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1. 发明专利

TW201701478A 水平環繞式閘極與鰭式場效電晶體元件的隔離审中-公开
简体标题：水平环绕式闸极与鳍式场效应管组件的隔离
公开(公告)号：TW201701478A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105114153
申请日：2016-05-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫世宇 , SUN, SHIYU , 吉田尙美 , YOSHIDA, NAOMI , 瓜立尼泰瑞莎克拉莫 , GUARINI, THERESA KRAMER , 全晟元 , JUN, SUNG WON , 佩納凡奈莎 , PENA, VANESSA , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 哥倫布班傑明 , COLOMBEAU, BENJAMIN , 恰德席克麥克 , CHUDZIK, MICHAEL , 孫冰西 , WOOD, BINGXI , 金男成 , KIM, NAMSUNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/15 , H01L27/16
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/1054 , H01L29/42392 , H01L29/66545 , H01L29/78642
摘要：本文中所述的實施例總體涉及用於水平環繞式閘極（hGAA）隔離和鰭式場效電晶體（FinFET）隔離的方法和裝置。可在基材上形成包括按交替式堆疊形成來佈置的不同材料的超晶格結構。在一個實施例中，可氧化超晶格結構的層中的至少一層以形成鄰接基材的埋入式氧化物層。
简体摘要：本文中所述的实施例总体涉及用于水平环绕式闸极（hGAA）隔离和鳍式场效应管（FinFET）隔离的方法和设备。可在基材上形成包括按交替式堆栈形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可氧化超晶格结构的层中的至少一层以形成邻接基材的埋入式氧化物层。

2. 发明专利

TW454247B 以離子金屬電漿形成之閘極電極鉭、鉭的氮化物、鎢及鎢的氮化物薄層失效
简体标题：以离子金属等离子形成之闸极电极钽、钽的氮化物、钨及钨的氮化物薄层
公开(公告)号：TW454247B
公开(公告)日：2001-09-11
申请号：TW089113910
申请日：2000-07-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：姜品成 , 孫冰西 , 舒拉傑雷格拉珍 , 丁培軍 , 秦貝瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1087 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L28/40 , H01L28/56 , H01L28/75
摘要：本發明係提供一種形成微電子元件的方法，其至少包含形成一第一電極;利用高密度電漿物理氣相沉積法沉積一附著層於第一電極之上，其中附著層至少含有一材料選自由鉭、鉭的氮化物(TaNvx)、鎢、鎢的氮化物(WNvx)、鉭/鉭的氮化物、以及鎢/鎢的氮化物及以上材料之組合所組成的群組;沉積一介電層於附著層之上;以及形成一第二電極於介電層之上。本發明亦提供一種微電子元件，其至少包含第一電極、第二電極、配置於第一電極與第二電極之間的介電層，以及配置於第一電極與介電層之間的附著層，其中附著層至少含有一種材料選自由鉭、鉭的氮化物、鎢、鎢的氮化物、鉭/鉭的氮化物、以及鎢/鎢的氮化物及以上材料之組合所組成的群組。
简体摘要：本发明系提供一种形成微电子组件的方法，其至少包含形成一第一电极;利用高密度等离子物理气相沉积法沉积一附着层于第一电极之上，其中附着层至少含有一材料选自由钽、钽的氮化物(TaNvx)、钨、钨的氮化物(WNvx)、钽/钽的氮化物、以及钨/钨的氮化物及以上材料之组合所组成的群组;沉积一介电层于附着层之上;以及形成一第二电极于介电层之上。本发明亦提供一种微电子组件，其至少包含第一电极、第二电极、配置于第一电极与第二电极之间的介电层，以及配置于第一电极与介电层之间的附着层，其中附着层至少含有一种材料选自由钽、钽的氮化物、钨、钨的氮化物、钽/钽的氮化物、以及钨/钨的氮化物及以上材料之组合所组成的群组。

3. 发明专利

TW546393B 以物理氣相沉積-離子化金屬電漿製程沉積做為薄層、阻障層與/或晶種層之鎢及氮化鎢使其適用於鎢、鋁及銅的系統及方法有权
简体标题：以物理气相沉积-离子化金属等离子制程沉积做为薄层、阻障层与/或晶种层之钨及氮化钨使其适用于钨、铝及铜的系统及方法
公开(公告)号：TW546393B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW089121873
申请日：2000-10-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：孫冰西 , 丁培軍 , 秦貝瑞 , 那摩亞麥堤 , 維卡許班西亞 , S 布雷海奈 , 狄尼斯塞格 , 張壁如 , 保羅奇達基安 , 麥華山 , 姚公達 , 徐征
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/16 , C23C14/358 , H01L21/2855 , H01L21/76876
摘要：本發明提供一種沉積鎢為主襯層/阻障層於基底上之方法，較佳是使用高密度電漿PVD製程，例如離子化金屬電漿(IMP)製程或從目標物離子化經濺鍍流動材質之其他製程。假如 Ti及/或TiN襯層/阻障層被沉積，經由 PVD-IMP處理來沉積鎢，本發明提供一種降低或消除介於 WF6與Ti、TiN與Si材質間之反應。也可在氮源存在中沉積鎢，以製造氮化鎢襯層/阻障層。鎢襯層/阻障層後可經由CVD製程來沉積另一鎢層。鎢與其他材質也可經由其他製程來沉積，例如電鍍製程與其他型式之PVD包括非離子化濺鍍、對準濺鍍與長射出濺鍍。
简体摘要：本发明提供一种沉积钨为主衬层/阻障层于基底上之方法，较佳是使用高密度等离子PVD制程，例如离子化金属等离子(IMP)制程或从目标物离子化经溅镀流动材质之其他制程。假如 Ti及/或TiN衬层/阻障层被沉积，经由 PVD-IMP处理来沉积钨，本发明提供一种降低或消除介于 WF6与Ti、TiN与Si材质间之反应。也可在氮源存在中沉积钨，以制造氮化钨衬层/阻障层。钨衬层/阻障层后可经由CVD制程来沉积另一钨层。钨与其他材质也可经由其他制程来沉积，例如电镀制程与其他型式之PVD包括非离子化溅镀、对准溅镀与长射出溅镀。

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