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1. 发明专利

TW201523773A 用以控制感應耦合電漿室中邊緣表現的設備與方法审中-公开
简体标题：用以控制感应耦合等离子室中边缘表现的设备与方法
公开(公告)号：TW201523773A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW104108494
申请日：2008-12-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉煒 , LIU, WEI , 史文博格玖漢尼斯 , SWENBERG, JOHANES , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 寇蒂斯羅傑 , CURTIS, ROGER , 伯提妮菲利浦A , BOTTINI, PHILIP A. , 馬克麥可J , MARK, MICHAEL J.
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68742 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01L21/67069 , H01L21/68735
摘要：本發明大致提供在處理過程中控制邊緣表現之方法與設備。本發明一實施例提供之設備包括界定處理空間之腔室主體、設置以將處理氣體流入處理空間之氣體入口、及配置於處理空間中之支撐底座。支撐底座包括頂部平板，其具有設置以於背側上接收並支撐基材之基材支撐表面、與設置以沿著基材之外邊緣圍繞基材之邊緣表面，而基材之頂表面與邊緣表面間之高度差異係用來控制基材之邊緣區域對處理氣體的暴露。
简体摘要：本发明大致提供在处理过程中控制边缘表现之方法与设备。本发明一实施例提供之设备包括界定处理空间之腔室主体、设置以将处理气体流入处理空间之气体入口、及配置于处理空间中之支撑底座。支撑底座包括顶部平板，其具有设置以于背侧上接收并支撑基材之基材支撑表面、与设置以沿着基材之外边缘围绕基材之边缘表面，而基材之顶表面与边缘表面间之高度差异系用来控制基材之边缘区域对处理气体的暴露。

2. 发明专利

TW201319303A 雙區氣體注射噴嘴审中-公开
简体标题：双区气体注射喷嘴
公开(公告)号：TW201319303A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101151045
申请日：2008-12-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉煒 , LIU, WEI , 史文博格玖漢尼斯F , SWENBERG, JOHANES F. , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 寇蒂斯羅傑 , CURTIS, ROGER , 伯提妮菲利浦A , BOTTINI, PHILIP A.
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：本發明一般係提供用於處理一基板之設備及方法。更特定的說，本發明提供獲得製程氣體的期望分佈之設備及方法。本發明之一實施例係提供一種用於處理一基板的設備，該設備包括一注射噴嘴，且該注射噴嘴具有：一第一流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第一入口，以及與該第一入口連接的複數個第一注射口，其中該些第一注射口係配置以將來自該第一入口的一流體導引朝向一製程容積的一第一區域；以及一第二流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第二入口，以及與該第二入口連接的複數個第二注射口，其中該些第二注射口係配置以將來自該第二入口的一流體導引朝向該製程容積的一第二區域。
简体摘要：本发明一般系提供用于处理一基板之设备及方法。更特定的说，本发明提供获得制程气体的期望分布之设备及方法。本发明之一实施例系提供一种用于处理一基板的设备，该设备包括一注射喷嘴，且该注射喷嘴具有：一第一流体路径，包括配置以接收一流体输入的一第一入口，以及与该第一入口连接的复数个第一注射口，其中该些第一注射口系配置以将来自该第一入口的一流体导引朝向一制程容积的一第一区域；以及一第二流体路径，包括配置以接收一流体输入的一第二入口，以及与该第二入口连接的复数个第二注射口，其中该些第二注射口系配置以将来自该第二入口的一流体导引朝向该制程容积的一第二区域。

3. 发明专利

TWI501336B 用以控制感應耦合電漿室中邊緣表現的設備與方法有权
简体标题：用以控制感应耦合等离子室中边缘表现的设备与方法
公开(公告)号：TWI501336B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW097149222
申请日：2008-12-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉煒 , LIU, WEI , 史文博格玖漢尼斯 , SWENBERG, JOHANES , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 寇蒂斯羅傑 , CURTIS, ROGER , 伯提妮菲利浦A , BOTTINI, PHILIP A. , 馬克麥可J , MARK, MICHAEL J.
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68742 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01L21/67069 , H01L21/68735

4. 发明专利

TWI383464B 利用電動源線圈組件以校準基線偏斜之方法有权
简体标题：利用电动源线圈组件以校准基线偏斜之方法
公开(公告)号：TWI383464B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW097149224
申请日：2008-12-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉煒 , LIU, WEI , 史文博格玖漢尼斯F , SWENBERG, JOHANES F. , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 寇蒂斯羅傑 , CURTIS, ROGER , 伯提妮菲利浦A , BOTTINI, PHILIP A.
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174

