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1. 发明专利

TWI554636B 由金屬脒鹽前驅物製造介電膜的方法有权
简体标题：由金属脒盐前驱物制造介电膜的方法
公开(公告)号：TWI554636B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW102114224
申请日：2013-04-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：洪史帝芬 , HUNG, STEVEN , 諾里阿提夫 , NOORI, ATIF , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID , 先崎吉秀 , SENZAKI, YOSHIHIDE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02565 , C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L29/517

2. 发明专利

TW201346056A 由金屬脒鹽前驅物製造介電膜的方法审中-公开
简体标题：由金属脒盐前驱物制造介电膜的方法
公开(公告)号：TW201346056A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102114224
申请日：2013-04-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：洪史帝芬 , HUNG, STEVEN , 諾里阿提夫 , NOORI, ATIF , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID , 先崎吉秀 , SENZAKI, YOSHIHIDE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02565 , C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L29/517
摘要：本案描述用於使用金屬脒鹽前驅物原子層沉積包含混合金屬氧化物之膜的方法。混合金屬氧化物膜可包含鑭系元素及諸如鉿、鋯及/或鈦之過渡金屬。此等混合金屬氧化物膜可用作以下各者中之介電層：電容器、電晶體、動態隨機存取記憶體單元、電阻式隨機存取記憶體單元、快閃記憶體單元及顯示面板。
简体摘要：本案描述用于使用金属脒盐前驱物原子层沉积包含混合金属氧化物之膜的方法。混合金属氧化物膜可包含镧系元素及诸如铪、锆及/或钛之过渡金属。此等混合金属氧化物膜可用作以下各者中之介电层：电容器、晶体管、动态随机存取内存单元、电阻式随机存取内存单元、闪存单元及显示皮肤。

3. 发明专利

TW201408810A 用於沉積貧氧金屬膜的方法审中-公开
简体标题：用于沉积贫氧金属膜的方法
公开(公告)号：TW201408810A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102123667
申请日：2013-07-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：諸紹芳 , CHU, SCHUBERT , 平爾順 , PING, ER-XUAN , 先崎吉秀 , SENZAKI, YOSHIHIDE
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/06 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C28/00 , C23C28/042 , C23C28/048 , C23C28/42 , C23C28/44
摘要：在此描述的是沉積貧氧金屬膜的方法，該方法是透過基材上具有預定貧氧度的至少一個前驅物的化學反應所完成。示範性方法包括：於金屬氧化物沉積循環期間，將該基材暴露至包含金屬的金屬反應物氣體與包含氧的氧反應物氣體，以在基材上形成含有金屬氧化物之層；於貧氧沉積循環期間，將該基材暴露至包含金屬的金屬反應物氣體與排除氧的額外反應物氣體，以於第二循環期間在該基材上形成金屬氮化物與混合金屬之至少一者的第二層，該第二層相對於含有該金屬氧化物之層為貧氧；以及重覆該金屬氧化物沉積循環與該貧氧沉積循環，以形成具有預定貧氧度的貧氧膜。
简体摘要：在此描述的是沉积贫氧金属膜的方法，该方法是透过基材上具有预定贫氧度的至少一个前驱物的化学反应所完成。示范性方法包括：于金属氧化物沉积循环期间，将该基材暴露至包含金属的金属反应物气体与包含氧的氧反应物气体，以在基材上形成含有金属氧化物之层；于贫氧沉积循环期间，将该基材暴露至包含金属的金属反应物气体与排除氧的额外反应物气体，以于第二循环期间在该基材上形成金属氮化物与混合金属之至少一者的第二层，该第二层相对于含有该金属氧化物之层为贫氧；以及重复该金属氧化物沉积循环与该贫氧沉积循环，以形成具有预定贫氧度的贫氧膜。

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