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1. 发明专利

TWI452251B 加熱處理裝置有权
简体标题：加热处理设备
公开(公告)号：TWI452251B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW098109525
申请日：2009-03-24
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：池田均 , IKEDA, HITOSHI , 岡山智彥 , OKAYAMA, SATOHIRO , 松本浩一 , MATSUMOTO, KOICHI , 森岡和 , MORIOKA, YAWARA , 目崎芳則 , MEZAKI, YOSHINORI
IPC分类号： F26B5/04

2. 发明专利

TWI438290B 處理裝置有权
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TWI438290B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW098109526
申请日：2009-03-24
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：池田均 , IKEDA, HITOSHI , 菊池正志 , KIKUCHI, MASASHI , 小川正浩 , OGAWA, MASAHIRO , 岡山智彥 , OKAYAMA, SATOHIRO
IPC分类号： C23C14/22 , G02F1/133 , F27D7/06

3. 发明专利

TW201028489A 處理裝置审中-公开
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TW201028489A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098109526
申请日：2009-03-24
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：池田均 , 菊池正志 , 小川正浩 , 岡山智彥
IPC分类号： C23C , G02F , F27D
摘要： [課題]提供一種使用有輸送係為便利且更為緊緻（compact）的真空處理室之處理裝置。[解決手段]處理裝置，其特徵為，具備有：真空處理室，其係具備：處理室本體(21)，係由具備被形成為可將基板作插入之貫通孔(24)的方塊狀之複數的處理室構件(25)所成，並在相鄰接之處理室構件的至少其中一方處，涵蓋與另外一方間之抵接面的貫通孔之開口部的周圍，而連續地設置溝(27)，且各處理室構件，係以隔著被裝著於溝處之密封構件(26)而分別被密接的狀態而被固定，而具備有以複數之貫通孔所構成之處理空間(A)、和壁面構件(22)，係將處理空間之其中一方的開口作密封、和蓋構件(23)，係將處理空間之另外一方的開口可開閉地作填塞，在各處理空間中，係具備有：加熱手段(40)，係經由輻射熱而將前述基板作加熱；和一對之基板支持構件(30)，係分別被配置在此加熱手段之上下，並將各基板(S)以對向於加熱手段的方式來作支持。
简体摘要： [课题]提供一种使用有输送系为便利且更为紧致（compact）的真空处理室之处理设备。[解决手段]处理设备，其特征为，具备有：真空处理室，其系具备：处理室本体(21)，系由具备被形成为可将基板作插入之贯通孔(24)的方块状之复数的处理室构件(25)所成，并在相邻接之处理室构件的至少其中一方处，涵盖与另外一方间之抵接面的贯通孔之开口部的周围，而连续地设置沟(27)，且各处理室构件，系以隔着被装着于沟处之密封构件(26)而分别被密接的状态而被固定，而具备有以复数之贯通孔所构成之处理空间(A)、和壁面构件(22)，系将处理空间之其中一方的开口作密封、和盖构件(23)，系将处理空间之另外一方的开口可开闭地作填塞，在各处理空间中，系具备有：加热手段(40)，系经由辐射热而将前述基板作加热；和一对之基板支持构件(30)，系分别被配置在此加热手段之上下，并将各基板(S)以对向于加热手段的方式来作支持。

4. 发明专利

TW201126740A 薄膜太陽電池之製造方法及其製造裝置 THIN-FILM SOLAR BATTERY MANUFACTURING METHOD AND THIN-FILM SOLAR BATTERY MANUFACTURING APPARATUS 审中-公开
简体标题：薄膜太阳电池之制造方法及其制造设备 THIN-FILM SOLAR BATTERY MANUFACTURING METHOD AND THIN-FILM SOLAR BATTERY MANUFACTURING APPARATUS
公开(公告)号：TW201126740A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099129887
申请日：2010-09-03
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：山本良明 , 高橋明久 , 金昌衡 , 宇佐美達己 , 大西芳紀 , 池田均 , 玉川孝一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/0604 , B23K26/0622 , B23K26/073 , B23K26/083 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L31/0463 , Y02E10/50
摘要：本發明之課題為提供可將ZnO系透明導電膜適當地圖案化之薄膜太陽電池之製造方法及其製造裝置。解決手段為本發明的一實施形態之薄膜太陽電池之製造方法,其係形成具有周邊部的光束强度比中央部還高的截面强度分布之紅外線脈衝雷射光,對於透明基板上所形成的氧化鋅(ZnO)系透明導電膜,照射上述紅外線脈衝雷射光,邊重複照射範圍的一部分邊掃描上述紅外線脈衝雷射光。藉由使用具有如此截面强度分布的紅外線脈衝雷射光,可抑制雷射照射區域與非照射區域的邊界部之膜殘留,可銳利地形成該邊界部的形狀。藉此,可將氧化鋅系的透明導電膜適當地圖案化。又,可確保鄰接的導電膜圖案間之預期的絕緣電阻。
简体摘要：本发明之课题为提供可将ZnO系透明导电膜适当地图案化之薄膜太阳电池之制造方法及其制造设备。解决手段为本发明的一实施形态之薄膜太阳电池之制造方法,其系形成具有周边部的光束强度比中央部还高的截面强度分布之红外线脉冲激光光,对于透明基板上所形成的氧化锌(ZnO)系透明导电膜,照射上述红外线脉冲激光光,边重复照射范围的一部分边扫描上述红外线脉冲激光光。借由使用具有如此截面强度分布的红外线脉冲激光光,可抑制激光照射区域与非照射区域的边界部之膜残留,可锐利地形成该边界部的形状。借此,可将氧化锌系的透明导电膜适当地图案化。又,可确保邻接的导电膜图案间之预期的绝缘电阻。

