINGTON, RICHARD , 拜文斯達倫 BIVENS, DARIN , 庫默亞傑 KUMAR, AJAY , 伊波拉罕伊波拉罕M IBRAHIM, IBRAHIM M. , 葛利姆柏根麥可N GRIMBERGEN, MICHAEL N. , 寇瑞妮 KOCH, RENEE , 潘那葉席巴J PANAYIL, SHEEBA J.
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/321 , H01L21/67069
摘要：本發明係為一種用於處理一工件(workpiece)的電漿反應器,其包括一製程室,而該製程室包括一具有一頂壁的外殼,並且包括一大致垂置於頂壁之對稱垂直軸、一位於製程室內且大致面向頂壁的工件支撐座、一耦接至製程室的製程氣體注入裝置,以及一耦接至製程室之真空幫浦。反應器更包括:一電漿源功率施加器,其位於頂壁上方,並且包括一徑向內部施加器部分、一徑向外部施加器部分,以及耦接至內部及外部施加器部分之一射頻(RF)功率裝置;以及一傾斜裝置,係支撐至少該外部施加器部分,並且能夠使至少該外部施加器部分沿著垂直於對稱垂直軸之一徑向軸而傾斜,並且能夠使至少該外部施加器部分沿著對稱垂直軸而旋轉。反應器可更包括一升舉裝置,其係用於改變內部及外部施加器部分沿著對稱垂直軸而相對於彼此之位置。於一較佳實施例中,升舉裝置包括一升舉致動器,其係用以使內部施加器部分沿著對稱垂直軸而上升或下降。
简体摘要：本发明系为一种用于处理一工件(workpiece)的等离子反应器,其包括一制程室,而该制程室包括一具有一顶壁的外壳,并且包括一大致垂置于顶壁之对称垂直轴、一位于制程室内且大致面向顶壁的工件支撑座、一耦接至制程室的制程气体注入设备,以及一耦接至制程室之真空帮浦。反应器更包括:一等离子源功率施加器,其位于顶壁上方,并且包括一径向内部施加器部分、一径向外部施加器部分,以及耦接至内部及外部施加器部分之一射频(RF)功率设备;以及一倾斜设备,系支撑至少该外部施加器部分,并且能够使至少该外部施加器部分沿着垂直于对称垂直轴之一径向轴而倾斜,并且能够使至少该外部施加器部分沿着对称垂直轴而旋转。反应器可更包括一升举设备,其系用于改变内部及外部施加器部分沿着对称垂直轴而相对于彼此之位置。于一较佳实施例中,升举设备包括一升举致动器,其系用以使内部施加器部分沿着对称垂直轴而上升或下降。

5. 发明专利

TW200601429A 用於光罩電漿蝕刻之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR PHOTOMASK PLASMA ETCHING 失效
简体标题：用于光罩等离子蚀刻之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR PHOTOMASK PLASMA ETCHING
公开(公告)号：TW200601429A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094110929
申请日：2005-04-06
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫默亞傑 KUMAR, AJAY , 仙卓須德麥哈維 CHANDRACHOOD, MADHAVI , 安德森史考特亞倫 ANDERSON, SCOTT ALAN , 沙特潘威夏彼得 SATITPUNWAYCHA, PETER , 邱偉帆 YAU, WAI FAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32651 , G03F1/80 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32871 , H01J2237/0225
摘要：在此提供一種用於光罩蝕刻的方法及設備。在一實施例中，一種蝕刻一光罩的方法包括提供一處理室，其具有一基材支撐座用來接收一光罩基材於其上；一離子–自由基(ion–radical)屏蔽件被提供在該座上方；一基材被放置在該座上位在該離子–自由基屏蔽件底下；一處理氣體被引入到該處理室內且由從該處理氣體中形成一電漿，該基材主要係以穿過該屏蔽件的自由基來蝕刻。
简体摘要：在此提供一种用于光罩蚀刻的方法及设备。在一实施例中，一种蚀刻一光罩的方法包括提供一处理室，其具有一基材支撑座用来接收一光罩基材于其上；一离子–自由基(ion–radical)屏蔽件被提供在该座上方；一基材被放置在该座上位在该离子–自由基屏蔽件底下；一处理气体被引入到该处理室内且由从该处理气体中形成一等离子，该基材主要系以穿过该屏蔽件的自由基来蚀刻。

