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1. 发明专利

TW201921490A 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統审中-公开
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TW201921490A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108100074
申请日：2014-02-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：一種示例性系統可包括腔室，該腔室經配置以在該腔室之處理區域中含有半導體基板。該系統可包括第一遠端電漿單元，該第一遠端電漿單元與腔室之第一入口流體耦接及經配置以將第一前驅物經由第一入口傳遞至腔室中。該系統可更進一步包括第二遠端電漿單元，該第二遠端電漿單元與腔室之第二入口流體耦接及經配置以將第二前驅物經由第二入口傳遞至腔室中。可將第一入口及第二入口與腔室之混合區域流體耦接，該混合區域與腔室之處理區域分開及與該處理區域流體耦接。可配置混合區域以允許第一前驅物及第二前驅物在腔室之處理區域外部彼此相互作用。
简体摘要：一种示例性系统可包括腔室，该腔室经配置以在该腔室之处理区域中含有半导体基板。该系统可包括第一远程等离子单元，该第一远程等离子单元与腔室之第一入口流体耦接及经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。该系统可更进一步包括第二远程等离子单元，该第二远程等离子单元与腔室之第二入口流体耦接及经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室之混合区域流体耦接，该混合区域与腔室之处理区域分开及与该处理区域流体耦接。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室之处理区域外部彼此相互作用。

2. 发明专利

TW201806030A 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統审中-公开
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TW201806030A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106136488
申请日：2014-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32357 , C23C16/54 , H01J37/32899 , H01L21/32136
摘要：一種示例性系統可包括腔室，該腔室經配置以在該腔室之處理區域中含有半導體基板。該系統可包括第一遠端電漿單元，該第一遠端電漿單元與腔室之第一入口流體耦接及經配置以將第一前驅物經由第一入口傳遞至腔室中。該系統可更進一步包括第二遠端電漿單元，該第二遠端電漿單元與腔室之第二入口流體耦接及經配置以將第二前驅物經由第二入口傳遞至腔室中。可將第一入口及第二入口與腔室之混合區域流體耦接，該混合區域獨立於腔室之處理區域及與該處理區域流體耦接。可配置混合區域以允許第一前驅物及第二前驅物在腔室之處理區域外部彼此相互作用。
简体摘要：一种示例性系统可包括腔室，该腔室经配置以在该腔室之处理区域中含有半导体基板。该系统可包括第一远程等离子单元，该第一远程等离子单元与腔室之第一入口流体耦接及经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。该系统可更进一步包括第二远程等离子单元，该第二远程等离子单元与腔室之第二入口流体耦接及经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室之混合区域流体耦接，该混合区域独立于腔室之处理区域及与该处理区域流体耦接。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室之处理区域外部彼此相互作用。

3. 发明专利

TW201732926A 晶圓處理設備中的化學物質控制特徵审中-公开
简体标题：晶圆处理设备中的化学物质控制特征
公开(公告)号：TW201732926A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106117934
申请日：2013-09-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁奇偉 , LIANG,QIWEI , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 祝基恩 , CHUC,KIEN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 朴書南 , PARK,SOONAM , 楊章喬 , YANG,JANG-GYOO , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 崔恩托恩 , TRAN,TOAN , 辛克里金柏利 , HINCKLEY,KIMBERLY , 賈格沙魯巴 , GARG,SAURABH
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069
摘要：茲描述氣體分配組合件，包括環形主體、上板材及下板材。該上板材可以界定第一複數孔，並且該下板材可以界定第二和第三複數孔。該上板材和該下板材可以彼此耦接並與該環形主體耦接，使得該第一和第二孔形成通過該氣體分配組合件的通道，並且該上板材和該下板材之間界定一容積。
简体摘要：兹描述气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一复数孔，并且该下板材可以界定第二和第三复数孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的信道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

4. 发明专利

TW201316405A 雙重圖案化蝕刻製程失效
简体标题：双重图案化蚀刻制程
公开(公告)号：TW201316405A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101130462
申请日：2012-08-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史派勒凱達 , SAPRE, KEDAR , 湯靜 , TANG, JING , 巴納革安傑 , BHATNAGAR, AJAY , 英戈爾尼廷 , INGLE, NITIN , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31144 , H01J37/32357 , H01J2237/334 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31116
摘要：本發明提供一種蝕刻基板之方法，該方法包含以下步驟：在基板上形成由氧化矽、氮化矽或氮氧化矽組成之複數個雙重圖案化特徵結構。將具有雙重圖案化特徵結構之基板提供至製程區。在遠端腔室中激勵包含三氟化氮、氨及氫之蝕刻氣體。將受激勵之蝕刻氣體引入至製程區以蝕刻雙重圖案化特徵結構而形成固態殘留物於基板上。藉由將基板加熱至至少約100℃之溫度來昇華固態殘留物。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻基板之方法，该方法包含以下步骤：在基板上形成由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成之复数个双重图案化特征结构。将具有双重图案化特征结构之基板提供至制程区。在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢之蚀刻气体。将受激励之蚀刻气体引入至制程区以蚀刻双重图案化特征结构而形成固态残留物于基板上。借由将基板加热至至少约100℃之温度来升华固态残留物。

