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1. 发明专利

TWI531033B 階層式晶片上記憶體有权
简体标题：阶层式芯片上内存
公开(公告)号：TWI531033B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW099116818
申请日：2010-05-26
申请人：惠普研發公司 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：瑞比洛吉爾伯托M , RIBEIRO, GILBERTO MEDEIROS , 威廉斯 R 史丹利 , WILLIAMS, R. STANLEY , 皮奇特馬修D , PICKETT, MATTHEW D.
IPC分类号： H01L23/12 , G11C5/02
CPC分类号： G11C5/02 , G11C5/063 , G11C2213/71

2. 发明专利

TWI433314B 受控切換憶阻器有权
简体标题：受控切换忆阻器
公开(公告)号：TWI433314B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW100103073
申请日：2011-01-27
申请人：惠普研發公司 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：威廉斯 R 史丹利 , WILLIAMS, R. STANLEY , 瑞比洛吉爾伯托M , RIBEIRO, GILBERTO MEDEIROS , 史楚寇夫迪米崔B , STRUKOV, DMITRI BORISOVICH , 楊錦華 , YANG, JIANHUA
IPC分类号： H01L29/417
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/77 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146

3. 发明专利

TW201113986A 階層式晶片上記憶體 HIERARCHICAL ON-CHIP MEMORY 审中-公开
简体标题：阶层式芯片上内存 HIERARCHICAL ON-CHIP MEMORY
公开(公告)号：TW201113986A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099116818
申请日：2010-05-26
申请人：惠普研發公司
发明人：瑞比洛吉爾伯托M , 威廉斯 R 史丹利 , 皮奇特馬修D
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： G11C5/02 , G11C5/063 , G11C2213/71
摘要：一階層式晶片上記憶體包括包含輸入/輸出功能及依電性記憶體的一區域分佈CMOS層及導孔陣列,該區域分佈CMOS層經配置成選擇性地為該導孔陣列定址。一交叉記憶體覆蓋在該區域分佈CMOS層上且包括透過該導孔陣列被唯一存取的可程式交叉點元件。一種利用階層式晶片上記憶體的方法包括將經常被重寫的資料儲存在一依電性記憶體中及將不常被重寫的資料儲存在一非依電性記憶體中,其中該依電性記憶體包含在一區域分佈CMOS層內且該非依電性記憶體被形成於該區域分佈CMOS層上並經由其被存取。
简体摘要：一阶层式芯片上内存包括包含输入/输出功能及依电性内存的一区域分布CMOS层及导孔数组,该区域分布CMOS层经配置成选择性地为该导孔数组寻址。一交叉内存覆盖在该区域分布CMOS层上且包括透过该导孔数组被唯一存取的可进程交叉点组件。一种利用阶层式芯片上内存的方法包括将经常被重写的数据存储在一依电性内存中及将不常被重写的数据存储在一非依电性内存中,其中该依电性内存包含在一区域分布CMOS层内且该非依电性内存被形成于该区域分布CMOS层上并经由其被存取。

4. 发明专利

TW201140821A 受控切換憶阻器 CONTROLLED SWITCHING MEMRISTOR 审中-公开
简体标题：受控切换忆阻器 CONTROLLED SWITCHING MEMRISTOR
公开(公告)号：TW201140821A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100103073
申请日：2011-01-27
申请人：惠普研發公司
发明人：威廉斯 R 史丹利 , 瑞比洛吉爾伯托M , 史楚寇夫迪米崔B , 楊錦華
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/77 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要：一種受控切換憶阻器包括第一電極、第二電極及位於該第一電極與該第二電極之間的一切換層。該切換層包括被組配成在一導通(ON)狀態與一截止(OFF)狀態間切換的一材料，其中該第一電極、該第二電極及該切換層中的至少一者被組配成在該憶阻器內產生一永久電場以使從導通狀態切換到截止狀態的速度及能量與從截止狀態切換到導通狀態的速度及能量大體上對稱。
简体摘要：一种受控切换忆阻器包括第一电极、第二电极及位于该第一电极与该第二电极之间的一切换层。该切换层包括被组配成在一导通(ON)状态与一截止(OFF)状态间切换的一材料，其中该第一电极、该第二电极及该切换层中的至少一者被组配成在该忆阻器内产生一永久电场以使从导通状态切换到截止状态的速度及能量与从截止状态切换到导通状态的速度及能量大体上对称。

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