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1. 发明专利

TWI670877B 形成膜層之方法有权
简体标题：形成膜层之方法
公开(公告)号：TWI670877B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107115817
申请日：2018-05-09
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：元泰景 , WON, TAE KYUNG , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D. , 蘇倫珊卡爾 , SORENSEN, CARL A. , 高簡添 , KAO, CHIEN-TEH , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 李永東 , LEE, YOUNG DONG
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/324 , C23C16/34

2. 发明专利

TW201911621A 形成膜層之方法审中-公开
简体标题：形成膜层之方法
公开(公告)号：TW201911621A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107115817
申请日：2018-05-09
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：元泰景 , WON, TAE KYUNG , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D. , 蘇倫珊卡爾 , SORENSEN, CARL A. , 高簡添 , KAO, CHIEN-TEH , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 李永東 , LEE, YOUNG DONG
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/324
摘要：本揭露之數個實施例大體上說明一種用以利用一高密度電漿化學氣相沈積製程沈積一氮化矽(SiN)之阻障層，及特別是藉由在沈積期間施加偏壓於基板來控制沈積之氮化矽層的一薄膜應力之方法。於一實施例中，一種形成一膜層之方法包括加熱一基板至低於約100 °C之一基板溫度，基板設置於一處理腔室中的一基板支撐件上；使一矽前驅物氣體及一氮前驅物氣體流動至處理腔室中；施加偏壓於一電極，電極耦接於基板支撐件；形成氮前驅物氣體及矽前驅物氣體之一高密度電漿；以及沈積一氮化矽層於基板上。
简体摘要：本揭露之数个实施例大体上说明一种用以利用一高密度等离子化学气相沉积制程沉积一氮化硅(SiN)之阻障层，及特别是借由在沉积期间施加偏压于基板来控制沉积之氮化硅层的一薄膜应力之方法。于一实施例中，一种形成一膜层之方法包括加热一基板至低于约100 °C之一基板温度，基板设置于一处理腔室中的一基板支撑件上；使一硅前驱物气体及一氮前驱物气体流动至处理腔室中；施加偏压于一电极，电极耦接于基板支撑件；形成氮前驱物气体及硅前驱物气体之一高密度等离子；以及沉积一氮化硅层于基板上。

3. 发明专利

TW201810345A 基板支撐組件及具有其之處理腔室审中-公开
简体标题：基板支撑组件及具有其之处理腔室
公开(公告)号：TW201810345A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118870
申请日：2017-06-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D. , 拉奧沙蕾莎 , RAO, SHREESHA Y. , 元泰景 , WON, TAE KYUNG , 阿查裡雅烏玫莎 , ACHARY, UMESHA , 橋希希馬蘇 , JOSHI, HIMANSHU
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4583 , C23C16/4587 , C23C16/463 , C23C16/5096 , G01J5/0806 , G01J2005/0081
摘要：本揭露公開的實施例通常涉及一基板支撐組件中的一基板溫度監控系統。在一實施例中，基板支撐組件包括一支撐板和一基板溫度監控系統。支撐板具有用以支撐一基板之一頂表面。基板溫度監控系統係設置於基板支撐板中。基板溫度監控系統係用以從基板的一底表面測量基板的溫度。基板溫度監控系統包括一窗口、一主體及一溫度感測器。窗口係一體地形成於支撐板的一頂表面中。主體穿過底表面而嵌入支撐板中。主體界定出一個內部通道。溫度感測器係設置於窗口下方的內部通道中。溫度感測器係用以測量基板的溫度。
简体摘要：本揭露公开的实施例通常涉及一基板支撑组件中的一基板温度监控系统。在一实施例中，基板支撑组件包括一支撑板和一基板温度监控系统。支撑板具有用以支撑一基板之一顶表面。基板温度监控系统系设置于基板支撑板中。基板温度监控系统系用以从基板的一底表面测量基板的温度。基板温度监控系统包括一窗口、一主体及一温度传感器。窗口系一体地形成于支撑板的一顶表面中。主体穿过底表面而嵌入支撑板中。主体界定出一个内部信道。温度传感器系设置于窗口下方的内部信道中。温度传感器系用以测量基板的温度。