5. 发明专利

TW201820398A 用於鹵化物驅氣的處理系統及方法审中-公开
简体标题：用于卤化物驱气的处理系统及方法
公开(公告)号：TW201820398A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW107104260
申请日：2014-03-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王安川 , WANG,ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 李資慧 , LI,ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA,HIROSHI , 陳智君 , CHEN,ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU,CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG,JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE,NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR,RANDHIR
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要：提供用於控制濕氣污染物造成之製程缺陷的系統、腔室及製程。系統可提供用於腔室之設置以在真空或受控環境中施行多項操作。腔室可包括組合腔室設計中之設置以提供附加處理功能。方法可提供對老化缺陷之限制、防止及修正，該等老化缺陷可由系統工具施行之蝕刻製程造成。
简体摘要：提供用于控制湿气污染物造成之制程缺陷的系统、腔室及制程。系统可提供用于腔室之设置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中之设置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷之限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行之蚀刻制程造成。

6. 发明专利

TW201631694A 用於電漿處理系統的低溫夾具审中-公开
简体标题：用于等离子处理系统的低温夹具
公开(公告)号：TW201631694A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105101391
申请日：2016-01-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 翁子路 , WENG, ZILU , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 曹台昇 , CHO, TAE SEUNG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 費桑M , PHI, SON M. , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/68757 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：一晶圓夾具總成包括一圓盤、一桿、及一基座。該圓盤包括一電氣絕緣材料，該電氣絕緣材料界定該圓盤之一頂表面，複數個電極係嵌入在該電氣絕緣材料內。該圓盤亦包括一內圓盤零件，該內圓盤零件形成一熱交換流體的一或更多個通道，且與該電氣絕緣材料熱連通，且一導電板材經設置與該內圓盤零件鄰近。該桿包括一與該板材及複數個連接器電性耦接的導電桿殼體，且包括複數個連接器，該複數個連接器包括該等電極之電氣連接器。該基座包括一與該桿殼體電性耦接的導電基座殼體、一經設置在該基座殼體內的電氣絕緣終端塊，該複數個連接器穿行通過該終端塊。
简体摘要：一晶圆夹具总成包括一圆盘、一杆、及一基座。该圆盘包括一电气绝缘材料，该电气绝缘材料界定该圆盘之一顶表面，复数个电极系嵌入在该电气绝缘材料内。该圆盘亦包括一内圆盘零件，该内圆盘零件形成一热交换流体的一或更多个信道，且与该电气绝缘材料热连通，且一导电板材经设置与该内圆盘零件邻近。该杆包括一与该板材及复数个连接器电性耦接的导电杆壳体，且包括复数个连接器，该复数个连接器包括该等电极之电气连接器。该基座包括一与该杆壳体电性耦接的导电基座壳体、一经设置在该基座壳体内的电气绝缘终端块，该复数个连接器穿行通过该终端块。

7. 发明专利

TWI527500B 具有獨立中心區控制之加熱器有权
简体标题：具有独立中心区控制之加热器
公开(公告)号：TWI527500B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100115831
申请日：2011-05-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 高達萊卡蘇荷R , GONDHALEKAR, SUDHIR R. , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 福洛德可比H , FLOYD, KIRBY H. , 張怡仁 , ZHANG, YIZHEN
IPC分类号： H05B6/40 , H05B3/22

8. 发明专利

TWI505361B 處理含矽與氧層的方法有权
简体标题：处理含硅与氧层的方法
公开(公告)号：TWI505361B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW099133321
申请日：2010-09-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：粱靜美 , LIANG, JINGMEI , 英戈爾尼廷K , INGLE, NITIN K. , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02337 , H01L21/31055 , H01L21/316 , H01L21/67207 , H01L21/76229

9. 发明专利

TWI490366B ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構有权
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构
公开(公告)号：TWI490366B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 米勒馬修 , MILLER, MATTHEW , 朴書南 , PARK, SOONAM , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938

10. 发明专利

TWI697954B 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統有权
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TWI697954B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108100074
申请日：2014-02-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065

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