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1. 发明专利

TW470782B 回流反應室與製程失效
简体标题：回流反应室与制程
公开(公告)号：TW470782B
公开(公告)日：2002-01-01
申请号：TW088102315
申请日：1999-02-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：王厚工 , 賴史帝夫 , 姚公達 , 丁培軍
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/76877 , C23C16/4404 , Y10T24/44017
摘要：本發明提供一物質層之回流方法及設備。本發明之方法是將一物質引入回流反應室，該物質的反應性至少與被回流的物質(例如吸氣物質(gettering))一樣或更具反應性。當遮罩阻止吸氣物質到達被回流的物質層，吸氣物質通常以濺鍍方式沉積於回流反應室內。遮罩可與將晶圓(包含被回流的物質層)夾至晶圓支座的箝夾耦合或成一整體，兩提供足夠的氣體出口量，如此自晶圓去吸附的污染物可流進濺鍍靶及遮罩之間的區域，該遮單是污染物與吸氣物質反應的地方。遮罩可有一避免吸氣物質自遮罩成片剝落的粗糙上表面(面對濺鍍靶的表面)，及/或遮罩可有一反射熱能至晶圓的反射底表面(面對晶圓的表面)。
简体摘要：本发明提供一物质层之回流方法及设备。本发明之方法是将一物质引入回流反应室，该物质的反应性至少与被回流的物质(例如吸气物质(gettering))一样或更具反应性。当遮罩阻止吸气物质到达被回流的物质层，吸气物质通常以溅镀方式沉积于回流反应室内。遮罩可与将晶圆(包含被回流的物质层)夹至晶圆支座的箝夹耦合或成一整体，两提供足够的气体出口量，如此自晶圆去吸附的污染物可流进溅镀靶及遮罩之间的区域，该遮单是污染物与吸气物质反应的地方。遮罩可有一避免吸气物质自遮罩成片剥落的粗糙上表面(面对溅镀靶的表面)，及/或遮罩可有一反射热能至晶圆的反射底表面(面对晶圆的表面)。

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