4. 发明专利

TW201538783A 用於改善分佈均勻性之角落擾流件及應用其之遮蔽框架與處理腔室审中-公开
简体标题：用于改善分布均匀性之角落扰流件及应用其之屏蔽框架与处理腔室
公开(公告)号：TW201538783A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104102081
申请日：2015-01-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：趙來 , ZHAO, LAI , 古田學 , FURUTA, GAKU , 王群華 , WANG, QUNHUA , 廷訥羅賓 , TINER, ROBIN L. , 朴範洙 , PARK, BEOM SOO , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D.
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/513 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/45559 , C23C16/45563 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32623 , H01J37/32651
摘要：本揭露有關於一種角落擾流件，角落擾流件係設計以藉由改變氣流來減少基板之角落區域上之高沉積率。於一實施例中，一種用於處理腔室之角落擾流件包括L形主體，以介電材料製成，其中L形主體係配置，以改變在處理腔室中之基板的角落的電漿分佈。L形主體包括第一及第二腳，其中此第一及第二腳係於L形主體之內側角落相交。第一或第二腳之長度係第一或第二腳與內側角落之間所定義之距離的兩倍。於另一實施例中，一種用於處理腔室之遮蔽框架包括具有貫穿其之矩形開孔及在矩形主體之角落耦接於矩形主體之一或多個角落擾流件。
简体摘要：本揭露有关于一种角落扰流件，角落扰流件系设计以借由改变气流来减少基板之角落区域上之高沉积率。于一实施例中，一种用于处理腔室之角落扰流件包括L形主体，以介电材料制成，其中L形主体系配置，以改变在处理腔室中之基板的角落的等离子分布。L形主体包括第一及第二脚，其中此第一及第二脚系于L形主体之内侧角落相交。第一或第二脚之长度系第一或第二脚与内侧角落之间所定义之距离的两倍。于另一实施例中，一种用于处理腔室之屏蔽框架包括具有贯穿其之矩形开孔及在矩形主体之角落耦接于矩形主体之一或多个角落扰流件。

5. 发明专利

TWI665708B 基板支撐組件及具有其之處理腔室有权
简体标题：基板支撑组件及具有其之处理腔室
公开(公告)号：TWI665708B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW106118870
申请日：2017-06-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D. , 拉奧沙蕾莎 , RAO, SHREESHA Y. , 元泰景 , WON, TAE KYUNG , 阿查裡雅烏玫莎 , ACHARY, UMESHA , 橋希希馬蘇 , JOSHI, HIMANSHU
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/32

6. 实用新型

TWM512027U 具有分隔的供氣管線的電漿處理腔室及電漿處理系統有权
简体标题：具有分隔的供气管线的等离子处理腔室及等离子处理系统
公开(公告)号：TWM512027U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW104209588
申请日：2015-06-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D. , 陳志堅 , CHEN, JRJYAN JERRY
IPC分类号： C23C16/44

7. 发明专利

TWI667369B 用於改善分佈均勻性之角落擾流件及應用其之遮蔽框架與處理腔室有权
简体标题：用于改善分布均匀性之角落扰流件及应用其之屏蔽框架与处理腔室
公开(公告)号：TWI667369B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104102081
申请日：2015-01-22
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：趙來 , ZHAO, LAI , 古田學 , FURUTA, GAKU , 王群華 , WANG, QUNHUA , 廷訥羅賓 , TINER, ROBIN L. , 朴範洙 , PARK, BEOM SOO , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D.
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/513 , H01J37/32

