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1. 发明专利

TWI499688B 改良膜厚度之不均勻性與粒子表現的ＣＶＤ設備有权
简体标题：改良膜厚度之不均匀性与粒子表现的ＣＶＤ设备
公开(公告)号：TWI499688B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW099112587
申请日：2010-04-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩賓 , TRAN, BINH , 崔安青 , CUI, ANQING , 黃柏納L , HWANG, BERNARD L. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 恩蓋葉安哈N , NGUYEN, ANH N. , 塞特辛恩M , SEUTTER, SEAN M. , 陶獻之 , TAO, XIANZHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/6719 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/45512 , C23C16/45561 , H01L21/68742 , H01L21/68785

2. 发明专利

TWI352744B 用於氮化矽化學氣相沉積之方法 METHOD FOR SILICON NITRIDE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 失效
简体标题：用于氮化硅化学气相沉积之方法 METHOD FOR SILICON NITRIDE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
公开(公告)号：TWI352744B
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：TW095120849
申请日：2006-06-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伊爾R 瑟亞納拉亞南 , 塞特辛恩M , 譚頓山傑夫 , 桑契斯愛羅安東尼歐C , 王樹林
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , H01L21/02208 , H01L21/02271 , H01L21/3185
摘要：本發明之具體實例一般而言係提供一種用於將含氮化矽層沉積在基板上之方法。方法係包括下列步驟：將位在製程反應室內之基板加熱至溫度為約650℃以下；將含氮氣體流入製程反應室；將含矽氣體流入製程反應室；及將含氮化矽層沉積在基板上。在一具體實例中，含矽氣體係包含胺基二矽烷化合物、矽烷基疊氮化合物、矽烷基聯胺化合物、或烷基矽氮烷化合物中之至少一種。在一具體實例中，胺基二矽烷化合物之化學式為R2NSiR’2SiR’2NR2，矽烷基疊氮化合物之化學式為R3SiN3、矽烷基聯胺化合物之化學式為R’3SiNRNR2，其中各R和R’係各自分別含有氫、鹵素、烷基、烯基、炔基、脂肪族烷基、環狀烷基、芳香族基、有機矽烷基、烷胺基、或含有氮或矽之環狀基。
简体摘要：本发明之具体实例一般而言系提供一种用于将含氮化硅层沉积在基板上之方法。方法系包括下列步骤：将位在制程反应室内之基板加热至温度为约650℃以下；将含氮气体流入制程反应室；将含硅气体流入制程反应室；及将含氮化硅层沉积在基板上。在一具体实例中，含硅气体系包含胺基二硅烷化合物、硅烷基叠氮化合物、硅烷基联胺化合物、或烷基硅氮烷化合物中之至少一种。在一具体实例中，胺基二硅烷化合物之化学式为R2NSiR’2SiR’2NR2，硅烷基叠氮化合物之化学式为R3SiN3、硅烷基联胺化合物之化学式为R’3SiNRNR2，其中各R和R’系各自分别含有氢、卤素、烷基、烯基、炔基、脂肪族烷基、环状烷基、芳香族基、有机硅烷基、烷胺基、或含有氮或硅之环状基。

3. 发明专利

TWI343952B 用於矽基底介電質化學氣相沉積之方法 METHOD FOR SILICON BASED DIELECTRIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 失效
简体标题：用于硅基底介电质化学气相沉积之方法 METHOD FOR SILICON BASED DIELECTRIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
公开(公告)号：TWI343952B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW095120260
申请日：2006-06-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：王亞信 , 前田祐二 , 梅禮湯瑪士C , 塞特辛恩M , 譚頓山傑夫 , 雷爾R 蘇言那拉延安
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/7834
摘要：本發明之具體實例一般而言係提供一種用於沉積含矽薄膜之方法。在一具體實例中，一種用於將含矽材料薄膜沉積在基板上之方法，係包含下列步驟：將含有氮和碳之化學物流入製程反應室；將具有矽-氮鍵之含矽源化學物流入製程反應室：及將位在製程反應室內之基板加熱至低於約550℃以下的溫度。在另一具體實例中，含矽化學物是三矽烷基胺，且含有氮和碳之化學物是(CH3)3-N。
简体摘要：本发明之具体实例一般而言系提供一种用于沉积含硅薄膜之方法。在一具体实例中，一种用于将含硅材料薄膜沉积在基板上之方法，系包含下列步骤：将含有氮和碳之化学物流入制程反应室；将具有硅-氮键之含硅源化学物流入制程反应室：及将位在制程反应室内之基板加热至低于约550℃以下的温度。在另一具体实例中，含硅化学物是三硅烷基胺，且含有氮和碳之化学物是(CH3)3-N。

