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    • 1. 发明专利
    • 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統
    • 具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
    • TW201921490A
    • 2019-06-01
    • TW108100074
    • 2014-02-06
    • 美商應用材料股份有限公司APPLIED MATERIALS, INC.
    • 路柏曼斯基迪米奇LUBOMIRSKY,DMITRY陳興隆CHEN,XINGLONG凡卡塔拉曼尚卡爾VENKATARAMAN,SHANKAR
    • H01L21/3065
    • 一種示例性系統可包括腔室,該腔室經配置以在該腔室之處理區域中含有半導體基板。該系統可包括第一遠端電漿單元,該第一遠端電漿單元與腔室之第一入口流體耦接及經配置以將第一前驅物經由第一入口傳遞至腔室中。該系統可更進一步包括第二遠端電漿單元,該第二遠端電漿單元與腔室之第二入口流體耦接及經配置以將第二前驅物經由第二入口傳遞至腔室中。可將第一入口及第二入口與腔室之混合區域流體耦接,該混合區域與腔室之處理區域分開及與該處理區域流體耦接。可配置混合區域以允許第一前驅物及第二前驅物在腔室之處理區域外部彼此相互作用。
    • 一种示例性系统可包括腔室,该腔室经配置以在该腔室之处理区域中含有半导体基板。该系统可包括第一远程等离子单元,该第一远程等离子单元与腔室之第一入口流体耦接及经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。该系统可更进一步包括第二远程等离子单元,该第二远程等离子单元与腔室之第二入口流体耦接及经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室之混合区域流体耦接,该混合区域与腔室之处理区域分开及与该处理区域流体耦接。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室之处理区域外部彼此相互作用。