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1. 发明专利

TWI406337B 用於半導體裝置之氧化的方法有权
简体标题：用于半导体设备之氧化的方法
公开(公告)号：TWI406337B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098108260
申请日：2009-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曼尼拉傑許 , MANI, RAJESH , 譚諾曼 , TAM, NORMAN , 韋德曼堤摩西W , WEIDMAN, TIMOTHY W. , 橫田義孝 , YOKOTA, YOSHITAKA
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/28273 , H01L21/31683 , H01L21/32105

2. 发明专利

TW200943381A 具有改善之氣流分佈的熱反應器 THERMAL REACTOR WITH IMPROVED GAS FLOW DISTRIBUTION 审中-公开
简体标题：具有改善之气流分布的热反应器 THERMAL REACTOR WITH IMPROVED GAS FLOW DISTRIBUTION
公开(公告)号：TW200943381A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097149777
申请日：2008-12-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：曾明貴 , 譚諾曼 , 橫田義孝 , 梯真達安古思 , 納威卡羅柏 , 比傑鎂瑞 , 瑞摩西桑德 , 山見凱德南 , 雷奈亞歷山大N
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , F27D7/06 , H01L21/67017 , H01L21/67098
摘要：本發明之實施例係提供用於改善熱處理期間之氣體分佈的設備及方法。本發明之一實施例係提供一種用於處理基板之設備，該設備包括：一腔室主體，界定一處理容積；一基板支撐件，係設置於該處理容積中，其中該基板支撐件係配置以支撐並旋轉該基板；一氣體入口組件，係耦接至該腔室主體的一入口，並配置以提供一第一氣流至該處理容積；以及一排氣組件，係耦接至該腔室主體之一出口，其中該氣體入口組件及該排氣組件係設置在該腔室主體之相對側，且該排氣組件係界定一配置以延伸該處理容積的排氣容積。
简体摘要：本发明之实施例系提供用于改善热处理期间之气体分布的设备及方法。本发明之一实施例系提供一种用于处理基板之设备，该设备包括：一腔室主体，界定一处理容积；一基板支撑件，系设置于该处理容积中，其中该基板支撑件系配置以支撑并旋转该基板；一气体入口组件，系耦接至该腔室主体的一入口，并配置以提供一第一气流至该处理容积；以及一排气组件，系耦接至该腔室主体之一出口，其中该气体入口组件及该排气组件系设置在该腔室主体之相对侧，且该排气组件系界定一配置以延伸该处理容积的排气容积。

3. 发明专利

TWI557799B 用於半導體裝置之氧化的方法有权
简体标题：用于半导体设备之氧化的方法
公开(公告)号：TWI557799B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW102111448
申请日：2009-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曼尼拉傑許 , MANI, RAJESH , 譚諾曼 , TAM, NORMAN , 韋德曼堤摩西W , WEIDMAN, TIMOTHY W. , 橫田義孝 , YOKOTA, YOSHITAKA
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/28273 , H01L21/31683 , H01L21/32105

4. 发明专利

TW201145363A 單步驟選擇性氮化方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR SINGLE STEP SELECTIVE NITRIDATION 审中-公开
简体标题：单步骤选择性氮化方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR SINGLE STEP SELECTIVE NITRIDATION
公开(公告)号：TW201145363A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100106719
申请日：2011-03-01
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：甘古力尤達炎 , 瓜立尼泰瑞莎克拉莫 , 羅吉斯馬修史考特 , 橫田義孝 , 史文保喬哈那斯S , 畢凡麥爾肯J
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02247 , H01L21/02362 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/7881
摘要：茲提供選擇性單步驟氮化半導體基板的方法與設備。利用選擇性氮化製程,將氮選擇性併入具矽區和氧化矽區之半導體基板的矽區。藉由形成含氮電漿及過濾或移除電漿中的離子,以將含氮自由基導向基板,或者可進行使用選擇性前驅物的熱氮化製程。將遠端電漿產生器耦接至處理腔室,其選擇性包括一或多個離子濾器、噴淋頭和自由基分配器,或者可產生原位電漿,且一或多個離子濾器或屏蔽設置在腔室內的電漿產生區與基板支撐件之間。
简体摘要：兹提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化制程,将氮选择性并入具硅区和氧化硅区之半导体基板的硅区。借由形成含氮等离子及过滤或移除等离子中的离子,以将含氮自由基导向基板,或者可进行使用选择性前驱物的热氮化制程。将远程等离子产生器耦接至处理腔室,其选择性包括一或多个离子滤器、喷淋头和自由基分配器,或者可产生原位等离子,且一或多个离子滤器或屏蔽设置在腔室内的等离子产生区与基板支撑件之间。

