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2. 发明专利

TWI444110B 具有ＲＦ產生器之電漿反應器以及具有最小反射功率搜尋控制之自動阻抗匹配失效
简体标题：具有ＲＦ产生器之等离子反应器以及具有最小反射功率搜索控制之自动阻抗匹配
公开(公告)号：TWI444110B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW099121288
申请日：2010-06-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張春雷 , ZHANG, CHUNLEI , 汪羅倫斯 , WONG, LAWRENCE , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 克魯斯詹姆士P , CRUSE, JAMES P. , 塙廣二 , HANAWA, HIROJI
IPC分类号： H05H1/46 , H03H7/40
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32091

3. 发明专利

TWI538569B 用於調諧匹配網路之方法與裝置有权
简体标题：用于调谐匹配网络之方法与设备
公开(公告)号：TWI538569B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW099134936
申请日：2010-10-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張春雷 , ZHANG, CHUNLEI , 修吉瑟吉歐F , SHOJI, SERGIO F. , 席孟尼安德烈 , SEMENIN, ANDREY , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 克魯斯詹姆士P , CRUSE, JAMES P. , 廖布萊恩 , LIAO, BRYAN
IPC分类号： H05H1/46 , H03H7/40
CPC分类号： H03H7/40 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H05H1/46

4. 发明专利

TW201124001A 具有ＲＦ產生器之電漿反應器以及具有最小反射功率搜尋控制之自動阻抗匹配 PLASMA REACTOR WITH RF GENERATOR AND AUTOMATIC IMPEDANCE MATCH WITH MINIMUM REFLECTED POWER-SEEKING CONTROL 失效
简体标题：具有ＲＦ产生器之等离子反应器以及具有最小反射功率搜索控制之自动阻抗匹配 PLASMA REACTOR WITH RF GENERATOR AND AUTOMATIC IMPEDANCE MATCH WITH MINIMUM REFLECTED POWER-SEEKING CONTROL
公开(公告)号：TW201124001A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099121288
申请日：2010-06-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：張春雷 , 汪羅倫斯 , 拉馬斯瓦米卡提克 , 克魯斯詹姆士P , 塙廣二
IPC分类号： H05H , H03H
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32091
摘要：一種在一電漿反應器中之一RF產生器輸出處的阻抗匹配包括複數最小搜尋迴路控制器,其具有各自的回授輸入埠及各自的控制輸出埠,該等各自的回授輸入埠經耦合以自一反射功率感測電路接收一反射RF功率信號。該等輸出埠耦合至一在該反應器的該RF產生器及一RF功率施加器間連接之阻抗匹配電路的可變電抗。
简体摘要：一种在一等离子反应器中之一RF产生器输出处的阻抗匹配包括复数最小搜索回路控制器,其具有各自的回授输入端口及各自的控制输出端口,该等各自的回授输入端口经耦合以自一反射功率传感电路接收一反射RF功率信号。该等输出端口耦合至一在该反应器的该RF产生器及一RF功率施加器间连接之阻抗匹配电路的可变电抗。

5. 发明专利

TW201117290A 用於低Ｋ介電質修復的設備及方法 APPARATUS AND METHOD FOR LOW-K DIELECTRIC REPAIR 审中-公开
简体标题：用于低Ｋ介电质修复的设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR LOW-K DIELECTRIC REPAIR
公开(公告)号：TW201117290A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099126121
申请日：2010-08-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：卡杜祺詹姆斯D , 奈馬尼史林尼法斯D , 唐海蓉 , 孫輝 , 馬可夫斯基伊戈爾 , 古德愛爾R , 卡亞伊沃爾拉尼S , 葉艾利Y , 張春雷 , 柯林肯尼S , 艾馬克斯特麥克D , 波拉克里斯那阿吉特 , 里耳托史坦B
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76831
摘要：本文提供蝕刻與/或剝除處理造成之低k介電質薄膜損害的整合式真空中修復方法、系統與電腦可讀媒體。將修復腔室併入與電漿蝕刻與/或剝除腔室之相同平臺上，以在傷害事件與修復事件之間不破壞真空下修復低k介電質薄膜。可於低k修復處理之前、之後或期間之任何組合提供UV輻射於整合式蝕刻/修復平臺上，以提高修復處理之效率與/或修復穩定性。
简体摘要：本文提供蚀刻与/或剥除处理造成之低k介电质薄膜损害的集成式真空中修复方法、系统与电脑可读媒体。将修复腔室并入与等离子蚀刻与/或剥除腔室之相同平台上，以在伤害事件与修复事件之间不破坏真空下修复低k介电质薄膜。可于低k修复处理之前、之后或期间之任何组合提供UV辐射于集成式蚀刻/修复平台上，以提高修复处理之效率与/或修复稳定性。