5. 发明专利

TWI534930B 用以控制感應耦合電漿室中邊緣表現的設備與方法有权
简体标题：用以控制感应耦合等离子室中边缘表现的设备与方法
公开(公告)号：TWI534930B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW104108494
申请日：2008-12-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉煒 , LIU, WEI , 史文博格玖漢尼斯 , SWENBERG, JOHANES , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 寇蒂斯羅傑 , CURTIS, ROGER , 伯提妮菲利浦A , BOTTINI, PHILIP A. , 馬克麥可J , MARK, MICHAEL J.
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68742 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01L21/67069 , H01L21/68735

6. 发明专利

TWI502093B 用於處理基板的設備及方法有权
简体标题：用于处理基板的设备及方法
公开(公告)号：TWI502093B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW101151045
申请日：2008-12-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉煒 , LIU, WEI , 史文博格玖漢尼斯F , SWENBERG, JOHANES F. , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 寇蒂斯羅傑 , CURTIS, ROGER , 伯提妮菲利浦A , BOTTINI, PHILIP A.
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32449

7. 发明专利

TWI394861B 雙區氣體注射噴嘴有权
简体标题：双区气体注射喷嘴
公开(公告)号：TWI394861B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW097149797
申请日：2008-12-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉煒 , LIU, WEI , 史文博格玖漢尼斯F , SWENBERG, JOHANES F. , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 寇蒂斯羅傑 , CURTIS, ROGER , 伯提妮菲利浦A , BOTTINI, PHILIP A.
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32449

8. 发明专利

TW200947587A 利用電動源線圈組件以校準基線偏斜之方法 METHOD OF CORRECTING BASELINE SKEW BY A NOVEL MOTORIZED SOURCE COIL ASSEMBLY 审中-公开
简体标题：利用电动源线圈组件以校准基线偏斜之方法 METHOD OF CORRECTING BASELINE SKEW BY A NOVEL MOTORIZED SOURCE COIL ASSEMBLY
公开(公告)号：TW200947587A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097149224
申请日：2008-12-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：劉煒 , 史文博格玖漢尼斯F , 蓋葉韓D , 蓋葉頌T , 寇蒂斯羅傑 , 伯提妮菲利浦A
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174
摘要：本發明大體上提供在感應耦合電漿腔室中調整電漿密度分佈之設備及方法。本發明之一實施例提供一配置用於處理基板之設備。該設備包含：一腔室主體，其界定一配置以在其中處理基板之製程容積；以及一線圈組件，其在該製程容積外側耦合至該腔室主體。其中該線圈組件包含：一線圈裝配板；一第一線圈天線，其裝配在該線圈裝配板上；以及一線圈調整構件，其配置為調整該第一線圈天線相對於該製程容積之對準。
简体摘要：本发明大体上提供在感应耦合等离子腔室中调整等离子密度分布之设备及方法。本发明之一实施例提供一配置用于处理基板之设备。该设备包含：一腔室主体，其界定一配置以在其中处理基板之制程容积；以及一线圈组件，其在该制程容积外侧耦合至该腔室主体。其中该线圈组件包含：一线圈装配板；一第一线圈天线，其装配在该线圈装配板上；以及一线圈调整构件，其配置为调整该第一线圈天线相对于该制程容积之对准。

9. 发明专利

TW200942637A 雙區氣體注射噴嘴 DUAL ZONE GAS INJECTION NOZZLE 审中-公开
简体标题：双区气体注射喷嘴 DUAL ZONE GAS INJECTION NOZZLE
公开(公告)号：TW200942637A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097149797
申请日：2008-12-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：劉煒 , 史文博格玖漢尼斯F , 蓋葉韓D , 蓋葉頌T , 寇蒂斯羅傑 , 伯提妮菲利浦A
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：本發明一般係提供用於處理一基板之設備及方法。更特定的說，本發明提供獲得製程氣體的期望分佈之設備及方法。本發明之一實施例係提供一種用於處理一基板的設備，該設備包括一注射噴嘴，且該注射噴嘴具有：一第一流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第一入口，以及與該第一入口連接的複數個第一注射口，其中該些第一注射口係配置以將來自該第一入口的一流體導引朝向一製程容積的一第一區域；以及一第二流體路徑，包括配置以接收一流體輸入的一第二入口，以及與該第二入口連接的複數個第二注射口，其中該些第二注射口係配置以將來自該第二入口的一流體導引朝向該製程容積的一第二區域。
简体摘要：本发明一般系提供用于处理一基板之设备及方法。更特定的说，本发明提供获得制程气体的期望分布之设备及方法。本发明之一实施例系提供一种用于处理一基板的设备，该设备包括一注射喷嘴，且该注射喷嘴具有：一第一流体路径，包括配置以接收一流体输入的一第一入口，以及与该第一入口连接的复数个第一注射口，其中该些第一注射口系配置以将来自该第一入口的一流体导引朝向一制程容积的一第一区域；以及一第二流体路径，包括配置以接收一流体输入的一第二入口，以及与该第二入口连接的复数个第二注射口，其中该些第二注射口系配置以将来自该第二入口的一流体导引朝向该制程容积的一第二区域。

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