5. 发明专利

TW201125151A 太陽電池模組之製造方法及太陽電池模組之製造裝置 SOLAR BATTERY MODULE MANUFACTURING METHOD AND SOLAR BATTERY MODULE MANUFACTURING APPARATUS 审中-公开
简体标题：太阳电池模块之制造方法及太阳电池模块之制造设备 SOLAR BATTERY MODULE MANUFACTURING METHOD AND SOLAR BATTERY MODULE MANUFACTURING APPARATUS
公开(公告)号：TW201125151A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099129885
申请日：2010-09-03
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：山本良明 , 池田均 , 大西芳紀 , 玉川孝一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/36 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：本發明之課題為提供可防止分路(shunt)及裂紋的發生，含有藉由雷射光的邊緣刪除步驟之太陽能電池之製造方法及用於該方法之製造裝置。本發明解決手段係對含有在透明基板(2)上依順序形成的透明電極層(3)、光電轉換層(4)及背面電極層(5)之積層體(1)，自透明基板(2)側照射第1雷射光(L1)，而去除第1雷射光(L1)所照射的第1區域(A1)上之光電轉換層(4)及背面電極層(5)，對區域(A1)內，以與區域(A1)隔離的方式照射具有與第1雷射光(L1)不同特性的第2雷射光(L2)，而去除第2雷射光(L2)所照射的第1區域(A1)中所含有的第2區域(A2)上之透明電極層(3)。
简体摘要：本发明之课题为提供可防止分路(shunt)及裂纹的发生，含有借由激光光的边缘删除步骤之太阳能电池之制造方法及用于该方法之制造设备。本发明解决手段系对含有在透明基板(2)上依顺序形成的透明电极层(3)、光电转换层(4)及背面电极层(5)之积层体(1)，自透明基板(2)侧照射第1激光光(L1)，而去除第1激光光(L1)所照射的第1区域(A1)上之光电转换层(4)及背面电极层(5)，对区域(A1)内，以与区域(A1)隔离的方式照射具有与第1激光光(L1)不同特性的第2激光光(L2)，而去除第2激光光(L2)所照射的第1区域(A1)中所含有的第2区域(A2)上之透明电极层(3)。

6. 发明专利

TW201028629A 加熱處理裝置审中-公开
简体标题：加热处理设备
公开(公告)号：TW201028629A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098109525
申请日：2009-03-24
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：池田均 , 岡山智彥 , 松本浩一 , 森岡和 , 目崎芳則
IPC分类号： F26B
摘要： [課題]提供一種：能夠以低成本來製造，且能夠以高效率來將基板作良好的加熱處理之加熱處理裝置。[解決手段]加熱處理裝置，係構成為具備有：真空處理室(20)，其係具備：處理室本體(21)，係由具備貫通孔(24)的複數之處理室構件(25)所成，並在相鄰接之處理室構件(25)的至少其中一方處，涵蓋與另外一方間之抵接面的貫通孔(24)之開口部的周圍，而連續地設置溝部(27)，且各處理室構件(25)，係以隔著被裝著於溝部(27)處之密封構件(26)而分別被密接的狀態而被固定，而具備有以複數之貫通孔(24)所構成之處理空間(A)、和壁面構件(22)以及蓋構件(23)，係將處理空間(A)作填塞；和支持構件(30)，係將被配置在處理空間(A)內之基板(S)作支持；和加熱手段(40)，係經由輻射熱而將基板(S)作加熱。
简体摘要： [课题]提供一种：能够以低成本来制造，且能够以高效率来将基板作良好的加热处理之加热处理设备。[解决手段]加热处理设备，系构成为具备有：真空处理室(20)，其系具备：处理室本体(21)，系由具备贯通孔(24)的复数之处理室构件(25)所成，并在相邻接之处理室构件(25)的至少其中一方处，涵盖与另外一方间之抵接面的贯通孔(24)之开口部的周围，而连续地设置沟部(27)，且各处理室构件(25)，系以隔着被装着于沟部(27)处之密封构件(26)而分别被密接的状态而被固定，而具备有以复数之贯通孔(24)所构成之处理空间(A)、和壁面构件(22)以及盖构件(23)，系将处理空间(A)作填塞；和支持构件(30)，系将被配置在处理空间(A)内之基板(S)作支持；和加热手段(40)，系经由辐射热而将基板(S)作加热。

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