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1. 发明专利

TWI622660B 陰極組合體有权
简体标题：阴极组合体
公开(公告)号：TWI622660B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105108837
申请日：2016-03-22
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：中村真也 , NAKAMURA, SHINYA , 山本弘輝 , YAMAMOTO, HIROKI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34

2. 发明专利

TW201704507A 陰極組合體审中-公开
简体标题：阴极组合体
公开(公告)号：TW201704507A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105108837
申请日：2016-03-22
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：中村真也 , NAKAMURA, SHINYA , 山本弘輝 , YAMAMOTO, HIROKI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3491
摘要：本發明係提供一種可抑制在背板之突出部分與靶材側面之間的異常放電之發生，並且可確實地防止將靶材與背板作接合的黏結材料滲出至外部的陰極組合體。具備絕緣物製之靶材(2)、被接合於此靶材之其中一面的背板(3)以及以背板之靶材側為下而與從靶材之外周端延伸到外方的背板之下側的延伸部分(31)對向配置之環狀的遮蔽板(4)之本發明之濺鍍裝置用的陰極組合體，係背板為具有相對於延伸部分而凸設的接合部(32)，使遮蔽板之內周緣部(41)，位置於在將靶材接合於此接合部的狀態下而從接合部突出到外方之靶材的突出部分(21)、與背板的延伸部分，此兩者之間的間隙。
简体摘要：本发明系提供一种可抑制在背板之突出部分与靶材侧面之间的异常放电之发生，并且可确实地防止将靶材与背板作接合的黏结材料渗出至外部的阴极组合体。具备绝缘物制之靶材(2)、被接合于此靶材之其中一面的背板(3)以及以背板之靶材侧为下而与从靶材之外周端延伸到外方的背板之下侧的延伸部分(31)对向配置之环状的屏蔽板(4)之本发明之溅镀设备用的阴极组合体，系背板为具有相对于延伸部分而凸设的接合部(32)，使屏蔽板之内周缘部(41)，位置于在将靶材接合于此接合部的状态下而从接合部突出到外方之靶材的突出部分(21)、与背板的延伸部分，此两者之间的间隙。

3. 发明专利

TWI699443B 濺鍍裝置有权
简体标题：溅镀设备
公开(公告)号：TWI699443B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW104124387
申请日：2015-07-28
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：山本弘輝 , YAMAMOTO, HIROKI , 難波宏 , NANBA, TAKAHIRO , 神井正敦 , KAMII, MASAATSU , 小梁慎二 , KOHARI, SHINJI , 近藤智保 , KONDO, TOMOYASU , 森本直樹 , MORIMOTO, NAOKI
IPC分类号： C23C14/34

4. 发明专利

TW201612344A 濺鍍裝置审中-公开
简体标题：溅镀设备
公开(公告)号：TW201612344A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104124387
申请日：2015-07-28
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：山本弘輝 , YAMAMOTO, HIROKI , 難波宏 , NANBA, TAKAHIRO , 神井正敦 , KAMII, MASAATSU , 小梁慎二 , KOHARI, SHINJI , 近藤智保 , KONDO, TOMOYASU , 森本直樹 , MORIMOTO, NAOKI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/081 , C23C14/082 , C23C14/352 , C23C14/50 , C23C14/566 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/3447 , H01J37/345 , H01J37/3473 , H01L43/12
摘要：提供一種能夠將使結晶性作了更進一步的提升之絕緣物膜以良好的膜厚分布均一性來成膜之濺鍍裝置。本發明之濺鍍裝置(SM)，係在設置有絕緣物靶(4)之真空腔(1)內，具備有與此絕緣物靶相對向而保持應處理之基板(W)的平台(2)，並設置有將平台作旋轉驅動之驅動手段(3)、和對於絕緣物靶投入高頻電力之濺鍍電源(E1)、以及將稀有氣體導入至真空腔內之氣體導入手段(13)、(14)，將基板與絕緣物靶之濺鍍面之間的間隔(d3)，設定為40mm~150mm之範圍內。
简体摘要：提供一种能够将使结晶性作了更进一步的提升之绝缘物膜以良好的膜厚分布均一性来成膜之溅镀设备。本发明之溅镀设备(SM)，系在设置有绝缘物靶(4)之真空腔(1)内，具备有与此绝缘物靶相对向而保持应处理之基板(W)的平台(2)，并设置有将平台作旋转驱动之驱动手段(3)、和对于绝缘物靶投入高频电力之溅镀电源(E1)、以及将稀有气体导入至真空腔内之气体导入手段(13)、(14)，将基板与绝缘物靶之溅镀面之间的间隔(d3)，设置为40mm~150mm之范围内。

5. 发明专利

TWI473895B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI473895B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW097137910
申请日：2008-10-02
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：今北健一 , IMAKITA, KENICHI , 森田正 , MORITA, TADASHI , 山本弘輝 , YAMAMOTO, HIROKI , 森本直樹 , MORIMOTO, NAOKI , 鍋谷章生 , NABEYA, AYAO , 中村真也 , NAKAMURA, SHINYA
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01J37/347 , H01L43/12

