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1. 发明专利

TW470782B 回流反應室與製程失效
简体标题：回流反应室与制程
公开(公告)号：TW470782B
公开(公告)日：2002-01-01
申请号：TW088102315
申请日：1999-02-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：王厚工 , 賴史帝夫 , 姚公達 , 丁培軍
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/76877 , C23C16/4404 , Y10T24/44017
摘要：本發明提供一物質層之回流方法及設備。本發明之方法是將一物質引入回流反應室，該物質的反應性至少與被回流的物質(例如吸氣物質(gettering))一樣或更具反應性。當遮罩阻止吸氣物質到達被回流的物質層，吸氣物質通常以濺鍍方式沉積於回流反應室內。遮罩可與將晶圓(包含被回流的物質層)夾至晶圓支座的箝夾耦合或成一整體，兩提供足夠的氣體出口量，如此自晶圓去吸附的污染物可流進濺鍍靶及遮罩之間的區域，該遮單是污染物與吸氣物質反應的地方。遮罩可有一避免吸氣物質自遮罩成片剝落的粗糙上表面(面對濺鍍靶的表面)，及/或遮罩可有一反射熱能至晶圓的反射底表面(面對晶圓的表面)。
简体摘要：本发明提供一物质层之回流方法及设备。本发明之方法是将一物质引入回流反应室，该物质的反应性至少与被回流的物质(例如吸气物质(gettering))一样或更具反应性。当遮罩阻止吸气物质到达被回流的物质层，吸气物质通常以溅镀方式沉积于回流反应室内。遮罩可与将晶圆(包含被回流的物质层)夹至晶圆支座的箝夹耦合或成一整体，两提供足够的气体出口量，如此自晶圆去吸附的污染物可流进溅镀靶及遮罩之间的区域，该遮单是污染物与吸气物质反应的地方。遮罩可有一避免吸气物质自遮罩成片剥落的粗糙上表面(面对溅镀靶的表面)，及/或遮罩可有一反射热能至晶圆的反射底表面(面对晶圆的表面)。

2. 发明专利

TW434677B 減輕第一晶圓效應(FWE)之方法與設備失效
简体标题：减轻第一晶圆效应(FWE)之方法与设备
公开(公告)号：TW434677B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW087101221
申请日：1998-02-02
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：王厚工 , 姚公達
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768
摘要：一種減輕並消除第一晶圓效應的方法及設備被提供。特別是，在一使用了一用於會造成第一晶圓效應的材料(FWE材料)的熱沉積之分離的熱反應室的方法或一系統中，一冷的第一晶圓效應材料層於該第一晶圓效應材料層的沉積之前於該熱沉積反應室中被沉積。
简体摘要：一种减轻并消除第一晶圆效应的方法及设备被提供。特别是，在一使用了一用于会造成第一晶圆效应的材料(FWE材料)的热沉积之分离的热反应室的方法或一系统中，一冷的第一晶圆效应材料层于该第一晶圆效应材料层的沉积之前于该热沉积反应室中被沉积。

3. 发明专利

TW526583B 用於鋁平坦化製程之阻障層的施用方法有权
简体标题：用于铝平坦化制程之阻障层的施用方法
公开(公告)号：TW526583B
公开(公告)日：2003-04-01
申请号：TW089122003
申请日：2000-10-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：史利辛維 , 舒拉傑雷格拉珍 , 丁培軍 , 姚公達
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76877
摘要：本發明提供一種有效的阻障層用來改善在高深寬比次微米設備中之低溫介層孔(via)填充，特別是在一基材的接點層級。在本發明的一態樣中，一特徵(feature)藉由首先沉積一阻障層於一具有高深寬比接點或介層孔形成於其上的基材之上而被填充。該阻障層最好是由Ta，TaNx， W，WNx或它們的組合所構成。一CVD保形金屬層然後於低溫下被沉積於該阻障層之上用以提供一供PVD金屬用之保形濕潤層。接下來，一PVD金屬層於低於該金屬的熔點溫度的溫度下被沉積於先前被形成的CVD保形金屬層之上以允許該CVD保形層及該PVD金屬層流動至該介層孔中。
简体摘要：本发明提供一种有效的阻障层用来改善在高深宽比次微米设备中之低温介层孔(via)填充，特别是在一基材的接点层级。在本发明的一态样中，一特征(feature)借由首先沉积一阻障层于一具有高深宽比接点或介层孔形成于其上的基材之上而被填充。该阻障层最好是由Ta，TaNx， W，WNx或它们的组合所构成。一CVD保形金属层然后于低温下被沉积于该阻障层之上用以提供一供PVD金属用之保形湿润层。接下来，一PVD金属层于低于该金属的熔点温度的温度下被沉积于先前被形成的CVD保形金属层之上以允许该CVD保形层及该PVD金属层流动至该介层孔中。

