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1. 发明专利

TWI373824B 製造氮化矽堆疊之方法 METHOD OF FABRICATING A SILICON NITRIDE STACK 有权
简体标题：制造氮化硅堆栈之方法 METHOD OF FABRICATING A SILICON NITRIDE STACK
公开(公告)号：TWI373824B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW095139055
申请日：2006-10-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伊爾R 瑟亞納拉亞南 , 譚頓山傑夫 , 臧光漢 , 拉培納路比 , 前田祐二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3081 , C23C16/345 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要：本文提供於半導體基材上製造氮化矽堆疊方法的實施例。於一實施例中，於半導體基材上製造氮化矽堆疊的方法包含沉積含氮化矽的基層於基材上，其係利用第一組製程條件以選擇性控制基層應力；以及沉積含氮化矽的上層，其係利用第二組製程條件以選擇性控制上層的抗氧化性與折射率之至少一者。
简体摘要：本文提供于半导体基材上制造氮化硅堆栈方法的实施例。于一实施例中，于半导体基材上制造氮化硅堆栈的方法包含沉积含氮化硅的基层于基材上，其系利用第一组制程条件以选择性控制基层应力；以及沉积含氮化硅的上层，其系利用第二组制程条件以选择性控制上层的抗氧化性与折射率之至少一者。

2. 发明专利

TWI345553B 具有控制應力的氮化矽膜 SILICON NITRIDE FILM WITH STRESS CONTROL 失效
简体标题：具有控制应力的氮化硅膜 SILICON NITRIDE FILM WITH STRESS CONTROL
公开(公告)号：TWI345553B
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：TW094122624
申请日：2005-07-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伊爾R 瑟亞納拉亞南 , 林安德魯M , 前田祐二 , 梅禮湯瑪士 , 史密斯雅各W , 塞特辛恩M , 譚頓山傑夫 , 薩庫瑞希爾P 辛 , 西盧帕普里尤桑德拉
IPC分类号： C01B
CPC分类号： H01L21/324 , H01L29/1054 , H01L29/6656 , H01L29/7842 , H01L29/7843
摘要：一種包含一多層氮化物堆疊層的組件(assembly)，該多層氮化物堆疊層具有複數層氮化物蝕刻終止層，且每一氮化物蝕刻終止層係彼此堆疊，並藉由一薄膜形成製程來形成每一層氮化物蝕刻終止層。一種製造該多層氮化物堆疊層的方法係包括將一基材置於一單一晶圓沉積室中，以及在沉積的前一刻，先對該基材作熱衝擊處理(thermal shock)。一第一氮化物蝕刻終止層沉積於該基材上。一第二氮化物蝕刻終止層沉積於該第一氮化物蝕刻終止層上。
简体摘要：一种包含一多层氮化物堆栈层的组件(assembly)，该多层氮化物堆栈层具有复数层氮化物蚀刻终止层，且每一氮化物蚀刻终止层系彼此堆栈，并借由一薄膜形成制程来形成每一层氮化物蚀刻终止层。一种制造该多层氮化物堆栈层的方法系包括将一基材置于一单一晶圆沉积室中，以及在沉积的前一刻，先对该基材作热冲击处理(thermal shock)。一第一氮化物蚀刻终止层沉积于该基材上。一第二氮化物蚀刻终止层沉积于该第一氮化物蚀刻终止层上。

3. 发明专利

TWI373808B 用於製造經控制應力之氮化矽薄膜的方法 METHOD FOR FABRICATING CONTROLLED STRESS SILICON NITRIDE FILMS 有权
简体标题：用于制造经控制应力之氮化硅薄膜的方法 METHOD FOR FABRICATING CONTROLLED STRESS SILICON NITRIDE FILMS
公开(公告)号：TWI373808B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW095139054
申请日：2006-10-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伊爾R 瑟亞納拉亞南 , 譚頓山傑夫 , 史密斯雅各W
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/3081 , H01L21/3185
摘要：本發明係提供於半導體基材上製造多層氮化矽薄膜的方法。於一實施例中，於半導體基材上製造多層氮化矽薄膜的方法包含提供基材讓多層氮化矽薄膜形成於其上；及藉由(a)沉積含氮化矽的基層於基底結構上；(b)沉積含應力控制材料的中間層於基層上；以及(c)沉積含氮化矽的頂層於中間層上等方式於單一製程反應器中形成多層氮化矽薄膜。該應力控制材料在單獨與氮化矽比較時可選擇性增加或減少多層氮化矽薄膜的應力。
简体摘要：本发明系提供于半导体基材上制造多层氮化硅薄膜的方法。于一实施例中，于半导体基材上制造多层氮化硅薄膜的方法包含提供基材让多层氮化硅薄膜形成于其上；及借由(a)沉积含氮化硅的基层于基底结构上；(b)沉积含应力控制材料的中间层于基层上；以及(c)沉积含氮化硅的顶层于中间层上等方式於单一制程反应器中形成多层氮化硅薄膜。该应力控制材料在单独与氮化硅比较时可选择性增加或减少多层氮化硅薄膜的应力。

4. 发明专利

TWI352744B 用於氮化矽化學氣相沉積之方法 METHOD FOR SILICON NITRIDE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 失效
简体标题：用于氮化硅化学气相沉积之方法 METHOD FOR SILICON NITRIDE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
公开(公告)号：TWI352744B
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：TW095120849
申请日：2006-06-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伊爾R 瑟亞納拉亞南 , 塞特辛恩M , 譚頓山傑夫 , 桑契斯愛羅安東尼歐C , 王樹林
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , H01L21/02208 , H01L21/02271 , H01L21/3185
摘要：本發明之具體實例一般而言係提供一種用於將含氮化矽層沉積在基板上之方法。方法係包括下列步驟：將位在製程反應室內之基板加熱至溫度為約650℃以下；將含氮氣體流入製程反應室；將含矽氣體流入製程反應室；及將含氮化矽層沉積在基板上。在一具體實例中，含矽氣體係包含胺基二矽烷化合物、矽烷基疊氮化合物、矽烷基聯胺化合物、或烷基矽氮烷化合物中之至少一種。在一具體實例中，胺基二矽烷化合物之化學式為R2NSiR’2SiR’2NR2，矽烷基疊氮化合物之化學式為R3SiN3、矽烷基聯胺化合物之化學式為R’3SiNRNR2，其中各R和R’係各自分別含有氫、鹵素、烷基、烯基、炔基、脂肪族烷基、環狀烷基、芳香族基、有機矽烷基、烷胺基、或含有氮或矽之環狀基。
简体摘要：本发明之具体实例一般而言系提供一种用于将含氮化硅层沉积在基板上之方法。方法系包括下列步骤：将位在制程反应室内之基板加热至温度为约650℃以下；将含氮气体流入制程反应室；将含硅气体流入制程反应室；及将含氮化硅层沉积在基板上。在一具体实例中，含硅气体系包含胺基二硅烷化合物、硅烷基叠氮化合物、硅烷基联胺化合物、或烷基硅氮烷化合物中之至少一种。在一具体实例中，胺基二硅烷化合物之化学式为R2NSiR’2SiR’2NR2，硅烷基叠氮化合物之化学式为R3SiN3、硅烷基联胺化合物之化学式为R’3SiNRNR2，其中各R和R’系各自分别含有氢、卤素、烷基、烯基、炔基、脂肪族烷基、环状烷基、芳香族基、有机硅烷基、烷胺基、或含有氮或硅之环状基。

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