8. 发明专利

TW201921759A 一種封裝有機發光二極體或有機發光二極體裝置的方法审中-公开
简体标题：一种封装有机发光二极管或有机发光二极管设备的方法
公开(公告)号：TW201921759A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107123261
申请日：2018-07-05
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：元泰景 , WON, TAE KYUNG , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D.
IPC分类号： H01L51/56 , H01L51/50
摘要：封裝一有機發光二極體(OLED)的一種方法係被提供。此方法包括在一處理腔室中產生一第一電漿，當一有機發光二極體裝置係放置於處理腔室內時，第一電漿具有至少1011cm-3的一電子密度。有機發光二極體裝置包括一基板與形成於基板上的一有機發光二極體。此方法更包括使用第一電漿來預處理有機發光二極體與基板的一或多個表面，藉由在處理腔室中產生包括矽與氮的一第二電漿來沉積包括矽與氮的一第一阻障層於有機發光二極體上，第二電漿具有至少1011cm-3的一電子密度，沉積一緩衝層於第一阻障層上；以及藉由在處理腔室中產生包括矽與氮的一第三電漿來沉積包括矽與氮的一第二阻障層於緩衝層上。
简体摘要：封装一有机发光二极管(OLED)的一种方法系被提供。此方法包括在一处理腔室中产生一第一等离子，当一有机发光二极管设备系放置于处理腔室内时，第一等离子具有至少1011cm-3的一电子密度。有机发光二极管设备包括一基板与形成于基板上的一有机发光二极管。此方法更包括使用第一等离子来预处理有机发光二极管与基板的一或多个表面，借由在处理腔室中产生包括硅与氮的一第二等离子来沉积包括硅与氮的一第一阻障层于有机发光二极管上，第二等离子具有至少1011cm-3的一电子密度，沉积一缓冲层于第一阻障层上；以及借由在处理腔室中产生包括硅与氮的一第三等离子来沉积包括硅与氮的一第二阻障层于缓冲层上。

9. 发明专利

TW201812979A 支撐板材及使用其之一種改善之基板支撐件組件及腔室审中-公开
简体标题：支撑板材及使用其之一种改善之基板支撑件组件及腔室
公开(公告)号：TW201812979A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106120555
申请日：2017-06-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅伊沙布哈希許 , ROY, SUBHASISH , 席沙哈拉姆拉哈夫米爾立 , SEETHARAMU, RAGHAV MIRLE , 阿查裡雅烏玫莎 , ACHARY, UMESHA , 亞大夫尚傑 , YADAV, SANJAY D. , 元泰景 , WON, TAE KYUNG
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/463 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/3321 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：一種用以處理數個基板之設備係說明。更特別的是，本揭露之數個實施例係有關於一種改善之基板支撐件組件，用以在處理期間使用紊流來加熱及冷卻數個基板。藉由產生一紊流於通道中，較大總量之熱係於一較短之時段中傳送。本設計係有成本效益且有利地提供更均勻分佈之溫度傳送。於一實施例中，揭露一種基板支撐件組件。基板支撐件組件包括一靜電吸座，具有接觸一基板之一表面；及相鄰於靜電吸座之一支撐板材。支撐板材包括一或多個通道、一或多個端空間、及一或多個塞。基板支撐件組件亦包括一軸，耦接於支撐板材。
简体摘要：一种用以处理数个基板之设备系说明。更特别的是，本揭露之数个实施例系有关于一种改善之基板支撑件组件，用以在处理期间使用紊流来加热及冷却数个基板。借由产生一紊流于信道中，较大总量之热系于一较短之时段中发送。本设计系有成本效益且有利地提供更均匀分布之温度发送。于一实施例中，揭露一种基板支撑件组件。基板支撑件组件包括一静电吸座，具有接触一基板之一表面；及相邻于静电吸座之一支撑板材。支撑板材包括一或多个信道、一或多个端空间、及一或多个塞。基板支撑件组件亦包括一轴，耦接于支撑板材。

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