4. 发明专利

TW377460B 用於離子化金屬電漿沈積之中央線圈設計失效
简体标题：用于离子化金属等离子沉积之中央线圈设计
公开(公告)号：TW377460B
公开(公告)日：1999-12-21
申请号：TW087107584
申请日：1998-05-15
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：洪魯保 , 王宏剛 , 姚公達 , 徐征
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/34 , H01J2237/3323
摘要：一種電漿產生裝置中，線圈設置於目標與工件間而電感耦合RF能至電漿，故部分離子化沉積材料路徑由工件中心朝向工件邊緣偏折。結果發現可改良沉積均勻度。示例說明之具體例中，線圈為形成概略平面螺旋以沉積材料流對中之多匝線圈。
简体摘要：一种等离子产生设备中，线圈设置于目标与工件间而电感耦合RF能至等离子，故部分离子化沉积材料路径由工件中心朝向工件边缘偏折。结果发现可改良沉积均匀度。示例说明之具体例中，线圈为形成概略平面螺旋以沉积材料流对中之多匝线圈。

5. 发明专利

TW367528B 鋁接點用之鋁化鈦潤濕層失效
简体标题：铝接点用之铝化钛润湿层
公开(公告)号：TW367528B
公开(公告)日：1999-08-21
申请号：TW086101204
申请日：1997-02-01
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：姚公達 , 徐征 , 裘賀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843
摘要：一種改良鋁接點及於基質之開口形成鋁接點之方法，包括於開口噴鍍沈積一層鋁化鈦濕潤層，及沈積一層鋁層於其上。鋁化鈦濕潤層具有經控制的厚度。
简体摘要：一种改良铝接点及于基质之开口形成铝接点之方法，包括于开口喷镀沉积一层铝化钛湿润层，及沉积一层铝层于其上。铝化钛湿润层具有经控制的厚度。

6. 发明专利

TW353194B 經塗覆之沈積室設備失效
简体标题：经涂覆之沉积室设备
公开(公告)号：TW353194B
公开(公告)日：1999-02-21
申请号：TW086117659
申请日：1997-11-25
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：姚公達
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32504 , C23C14/34 , C23C14/564
摘要：一種塗層施用至半導體裝置製造設備特別施用至沉積室內任何表面上。塗層之特性可增進沉積其上之層之黏著，及減少介於設備表面與沉積層間之應力。因此，塗層可減低沉積層剝離沉積設備而污染基材的機率。就一種態樣而言，設備表面於施用塗層前被粗化。
简体摘要：一种涂层施用至半导体设备制造设备特别施用至沉积室内任何表面上。涂层之特性可增进沉积其上之层之黏着，及减少介于设备表面与沉积层间之应力。因此，涂层可减低沉积层剥离沉积设备而污染基材的概率。就一种态样而言，设备表面于施用涂层前被粗化。