4. 发明专利

TWI345553B 具有控制應力的氮化矽膜 SILICON NITRIDE FILM WITH STRESS CONTROL 失效
简体标题：具有控制应力的氮化硅膜 SILICON NITRIDE FILM WITH STRESS CONTROL
公开(公告)号：TWI345553B
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：TW094122624
申请日：2005-07-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伊爾R 瑟亞納拉亞南 , 林安德魯M , 前田祐二 , 梅禮湯瑪士 , 史密斯雅各W , 塞特辛恩M , 譚頓山傑夫 , 薩庫瑞希爾P 辛 , 西盧帕普里尤桑德拉
IPC分类号： C01B
CPC分类号： H01L21/324 , H01L29/1054 , H01L29/6656 , H01L29/7842 , H01L29/7843
摘要：一種包含一多層氮化物堆疊層的組件(assembly)，該多層氮化物堆疊層具有複數層氮化物蝕刻終止層，且每一氮化物蝕刻終止層係彼此堆疊，並藉由一薄膜形成製程來形成每一層氮化物蝕刻終止層。一種製造該多層氮化物堆疊層的方法係包括將一基材置於一單一晶圓沉積室中，以及在沉積的前一刻，先對該基材作熱衝擊處理(thermal shock)。一第一氮化物蝕刻終止層沉積於該基材上。一第二氮化物蝕刻終止層沉積於該第一氮化物蝕刻終止層上。
简体摘要：一种包含一多层氮化物堆栈层的组件(assembly)，该多层氮化物堆栈层具有复数层氮化物蚀刻终止层，且每一氮化物蚀刻终止层系彼此堆栈，并借由一薄膜形成制程来形成每一层氮化物蚀刻终止层。一种制造该多层氮化物堆栈层的方法系包括将一基材置于一单一晶圆沉积室中，以及在沉积的前一刻，先对该基材作热冲击处理(thermal shock)。一第一氮化物蚀刻终止层沉积于该基材上。一第二氮化物蚀刻终止层沉积于该第一氮化物蚀刻终止层上。

5. 发明专利

TW201105815A 改良膜厚度之不均勻性與粒子表現的ＣＶＤ設備 CVD APPARATUS FOR IMPROVED FILM THICKNESS NON-UNIFORMITY AND PARTICLE PERFORMANCE 审中-公开
简体标题：改良膜厚度之不均匀性与粒子表现的ＣＶＤ设备 CVD APPARATUS FOR IMPROVED FILM THICKNESS NON-UNIFORMITY AND PARTICLE PERFORMANCE
公开(公告)号：TW201105815A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099112587
申请日：2010-04-21
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：崔恩賓 , 崔安青 , 黃柏納L , 蓋葉頌T , 恩蓋葉安哈N , 塞特辛恩M , 陶獻之
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/6719 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/45512 , C23C16/45561 , H01L21/68742 , H01L21/68785
摘要：本發明之實施例涉及用於諸如藉由化學氣相沉積(CVD)在基材上沉積層的改良之設備。在此所揭露的本發明之設備可有利地助於一種或多種沉積膜在給定的處理腔室內能具有減少的膜厚度不均勻性、改良的粒子表現(例如,在處理腔室中所形成的膜上之粒子減少)、在複數個處理腔室中匹配的腔室對腔室表現,以及改良的處理腔室耐用性。
简体摘要：本发明之实施例涉及用于诸如借由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良之设备。在此所揭露的本发明之设备可有利地助于一种或多种沉积膜在给定的处理腔室内能具有减少的膜厚度不均匀性、改良的粒子表现(例如,在处理腔室中所形成的膜上之粒子减少)、在复数个处理腔室中匹配的腔室对腔室表现,以及改良的处理腔室耐用性。

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