6. 实用新型

TWM343237U 具有陰極舉升梢組件之光罩電漿蝕刻反應室 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH CATHODE LIFT PIN ASSEMBLY 失效
简体标题：具有阴极举升梢组件之光罩等离子蚀刻反应室 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH CATHODE LIFT PIN ASSEMBLY
公开(公告)号：TWM343237U
公开(公告)日：2008-10-21
申请号：TW096218062
申请日：2007-10-26
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：禮文頓理查 LEWINGTON, RICHARD , 格林柏恩麥克N. GRIMBERGEN, MICHAEL N. , 古延基姆 NGUYEN, KHIEM K. , 拜文斯達倫 BIVENS, DARIN , 强德拉屈得馬哈法R CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 庫默亞傑 KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01J
摘要：本創作提供一種用於電漿反應器的升降梢,以用來蝕
刻工件。在一個實施例中,升降梢包括具有環形橫截面的
縱向主體,該主體具有圓形第一末端、圓形第二末端,以
及形成在該第二末端中的凹陷區域,該凹陷區域適於可拆
卸地連接到設置在電漿室中的升降板,其中該主體包括第
一直徑區域,並且該凹陷區域包括至少兩直徑區域,該些
直徑區域具有一被一肩部分開的較小直徑。
简体摘要：本创作提供一种用于等离子反应器的升降梢,以用来蚀刻工件。在一个实施例中,升降梢包括具有环形横截面的纵向主体,该主体具有圆形第一末端、圆形第二末端,以及形成在该第二末端中的凹陷区域,该凹陷区域适于可拆卸地连接到设置在等离子室中的升降板,其中该主体包括第一直径区域,并且该凹陷区域包括至少两直径区域,该些直径区域具有一被一肩部分开的较小直径。

7. 发明专利

TW200821397A 電漿反應器系統之工件旋轉設備 WORKPIECE ROTATION APPARATUS FOR A PLASMA REACTOR SYSTEM 审中-公开
简体标题：等离子反应器系统之工件旋转设备 WORKPIECE ROTATION APPARATUS FOR A PLASMA REACTOR SYSTEM
公开(公告)号：TW200821397A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096126716
申请日：2007-07-20
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：禮文頓理查 LEWINGTON, RICHARD , 古延基姆 NGUYEN, KHIEM K. , 庫默亞傑 KUMAR, AJAY , 伊波拉罕伊波拉罕M IBRAHIM, IBRAHIM M. , 仙卓須德麥哈維 CHANDRACHOOD, MADHAVI R. , 安德森史考特艾倫 ANDERSON, SCOTT ALAN
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/67766 , H01L21/67069
摘要：本發明提供了一種用於處理平面工件的電漿處理系統,其具有相對於系統的一電漿處理腔室來改變工件的旋轉位置的能力。系統工件傳送設備耦接到系統的反應腔室。工件傳送設備能傳送工件進出各個腔室。該系統進一步包括一與工件傳送設備耦接的工廠介面,用於傳送工件進出電漿處理系統的一工廠環境外部。工廠介面包括(a)一框架;其限定一內空間;(b)一可旋轉且可轉移的臂,其被支撐在該內空間內的所述框架上;(c)一工件運送葉片,其附接到該臂的外端;以及(d)一固定的工件夾持支撐托架,其便於工件的旋轉。
简体摘要：本发明提供了一种用于处理平面工件的等离子处理系统,其具有相对于系统的一等离子处理腔室来改变工件的旋转位置的能力。系统工件发送设备耦接到系统的反应腔室。工件发送设备能发送工件进出各个腔室。该系统进一步包括一与工件发送设备耦接的工厂界面,用于发送工件进出等离子处理系统的一工厂环境外部。工厂界面包括(a)一框架;其限定一内空间;(b)一可旋转且可转移的臂,其被支撑在该内空间内的所述框架上;(c)一工件运送叶片,其附接到该臂的外端;以及(d)一固定的工件夹持支撑托架,其便于工件的旋转。