7. 发明专利

TW546393B 以物理氣相沉積-離子化金屬電漿製程沉積做為薄層、阻障層與/或晶種層之鎢及氮化鎢使其適用於鎢、鋁及銅的系統及方法有权
简体标题：以物理气相沉积-离子化金属等离子制程沉积做为薄层、阻障层与/或晶种层之钨及氮化钨使其适用于钨、铝及铜的系统及方法
公开(公告)号：TW546393B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW089121873
申请日：2000-10-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：孫冰西 , 丁培軍 , 秦貝瑞 , 那摩亞麥堤 , 維卡許班西亞 , S 布雷海奈 , 狄尼斯塞格 , 張壁如 , 保羅奇達基安 , 麥華山 , 姚公達 , 徐征
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/16 , C23C14/358 , H01L21/2855 , H01L21/76876
摘要：本發明提供一種沉積鎢為主襯層/阻障層於基底上之方法，較佳是使用高密度電漿PVD製程，例如離子化金屬電漿(IMP)製程或從目標物離子化經濺鍍流動材質之其他製程。假如 Ti及/或TiN襯層/阻障層被沉積，經由 PVD-IMP處理來沉積鎢，本發明提供一種降低或消除介於 WF6與Ti、TiN與Si材質間之反應。也可在氮源存在中沉積鎢，以製造氮化鎢襯層/阻障層。鎢襯層/阻障層後可經由CVD製程來沉積另一鎢層。鎢與其他材質也可經由其他製程來沉積，例如電鍍製程與其他型式之PVD包括非離子化濺鍍、對準濺鍍與長射出濺鍍。
简体摘要：本发明提供一种沉积钨为主衬层/阻障层于基底上之方法，较佳是使用高密度等离子PVD制程，例如离子化金属等离子(IMP)制程或从目标物离子化经溅镀流动材质之其他制程。假如 Ti及/或TiN衬层/阻障层被沉积，经由 PVD-IMP处理来沉积钨，本发明提供一种降低或消除介于 WF6与Ti、TiN与Si材质间之反应。也可在氮源存在中沉积钨，以制造氮化钨衬层/阻障层。钨衬层/阻障层后可经由CVD制程来沉积另一钨层。钨与其他材质也可经由其他制程来沉积，例如电镀制程与其他型式之PVD包括非离子化溅镀、对准溅镀与长射出溅镀。

8. 发明专利

TW501231B 以溼潤\阻障層避免電致遷移之鋁內連線結構及其形成方法失效
$以溼潤\阻障層避免電致遷移之鋁內連線結構及其形成方法$
简体标题：以湿润\阻障层避免电致迁移之铝内连接结构及其形成方法
公开(公告)号：TW501231B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW089101534
申请日：2000-01-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蘇京昂 , 姚公達 , 徐征 , 陳福森
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
摘要：將鋁層沉積在三層潤濕／阻障層結構(Ti／TiN／TiNx)之上方可得到良好的電遷移特性。吾人已發現將鋁層沉積在數種不同的潤濕層或潤濕／阻障層結構之上所得到的(111)結構都可以得到小於1度或更小的旋轉戌線半最大值全帶寬(Rocking Curve FWHM)角。這些阻障層包含：(1)單獨鈦本身，其由高密度電漿所形成；(2)鈦／氮化鈦，兩層都由高密度電漿產生；及(3)鈦／氮化鈦，其中鈦為高密度電漿所產生，而氮化鈦層為標準濺鍍法或準直濺鍍法形成。這些阻障層可以在單一反應室或兩個反應室中形成，完全依阻障層的組成及沉積反應室的特性而定。此外，吾人發現將鋁層沉積在三層阻障層結構(具有至少利用高密度電漿形成之初始鈦層)之上能得到優異的防止電遷移特性，這對鋁沉積溫度低於350℃、並用於形成內連線之應用中特別是如此。另外，吾人更進一步發現在至少初始鈦層形成時，將基材加以偏壓(以將離子吸引至基材)能改善最後形成之鋁層的(111)結構，但當所加偏壓值至一定點之後，(111)結構則開始降低。
简体摘要：将铝层沉积在三层润湿／阻障层结构(Ti／TiN／TiNx)之上方可得到良好的电迁移特性。吾人已发现将铝层沉积在数种不同的润湿层或润湿／阻障层结构之上所得到的(111)结构都可以得到小于1度或更小的旋转戌线半最大值全带宽(Rocking Curve FWHM)角。这些阻障层包含：(1)单独钛本身，其由高密度等离子所形成；(2)钛／氮化钛，两层都由高密度等离子产生；及(3)钛／氮化钛，其中钛为高密度等离子所产生，而氮化钛层为标准溅镀法或准直溅镀法形成。这些阻障层可以在单一反应室或两个反应室中形成，完全依阻障层的组成及沉积反应室的特性而定。此外，吾人发现将铝层沉积在三层阻障层结构(具有至少利用高密度等离子形成之初始钛层)之上能得到优异的防止电迁移特性，这对铝沉积温度低于350℃、并用于形成内连接之应用中特别是如此。另外，吾人更进一步发现在至少初始钛层形成时，将基材加以偏压(以将离子吸引至基材)能改善最后形成之铝层的(111)结构，但当所加偏压值至一定点之后，(111)结构则开始降低。