6. 发明专利

TW201612341A 絕緣物標靶审中-公开
简体标题：绝缘物标靶
公开(公告)号：TW201612341A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104118161
申请日：2015-06-04
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：小梁慎二 , KOHARI, SHINJI , 山本弘輝 , YAMAMOTO, HIROKI , 田口洋治 , TAGUCHI, YOJI , 難波宏 , NANBA, TAKAHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3417 , C23C14/082 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/345
摘要：本發明係一種絕緣物標靶，其中，提供：於組裝於濺鍍裝置而投入交流電力時，防止在防磁罩與標靶之間的間隙引起放電之絕緣物標靶。對於絕緣物標靶(2)之濺鍍裝置(SM)之組裝時，加以配置防磁罩(5)於其周圍之本發明的濺鍍裝置用之絕緣物標靶(2)係具備：由防磁罩所圍繞之板狀的標靶材(21)，和作為加以濺鍍標靶材之一方的面之濺鍍面(2a)，加以接合於標靶材之另一方的面之外周緣部，從標靶材的周面加以延伸出於外方之同時，具有從防磁罩保持特定間隔之伸出部(22a)之環狀的支持材(22)，而支持材係投入交流電力於絕緣物標靶而加以濺鍍濺鍍面時，呈具有與標靶材之阻抗同等以上之阻抗地加以構成者。
简体摘要：本发明系一种绝缘物标靶，其中，提供：于组装于溅镀设备而投入交流电力时，防止在防磁罩与标靶之间的间隙引起放电之绝缘物标靶。对于绝缘物标靶(2)之溅镀设备(SM)之组装时，加以配置防磁罩(5)于其周围之本发明的溅镀设备用之绝缘物标靶(2)系具备：由防磁罩所围绕之板状的标靶材(21)，和作为加以溅镀标靶材之一方的面之溅镀面(2a)，加以接合于标靶材之另一方的面之外周缘部，从标靶材的周面加以延伸出于外方之同时，具有从防磁罩保持特定间隔之伸出部(22a)之环状的支持材(22)，而支持材系投入交流电力于绝缘物标靶而加以溅镀溅镀面时，呈具有与标靶材之阻抗同等以上之阻抗地加以构成者。

7. 发明专利

TWI513072B 穿隧磁電阻元件之製造方法有权
简体标题：穿隧磁电阻组件之制造方法
公开(公告)号：TWI513072B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100147681
申请日：2011-12-21
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：山本弘輝 , YAMAMOTO, HIROKI , 森田正 , MORITA, TADASHI , 大野英男 , OHNO, HIDEO , 池田正二 , IKEDA, SHOJI
IPC分类号： H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , H01L43/10

8. 发明专利

TW201230425A 穿隧磁電阻元件之製造方法 MANUFACTURING METHOD OF TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT 审中-公开
简体标题：穿隧磁电阻组件之制造方法 MANUFACTURING METHOD OF TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT
公开(公告)号：TW201230425A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100147681
申请日：2011-12-21
申请人：愛發科股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：山本弘輝 , 森田正 , 大野英男 , 池田正二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：本發明之課題為提供一種不需要MgO成膜步驟的垂直磁化型磁性元件之製造方法。本發明的解決手段為一種磁電阻元件1之製造方法,其係在基體10上積層由包含Co、Ni及Fe中至少一者之材料所構成的第1層30。接著,在第1層30上積層由Mg所構成之第2層40。接著,對包含第1層30與第2層40之積層體實施氧化處理,把第2層40的Mg氧化為MgO。接著,對積層體實施加熱處理,結晶化第2層40並且垂直磁化第1層30。若依據此製造方法,則能製造CoFeB-MgO系垂直磁化型磁性元件而不發生起因於MgO之成膜的問題。
简体摘要：本发明之课题为提供一种不需要MgO成膜步骤的垂直磁化型磁性组件之制造方法。本发明的解决手段为一种磁电阻组件1之制造方法,其系在基体10上积层由包含Co、Ni及Fe中至少一者之材料所构成的第1层30。接着,在第1层30上积层由Mg所构成之第2层40。接着,对包含第1层30与第2层40之积层体实施氧化处理,把第2层40的Mg氧化为MgO。接着,对积层体实施加热处理,结晶化第2层40并且垂直磁化第1层30。若依据此制造方法,则能制造CoFeB-MgO系垂直磁化型磁性组件而不发生起因于MgO之成膜的问题。

9. 发明专利

TW201207138A 成膜裝置 DEPOSITION APPARATUS 审中-公开
简体标题：成膜设备 DEPOSITION APPARATUS
公开(公告)号：TW201207138A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100114671
申请日：2011-04-27
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：小梁慎二 , 山本弘輝
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/225
摘要：【課題】本發明之課題為提供一種可達成改善具有凹凸部的基板表面之膜厚分布之成膜裝置。【解決手段】上述成膜裝置1係可使工作平台11上的基板W繞著第1軸Z1自轉與繞著第2軸Z2公轉。藉此，可提高基板W對成膜源12之相對位置變化的靈活度，而得以確保不會因基板W的半徑位置差異而改變膜厚分布的均一性。因此，根據上述成膜裝置1，對具有凹凸部的基板W之表面來說，可達成例如對該凹凸部側面的膜厚分布之改善。
简体摘要：【课题】本发明之课题为提供一种可达成改善具有凹凸部的基板表面之膜厚分布之成膜设备。【解决手段】上述成膜设备1系可使工作平台11上的基板W绕着第1轴Z1自转与绕着第2轴Z2公转。借此，可提高基板W对成膜源12之相对位置变化的灵活度，而得以确保不会因基板W的半径位置差异而改变膜厚分布的均一性。因此，根据上述成膜设备1，对具有凹凸部的基板W之表面来说，可达成例如对该凹凸部侧面的膜厚分布之改善。

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