8. 发明专利

TW200712757A 經由適用於光罩製造之碳硬罩幕以電漿蝕刻鉻層之方法 METHOD FOR PLASMA ETCHING A CHROMIUM LAYER THROUGH A CARBON HARDMASK SUITABLE FOR PHOTOMASK FABRICATION 失效
简体标题：经由适用于光罩制造之碳硬罩幕以等离子蚀刻铬层之方法 METHOD FOR PLASMA ETCHING A CHROMIUM LAYER THROUGH A CARBON HARDMASK SUITABLE FOR PHOTOMASK FABRICATION
公开(公告)号：TW200712757A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095134103
申请日：2006-09-14
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫默亞傑 KUMAR, AJAY
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C23F4/00 , G03F1/80 , G03F7/70433 , H01J37/321
摘要：本文提供一種使用碳硬罩幕來蝕刻鉻並形成一光罩的方法。在一實施例中,蝕刻鉻層方法包括:於一處理室中提供一基板,該基板有部分透過一圖案化的碳硬罩幕而暴露出來;提供一含氯與一氧化碳之處理氣體進入該蝕刻室中;以及維持由該處理氣體所形成之電漿並透過該碳硬罩幕蝕刻該鉻層。該透過一圖案化碳硬罩幕層來蝕刻鉻層的方法可用於製造光罩。
简体摘要：本文提供一种使用碳硬罩幕来蚀刻铬并形成一光罩的方法。在一实施例中,蚀刻铬层方法包括:于一处理室中提供一基板,该基板有部分透过一图案化的碳硬罩幕而暴露出来;提供一含氯与一氧化碳之处理气体进入该蚀刻室中;以及维持由该处理气体所形成之等离子并透过该碳硬罩幕蚀刻该铬层。该透过一图案化碳硬罩幕层来蚀刻铬层的方法可用于制造光罩。

9. 发明专利

TWI313394B 一種蝕刻鉻層及形成其光罩之方法 METHOD FOR PHOTOMASK PLASMA ETCHING USING A PROTECTED MASK 失效
简体标题：一种蚀刻铬层及形成其光罩之方法 METHOD FOR PHOTOMASK PLASMA ETCHING USING A PROTECTED MASK
公开(公告)号：TWI313394B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW095102080
申请日：2006-01-19
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：仙卓須德麥哈維 CHANDRACHOOD, MADHAVI , 庫默亞傑 KUMAR, AJAY , 邱偉帆 YAU, WAI-FAN
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/80
摘要：本發明提供一種蝕刻鉻層與形成光罩之方法。在一個實施例中,蝕刻鉻的方法包含:在製程反應室中提供具有鉻層之膜堆疊;圖案化位於膜堆疊上之光阻層;沉積保形保護層於經圖案化之光阻層上;蝕刻保形保護層以使鉻層透過該經圖案化之光阻層而暴露;以及蝕刻鉻層。本發明蝕刻鉻層之方法係特別適合於製作光罩。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻铬层与形成光罩之方法。在一个实施例中,蚀刻铬的方法包含:在制程反应室中提供具有铬层之膜堆栈;图案化位于膜堆栈上之光阻层;沉积保形保护层于经图案化之光阻层上;蚀刻保形保护层以使铬层透过该经图案化之光阻层而暴露;以及蚀刻铬层。本发明蚀刻铬层之方法系特别适合于制作光罩。

10. 发明专利

TW200826185A 具有背側光學偵測器與蝕刻散佈之多頻率控制的罩幕蝕刻電漿反應器 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH BACKSIDE OPTICAL SENSORS AND MULTIPLE FREQUENCY CONTROL OF ETCH DISTRIBUTION 审中-公开
简体标题：具有背侧光学侦测器与蚀刻散布之多频率控制的罩幕蚀刻等离子反应器 MASK ETCH PLASMA REACTOR WITH BACKSIDE OPTICAL SENSORS AND MULTIPLE FREQUENCY CONTROL OF ETCH DISTRIBUTION
公开(公告)号：TW200826185A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096126715
申请日：2007-07-20
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：禮文頓理查 LEWINGTON, RICHARD , 派特森亞歷山大 PATERSON, ALEXANDER , 格林柏恩麥克N GRIMBERGEN, MICHAEL N. , 庫默亞傑 KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/3299
摘要：本發明提供一種具有蝕刻參數多頻控制的電漿反應器。該反應器包括反應室和位在該室內的工件支撐台座,該室具有面向該工件支撐台座的頂板,以及感應耦合源功率施加器和電容耦合電漿源功率施加器。一光纖陣列延伸穿過該工件支撐台座的支撐表面,以由其底面來觀察工件。光學偵測器連接到光纖的輸出端。該反應器還包括一控制器,用以回應光學偵測器來調整利用感應耦合電漿源功率施加器和電容耦合電漿源功率施加器同時耦合到室中電漿的功率相對量。
简体摘要：本发明提供一种具有蚀刻参数多频控制的等离子反应器。该反应器包括反应室和位在该室内的工件支撑台座,该室具有面向该工件支撑台座的顶板,以及感应耦合源功率施加器和电容耦合等离子源功率施加器。一光纤数组延伸穿过该工件支撑台座的支撑表面,以由其底面来观察工件。光学侦测器连接到光纤的输出端。该反应器还包括一控制器,用以回应光学侦测器来调整利用感应耦合等离子源功率施加器和电容耦合等离子源功率施加器同时耦合到室中等离子的功率相对量。

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