6. 发明专利

TW201021628A 電漿處理裝置中的快速反應熱控制方法與設備 METHODS AND APPARATUS FOR RAPIDLY RESPONSIVE HEAT CONTROL IN PLASMA PROCESSING DEVICES 审中-公开
简体标题：等离子处理设备中的快速反应热控制方法与设备 METHODS AND APPARATUS FOR RAPIDLY RESPONSIVE HEAT CONTROL IN PLASMA PROCESSING DEVICES
公开(公告)号：TW201021628A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098135137
申请日：2009-10-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：張春雷 , 法菲爾理查 , 古德愛爾羅伯特 , 波拉克里斯那阿吉特 , 克魯斯詹姆士P
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05B7/18 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069
摘要：在本文中提供用於調節一電漿增強型製程腔室中之一部件之溫度的方法及設備。在一些實施例中，一種用於處理一基板之設備包括一製程腔室及一用以提供RF能量以在該製程腔室中形成一電漿之RF源。一部件安置於該製程腔室中以在該電漿得以形成時由該電漿加熱。一加熱器經組態以加熱該部件且一熱交換器經組態以自該部件移除熱。一冷卻器經由一具有一安置於其中之開/關流量控制閥的第一流動管道及一用以繞過該流量控制閥之旁通迴路而耦接至該熱交換器，其中該旁通迴路具有一安置於其中之流量比閥。
简体摘要：在本文中提供用于调节一等离子增强型制程腔室中之一部件之温度的方法及设备。在一些实施例中，一种用于处理一基板之设备包括一制程腔室及一用以提供RF能量以在该制程腔室中形成一等离子之RF源。一部件安置于该制程腔室中以在该等离子得以形成时由该等离子加热。一加热器经组态以加热该部件且一热交换器经组态以自该部件移除热。一冷却器经由一具有一安置于其中之开/关流量控制阀的第一流动管道及一用以绕过该流量控制阀之旁通回路而耦接至该热交换器，其中该旁通回路具有一安置于其中之流量比阀。

7. 发明专利

TWI533764B 電漿處理裝置中的快速反應熱控制方法及設備有权
简体标题：等离子处理设备中的快速反应热控制方法及设备
公开(公告)号：TWI533764B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW098135137
申请日：2009-10-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張春雷 , ZHANG, CHUNLEI , 法菲爾理查 , FOVELL, RICHARD , 古德愛爾羅伯特 , GOLD, EZRA ROBERT , 波拉克里斯那阿吉特 , BALAKRISHNA, AJIT , 克魯斯詹姆士P , CRUSE, JAMES P.
IPC分类号： H05H1/28
CPC分类号： H05B7/18 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069

8. 发明专利

TW201143542A 電漿處理設備之前饋溫度控制 FEEDFORWARD TEMPERATURE CONTROL FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备之前馈温度控制 FEEDFORWARD TEMPERATURE CONTROL FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201143542A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100102356
申请日：2011-01-21
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：馬哈丹瓦瑞思瓦明契單 , 莫利華特 , 修吉瑟吉歐富庫達 , 張春雷 , 帕堤爾央夏維倪 , 尼古言杜依D , 崇堤納 , 奈菲爾雪尼 , 布卻柏格道格拉斯A , 席門瑞費南多 , 梅斯貝德L , 拉馬斯瓦米卡提克 , 挪貝克許哈密
IPC分类号： H05H , H01J
CPC分类号： H01J37/32009 , G05B6/02 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H05H1/0081
摘要：茲提出控制電漿處理腔室中之溫度的方法和系統,其有較短的控制器響應時間及較佳的穩定性。溫度控制至少部分依據前饋控制訊號,前饋控制訊號衍生自輸入處理腔室之電漿功率。補償電漿功率引起之溫度擾動的前饋控制訊號可結合反饋控制訊號,以抵消經測量溫度與期望溫度間的誤差。
简体摘要：兹提出控制等离子处理腔室中之温度的方法和系统,其有较短的控制器响应时间及较佳的稳定性。温度控制至少部分依据前馈控制信号,前馈控制信号衍生自输入处理腔室之等离子功率。补偿等离子功率引起之温度扰动的前馈控制信号可结合反馈控制信号,以抵消经测量温度与期望温度间的误差。

