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1. 发明专利

TW201142073A 透過自由基化成份化學氣相沉積形成的共形層 CONFORMAL LAYERS BY RADICAL-COMPONENT CVD 审中-公开
简体标题：透过自由基化成份化学气相沉积形成的共形层 CONFORMAL LAYERS BY RADICAL-COMPONENT CVD
公开(公告)号：TW201142073A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100104616
申请日：2011-02-11
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：梁靜美 , 陳曉琳 , 李東擎 , 英戈爾尼廷K
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/76837
摘要：茲揭露用以自無碳矽與氮前驅物與自由基-氮前驅物形成含有矽與氮的共形介電層(例如，矽-氮-氫(Si-N-H)膜)之方法、材料以及系統。無碳矽與氮前驅物主要藉由接觸自由基-氮前驅物而激發。因為矽與氮膜是在無碳情況下形成，因此可在較少孔洞形成及較低體積收縮率下完成膜至硬化的氧化矽之轉化。可將經沉積的含矽與氮膜完全或部分轉化為氧化矽，其容許共形介電層的光學特性成為可選擇的。可於低溫下進行含矽與氮薄膜的沉積，以於基材溝槽中形成襯墊層。已發現低溫襯墊層可增進濕潤特性，並容許可流動的膜更完整地填充溝槽。
简体摘要：兹揭露用以自无碳硅与氮前驱物与自由基-氮前驱物形成含有硅与氮的共形介电层(例如，硅-氮-氢(Si-N-H)膜)之方法、材料以及系统。无碳硅与氮前驱物主要借由接触自由基-氮前驱物而激发。因为硅与氮膜是在无碳情况下形成，因此可在较少孔洞形成及较低体积收缩率下完成膜至硬化的氧化硅之转化。可将经沉积的含硅与氮膜完全或部分转化为氧化硅，其容许共形介电层的光学特性成为可选择的。可于低温下进行含硅与氮薄膜的沉积，以于基材沟槽中形成衬垫层。已发现低温衬垫层可增进湿润特性，并容许可流动的膜更完整地填充沟槽。

2. 发明专利

TWI355031B 增加二氧化矽張應力之後沉積電漿處理 POST DEPOSITION PLASMA TREATMENT TO INCREASE TENSILE STRESS OF HDP-CVD SIO2 失效
简体标题：增加二氧化硅张应力之后沉积等离子处理 POST DEPOSITION PLASMA TREATMENT TO INCREASE TENSILE STRESS OF HDP-CVD SIO2
公开(公告)号：TWI355031B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW095130286
申请日：2006-08-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳曉琳 , 奈馬尼史林尼法斯D , 李東擎 , 謬羅傑佛瑞C , 梅聶茲馬龍E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C16/402 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/31612
摘要：本發明係描述一種增加矽晶圓之拉伸應力的電漿處理製程。在基板上沉積一介電層之後，基板係升舉至基板承接表面上方之一升高位置，並暴露於一電漿處理，而用以處理晶圓之上、下表面，且使沉積層之拉伸應力增加。本發明之另一實施例包括基板在電漿處理之前被偏壓，而以電漿離子轟擊晶圓並使基板溫度升高。在本發明之另一實施例中，可使用一種二階段電漿處理製程，其係在沉積之後，首先將基板於處理位置直接暴露於一電漿，接著基板再升舉至一升高位置，而使晶圓的上、下表面皆暴露於電漿。
简体摘要：本发明系描述一种增加硅晶圆之拉伸应力的等离子处理制程。在基板上沉积一介电层之后，基板系升举至基板承接表面上方之一升高位置，并暴露于一等离子处理，而用以处理晶圆之上、下表面，且使沉积层之拉伸应力增加。本发明之另一实施例包括基板在等离子处理之前被偏压，而以等离子离子轰击晶圆并使基板温度升高。在本发明之另一实施例中，可使用一种二阶段等离子处理制程，其系在沉积之后，首先将基板于处理位置直接暴露于一等离子，接着基板再升举至一升高位置，而使晶圆的上、下表面皆暴露于等离子。

3. 发明专利

TWI621731B 用於應力裝置之低溫可流動固化有权
简体标题：用于应力设备之低温可流动固化
公开(公告)号：TWI621731B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW103115846
申请日：2014-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 洪錫湲 , HONG, SUKWON , 督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 李東擎 , LI, DONGQING
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/50