5. 发明专利

TWI366217B 具有改善之氣流分佈的熱反應器 THERMAL REACTOR WITH IMPROVED GAS FLOW DISTRIBUTION 有权
简体标题：具有改善之气流分布的热反应器 THERMAL REACTOR WITH IMPROVED GAS FLOW DISTRIBUTION
公开(公告)号：TWI366217B
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：TW097149777
申请日：2008-12-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：曾明貴 , 譚諾曼 , 橫田義孝 , 梯真達安古思 , 納威卡羅柏 , 比傑鎂瑞 , 瑞摩西桑德 , 山見凱德南 , 雷奈亞歷山大N
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , F27D7/06 , H01L21/67017 , H01L21/67098
摘要：本發明之實施例係提供用於改善熱處理期間之氣體分佈的設備及方法。本發明之一實施例係提供一種用於處理基板之設備，該設備包括：一腔室主體，界定一處理容積；一基板支撐件，係設置於該處理容積中，其中該基板支撐件係配置以支撐並旋轉該基板；一氣體入口組件，係耦接至該腔室主體的一入口，並配置以提供一第一氣流至該處理容積；以及一排氣組件，係耦接至該腔室主體之一出口，其中該氣體入口組件及該排氣組件係設置在該腔室主體之相對側，且該排氣組件係界定一配置以延伸該處理容積的排氣容積。
简体摘要：本发明之实施例系提供用于改善热处理期间之气体分布的设备及方法。本发明之一实施例系提供一种用于处理基板之设备，该设备包括：一腔室主体，界定一处理容积；一基板支撑件，系设置于该处理容积中，其中该基板支撑件系配置以支撑并旋转该基板；一气体入口组件，系耦接至该腔室主体的一入口，并配置以提供一第一气流至该处理容积；以及一排气组件，系耦接至该腔室主体之一出口，其中该气体入口组件及该排气组件系设置在该腔室主体之相对侧，且该排气组件系界定一配置以延伸该处理容积的排气容积。

6. 发明专利

TW201034078A 用於在半導體裝置上形成共形氧化層的方法 METHODS FOR FORMING CONFORMAL OXIDE LAYERS ON SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
简体标题：用于在半导体设备上形成共形氧化层的方法 METHODS FOR FORMING CONFORMAL OXIDE LAYERS ON SEMICONDUCTOR DEVICES
公开(公告)号：TW201034078A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099100844
申请日：2010-01-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：聖卓艾格斯S , 奧森克里斯多夫S , 史文博格玖漢尼斯F , 橫田義孝
IPC分类号： H01L , C23C
摘要：本發明揭示在半導體基材上形成氧化物層的方法及設備。在一或多個實施例中，利用電漿氧化法藉由將半導體基材溫度控制在低於約100℃來形成一共形氧化物層。根據一或多個實施例之控制半導體基材溫度的方法包含使用靜電夾盤及冷卻劑和氣體對流。
简体摘要：本发明揭示在半导体基材上形成氧化物层的方法及设备。在一或多个实施例中，利用等离子氧化法借由将半导体基材温度控制在低于约100℃来形成一共形氧化物层。根据一或多个实施例之控制半导体基材温度的方法包含使用静电夹盘及冷却剂和气体对流。

7. 发明专利

TW200945443A 用於半導體裝置之氧化的方法 METHODS FOR OXIDATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：用于半导体设备之氧化的方法 METHODS FOR OXIDATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200945443A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW098108260
申请日：2009-03-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：曼尼拉傑許 , 譚諾曼 , 韋德曼堤摩西W , 橫田義孝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/28273 , H01L21/31683 , H01L21/32105
摘要：這裡提供在一半導體基板上製造氧化層之方法。氧化層可形成在一基板上之一完整結構上，或選擇性地形成在一含非金屬層上，而極少量或未氧化一曝露的含金屬層。本文披露的方法可在不同的製程腔室中執行，包括但不限於解耦電漿氧化腔室、快速和/或遠端電漿氧化腔室、和/或電漿浸沒離子佈植腔室。在一些實施例中，一方法可提供一基板，該基板包含一含金屬層和一含非金屬層；和藉由將該基板曝露至一電漿，在該含非金屬層的一曝露表面上形成一氧化層，該電漿是由包括下列氣體的一製程氣體所形成：一含氫氣體、一含氧氣體、及下列至少一者：一補充含氧氣體或一含氮氣體。
简体摘要：这里提供在一半导体基板上制造氧化层之方法。氧化层可形成在一基板上之一完整结构上，或选择性地形成在一含非金属层上，而极少量或未氧化一曝露的含金属层。本文披露的方法可在不同的制程腔室中运行，包括但不限于解耦等离子氧化腔室、快速和/或远程等离子氧化腔室、和/或等离子浸没离子布植腔室。在一些实施例中，一方法可提供一基板，该基板包含一含金属层和一含非金属层；和借由将该基板曝露至一等离子，在该含非金属层的一曝露表面上形成一氧化层，该等离子是由包括下列气体的一制程气体所形成：一含氢气体、一含氧气体、及下列至少一者：一补充含氧气体或一含氮气体。