9. 发明专利

TW454248B 用以在具電感性耦合電漿之腔室中進行濺鍍期間提高側壁覆蓋率之方法及裝置失效
简体标题：用以在具电感性耦合等离子之腔室中进行溅镀期间提高侧壁覆盖率之方法及设备
公开(公告)号：TW454248B
公开(公告)日：2001-09-11
申请号：TW087100150
申请日：1998-01-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：徐征 , 姚公達
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/34 , H01L21/76877
摘要：增加用於一基體通道或溝槽之一潤濕層中之側壁覆蓋率，係在一電感耦合電漿腔室中藉由濺鍍相對純鋁而被達成。
简体摘要：增加用于一基体信道或沟槽之一润湿层中之侧壁覆盖率，系在一电感耦合等离子腔室中借由溅镀相对纯铝而被达成。

10. 发明专利

TW441066B 鋁插塞之摻雜矽的鈦溼潤層失效
简体标题：铝插塞之掺杂硅的钛湿润层
公开(公告)号：TW441066B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW087103911
申请日：1998-03-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：姚公達 , 丁培軍 , 徐征 , 柯豪
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76882 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種製造半導體工件裡之金屬插塞，例如鋁插塞的方法。本發明適用於填充狹窄，高寬比高的孔，而且本發明將金屬插塞與濕潤層之間TiA13或其他產物的形成減到最少。首先，視需要之陣壁層係藉由以含有摻雜矽之氮化鈦的薄膜覆蓋孔底部而得。其次，濕潤層係藉由以含有摻雜矽之鈦薄膜(Ti:Si莫耳比大於1:2)覆蓋孔側壁而得。較佳地，濕潤層係藉由使用包含O.l%到20重量%矽，最佳5%到10重量%矽的鈦濺散靶材以濺散沉積法而得。再者，孔係藉由沉積主要包含鋁之材料而填滿。孔較佳藉由濺散沉積法，使用視需要地包含例如銅等摻雜物的鋁濺散靶材填充。為了有助於沒有空隙地填充孔，鋁濺散沉積法係以“溫熱的”來進行為較佳，即，該工件之溫度低於鋁之熔點但高到足以促進已沉積鋁回流。濕潤層裡的矽原子抑制鈦與鋁反應，而濕潤層有助於以鋁材料填充孔而沒有留下未填滿的空隙。
简体摘要：一种制造半导体工件里之金属插塞，例如铝插塞的方法。本发明适用于填充狭窄，高宽比高的孔，而且本发明将金属插塞与湿润层之间TiA13或其他产物的形成减到最少。首先，视需要之阵壁层系借由以含有掺杂硅之氮化钛的薄膜覆盖孔底部而得。其次，湿润层系借由以含有掺杂硅之钛薄膜(Ti:Si莫耳比大于1:2)覆盖孔侧壁而得。较佳地，湿润层系借由使用包含O.l%到20重量%硅，最佳5%到10重量%硅的钛溅散靶材以溅散沉积法而得。再者，孔系借由沉积主要包含铝之材料而填满。孔较佳借由溅散沉积法，使用视需要地包含例如铜等掺杂物的铝溅散靶材填充。为了有助于没有空隙地填充孔，铝溅散沉积法系以“温热的”来进行为较佳，即，该工件之温度低于铝之熔点但高到足以促进已沉积铝回流。湿润层里的硅原子抑制钛与铝反应，而湿润层有助于以铝材料填充孔而没有留下未填满的空隙。

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