4. 发明专利

TW201233842A 自由基蒸汽化學氣相沉積 RADICAL STEAM CVD 审中-公开
简体标题：自由基蒸汽化学气相沉积 RADICAL STEAM CVD
公开(公告)号：TW201233842A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100148024
申请日：2011-12-22
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：李東擎 , 梁靜美 , 陳曉琳 , 英戈爾尼廷K
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/308 , C23C16/045 , C23C16/452 , C23C16/56
摘要：描述形成氧化矽層的方法。方法包括同時地結合電漿激發(自由基)的蒸汽與未激發的矽前驅物。可經由電漿激發的形式(例如藉由添加氨到蒸汽)與/或藉由選擇含氮的未激發的矽前驅物來供應氮。方法造成含矽-氧-與-氮層在基材上的沉積。含矽-氧-與-氮層的氧含量接著被增加，以形成可幾乎不含有或不含有氮的氧化矽層。可藉由在含氧氛圍的存在下將層予以退火而造成氧含量的增加，並且可藉由在惰性環境中將溫度提升到甚至更高來進一步增加膜的密度。
简体摘要：描述形成氧化硅层的方法。方法包括同时地结合等离子激发(自由基)的蒸汽与未激发的硅前驱物。可经由等离子激发的形式(例如借由添加氨到蒸汽)与/或借由选择含氮的未激发的硅前驱物来供应氮。方法造成含硅-氧-与-氮层在基材上的沉积。含硅-氧-与-氮层的氧含量接着被增加，以形成可几乎不含有或不含有氮的氧化硅层。可借由在含氧氛围的存在下将层予以退火而造成氧含量的增加，并且可借由在惰性环境中将温度提升到甚至更高来进一步增加膜的密度。

5. 发明专利

TWI669780B 利用佈植的可流動膜性質調諧有权
简体标题：利用布植的可流动膜性质调谐
公开(公告)号：TWI669780B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104130151
申请日：2015-09-11
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉怡利 , YIEH, ELLIE Y. , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 薛君 , XUE, JUN , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 陳艾莉卡 , CHEN, ERICA
IPC分类号： H01L21/762

6. 发明专利

TW201616603A 利用佈植的可流動膜性質調諧审中-公开
简体标题：利用布植的可流动膜性质调谐
公开(公告)号：TW201616603A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104130151
申请日：2015-09-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉怡利 , YIEH, ELLIE Y. , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 薛君 , XUE, JUN , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 陳艾莉卡 , CHEN, ERICA
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02321 , H01L21/02323 , H01L21/0337 , H01L21/3065 , H01L21/31155 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要：將物種供應到在基板上的可流動層。藉由將該物種佈植到該可流動層來修改該可流動層之性質。該性質包含密度、應力、薄膜收縮率、蝕刻選擇率、或上述之任意組合。
简体摘要：将物种供应到在基板上的可流动层。借由将该物种布植到该可流动层来修改该可流动层之性质。该性质包含密度、应力、薄膜收缩率、蚀刻选择率、或上述之任意组合。

7. 发明专利

TWI534290B 透過自由基化成份化學氣相沉積形成的共形層有权
简体标题：透过自由基化成份化学气相沉积形成的共形层
公开(公告)号：TWI534290B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW100104616
申请日：2011-02-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁靜美 , LIANG, JINGMEI , 陳曉琳 , CHEN, XIAOLIN , 李東擎 , LI, DONGQING , 英戈爾尼廷K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/30
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/76837

8. 发明专利

TW201447019A 用於應力裝置之低溫可流動固化审中-公开
简体标题：用于应力设备之低温可流动固化
公开(公告)号：TW201447019A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103115846
申请日：2014-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 洪錫湲 , HONG, SUKWON , 督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 李東擎 , LI, DONGQING
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/50
摘要：本發明描述形成間隙填充含矽層之方法。方法可包括在圖案化基板上提供或形成含矽與氫層。方法包括在低基板溫度下非熱處理含矽與氫層以在含矽與氫層保持柔軟的同時增加Si-Si鍵之濃度。鬆軟層能夠調整使氫脫離薄膜及保持高密度而不產生應力。隨後藉由在Si-Si鍵之間插入O以使溝槽中的薄膜膨脹從而將含矽與氫層轉換成含矽與氧層來進一步改良薄膜品質。
简体摘要：本发明描述形成间隙填充含硅层之方法。方法可包括在图案化基板上提供或形成含硅与氢层。方法包括在低基板温度下非热处理含硅与氢层以在含硅与氢层保持柔软的同时增加Si-Si键之浓度。松软层能够调整使氢脱离薄膜及保持高密度而不产生应力。随后借由在Si-Si键之间插入O以使沟槽中的薄膜膨胀从而将含硅与氢层转换成含硅与氧层来进一步改良薄膜品质。

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