8. 发明专利

TWI521573B 單步驟選擇性氮化方法與設備有权
简体标题：单步骤选择性氮化方法与设备
公开(公告)号：TWI521573B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100106719
申请日：2011-03-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：甘古力尤達炎 , GANGULY, UDAYAN , 瓜立尼泰瑞莎克拉莫 , GUARINI, THERESA KRAMER , 羅吉斯馬修史考特 , ROGERS, MATTHEW SCOTT , 橫田義孝 , YOKOTA, YOSHITAKA , 史文保喬哈那斯S , SWENBERG, JOHANES S. , 畢凡麥爾肯J , BEVAN, MALCOLM J.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/02247 , H01L21/02362 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/7881

9. 发明专利

TW201330102A 用於半導體裝置之氧化的方法审中-公开
简体标题：用于半导体设备之氧化的方法
公开(公告)号：TW201330102A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW102111448
申请日：2009-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曼尼拉傑許 , MANI, RAJESH , 譚諾曼 , TAM, NORMAN , 韋德曼堤摩西W , WEIDMAN, TIMOTHY W. , 橫田義孝 , YOKOTA, YOSHITAKA
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/28273 , H01L21/31683 , H01L21/32105
摘要：這裡提供在一半導體基板上製造氧化層之方法。氧化層可形成在一基板上之一完整結構上，或選擇性地形成在一含非金屬層上，而極少量或未氧化一曝露的含金屬層。本文披露的方法可在不同的製程腔室中執行，包括但不限於解耦電漿氧化腔室、快速和/或遠端電漿氧化腔室、和/或電漿浸沒離子佈植腔室。在一些實施例中，一方法可提供一基板，該基板包含一含金屬層和一含非金屬層；和藉由將該基板曝露至一電漿，在該含非金屬層的一曝露表面上形成一氧化層，該電漿是由包括下列氣體的一製程氣體所形成：一含氫氣體、一含氧氣體、及下列至少一者：一補充含氧氣體或一含氮氣體。
简体摘要：这里提供在一半导体基板上制造氧化层之方法。氧化层可形成在一基板上之一完整结构上，或选择性地形成在一含非金属层上，而极少量或未氧化一曝露的含金属层。本文披露的方法可在不同的制程腔室中运行，包括但不限于解耦等离子氧化腔室、快速和/或远程等离子氧化腔室、和/或等离子浸没离子布植腔室。在一些实施例中，一方法可提供一基板，该基板包含一含金属层和一含非金属层；和借由将该基板曝露至一等离子，在该含非金属层的一曝露表面上形成一氧化层，该等离子是由包括下列气体的一制程气体所形成：一含氢气体、一含氧气体、及下列至少一者：一补充含氧气体或一含氮气体。

10. 发明专利

TW201017767A 低溫熱氧化或電漿氧化之氧化後退火 POST OXIDATION ANNEALING OF LOW TEMPERATURE THERMAL OR PLASMA BASED OXIDATION 审中-公开
简体标题：低温热氧化或等离子氧化之氧化后退火 POST OXIDATION ANNEALING OF LOW TEMPERATURE THERMAL OR PLASMA BASED OXIDATION
公开(公告)号：TW201017767A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098119781
申请日：2009-06-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：歐森克里斯多夫S , 橫田義孝 , 馬尼拉哲希 , 史文保喬哈那斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02337 , H01L21/28247 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/517
摘要：本發明實施例提供在半導體基板上形成氧化層的方法。在某些實施例中，在基板上形成氧化層的方法包括使用具有第一製程氣體的氧化製程在低於約800℃的第一溫度下於基板上形成氧化層，以及在第二製程氣體存在的情況下於第二溫度中退火該形成於基板上的氧化層。該氧化製程可以是在約800℃或更低溫度下執行的電漿氧化或熱氧化製程。在某些實施例中，氧化後退火可以是在至少約700℃、在至少約800℃或在至少950℃之溫度下執行的尖峰式或浸入式快速熱製程、雷射退火或閃光式退火。
简体摘要：本发明实施例提供在半导体基板上形成氧化层的方法。在某些实施例中，在基板上形成氧化层的方法包括使用具有第一制程气体的氧化制程在低于约800℃的第一温度下于基板上形成氧化层，以及在第二制程气体存在的情况下于第二温度中退火该形成于基板上的氧化层。该氧化制程可以是在约800℃或更低温度下运行的等离子氧化或热氧化制程。在某些实施例中，氧化后退火可以是在至少约700℃、在至少约800℃或在至少950℃之温度下运行的尖峰式或浸入式快速热制程、激光退火或闪光式退火。

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