9. 发明专利

TW201141317A 用於調諧匹配網路之方法與裝置 METHODS AND APPARATUS FOR TUNING MATCHING NETWORKS 审中-公开
简体标题：用于调谐匹配网络之方法与设备 METHODS AND APPARATUS FOR TUNING MATCHING NETWORKS
公开(公告)号：TW201141317A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099134936
申请日：2010-10-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：張春雷 , 修吉瑟吉歐F , 席孟尼安德烈 , 拉馬斯瓦米卡提克 , 克魯斯詹姆士P , 廖布萊恩
IPC分类号： H05H , H03H
CPC分类号： H03H7/40 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H05H1/46
摘要：本發明在此提供用以調諧匹配網路的方法和裝置。調諧一匹配網路的方法包含以下步驟：提供一耦合一RF電源至一負載的匹配網路，該匹配網路具有設置於一第一設定點的一調諧元件；藉由在該第一設定點之上的一第一步驟增加該調諧元件的值；感測一反射RF功率的一第一調整值；藉由在該第一設定點之下的該第一步驟減少該調諧元件的值；感測該反射RF功率的一第二調整值；比較該反射RF功率的該第一和該第二調整值；及移動該調諧元件至一第二設定點，該第二設定點對應於具有該反射RF功率的一最小調整值之一位置。可重複此方法直到該反射RF功率落入一可接受的反射RF功率範圍。
简体摘要：本发明在此提供用以调谐匹配网络的方法和设备。调谐一匹配网络的方法包含以下步骤：提供一耦合一RF电源至一负载的匹配网络，该匹配网络具有设置于一第一设置点的一调谐组件；借由在该第一设置点之上的一第一步骤增加该调谐组件的值；传感一反射RF功率的一第一调整值；借由在该第一设置点之下的该第一步骤减少该调谐组件的值；传感该反射RF功率的一第二调整值；比较该反射RF功率的该第一和该第二调整值；及移动该调谐组件至一第二设置点，该第二设置点对应于具有该反射RF功率的一最小调整值之一位置。可重复此方法直到该反射RF功率落入一可接受的反射RF功率范围。

10. 发明专利

TW201005822A 基材蝕刻系統與製程之方法及設備 METHOD AND APPARATUS OF A SUBSTRATE ETCHING SYSTEM AND PROCESS 审中-公开
简体标题：基材蚀刻系统与制程之方法及设备 METHOD AND APPARATUS OF A SUBSTRATE ETCHING SYSTEM AND PROCESS
公开(公告)号：TW201005822A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098109255
申请日：2009-03-20
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：帕馬西沙瑪V , 法爾瓊C , 瑟拉裘汀卡利德 , 古德愛爾羅伯 , 克魯斯詹姆士P , 歐玆烏斯基史考特 , 那歌力羅伊C , 辛沙拉傑特 , 布卻柏格道格拉斯二世A , 李傑瑞A , 張春雷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30655 , Y10T137/0318 , Y10T137/87169
摘要：本發明之實施例係關於一種基材蝕刻系統與製程。在一實施例中，一方法可以包括：在一沉積製程的期間沉積材料於該基材上；在一第一蝕刻製程的期間蝕刻該基材之一第一層；以及在一第二蝕刻製程的期間蝕刻該基材之一第二層，其中在該第一蝕刻製程的期間施加一第一偏壓功率到該基材，以及其中在該第二蝕刻製程的期間施加一第二偏壓功率到該基材。在另一實施例中，一系統可以包括一氣體輸送系統，該氣體輸送系統包含：一第一氣體盤，其用於供應一第一氣體到一腔室；一第二氣體盤，其用於供應一第二氣體到該腔室；以及複數個流量控制器，其用於引導該些氣體到該腔室，以促進進出該腔室和該些氣體盤之該些氣體間的快速氣體過渡。
简体摘要：本发明之实施例系关于一种基材蚀刻系统与制程。在一实施例中，一方法可以包括：在一沉积制程的期间沉积材料于该基材上；在一第一蚀刻制程的期间蚀刻该基材之一第一层；以及在一第二蚀刻制程的期间蚀刻该基材之一第二层，其中在该第一蚀刻制程的期间施加一第一偏压功率到该基材，以及其中在该第二蚀刻制程的期间施加一第二偏压功率到该基材。在另一实施例中，一系统可以包括一气体输送系统，该气体输送系统包含：一第一气体盘，其用于供应一第一气体到一腔室；一第二气体盘，其用于供应一第二气体到该腔室；以及复数个流量控制器，其用于引导该些气体到该腔室，以促进进出该腔室和该些气体盘之该些气体间的快速气体过渡。

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