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    • 3. 发明专利
    • 層疊式半導體裝置
    • 层叠式半导体设备
    • TW201842509A
    • 2018-12-01
    • TW106132146
    • 2017-09-19
    • 韓商愛思開海力士有限公司SK HYNIX INC.
    • 金支煥KIM, JI-HWAN李東郁LEE, DONG-UK
    • G11C29/12G01R31/27
    • 一種層疊式半導體裝置可以包括:基底晶粒;以及多個核心晶粒,其層疊在基底晶粒之上,並且適用於透過多個穿通電極與分配的通道通訊。每個核心晶粒可以包括:穿通電極掃描單元,其根據分配的通道資訊而被致能,並且適用於執行使信號向下傳輸穿過穿通電極之中在列方向上連接的穿通電極的向下掃描,以及執行使信號向上傳輸穿過在列方向上連接的穿通電極的向上掃描;以及缺陷檢測單元,其適用於基於向下掃描和向上掃描來檢測穿通電極是否具有缺陷。
    • 一种层叠式半导体设备可以包括:基底晶粒;以及多个内核晶粒,其层叠在基底晶粒之上,并且适用于透过多个穿通电极与分配的信道通信。每个内核晶粒可以包括:穿通电极扫描单元,其根据分配的信道信息而被致能,并且适用于运行使信号向下传输穿过穿通电极之中在列方向上连接的穿通电极的向下扫描,以及运行使信号向上载输穿过在列方向上连接的穿通电极的向上扫描;以及缺陷检测单元,其适用于基于向下扫描和向上扫描来检测穿通电极是否具有缺陷。