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1. 发明专利

TW356523B 僅使用施加直流(D.C.)信號測試動態隨機存取記憶體(DRAM)單元之方法失效
简体标题：仅使用施加直流(D.C.)信号测试动态随机存取内存(DRAM)单元之方法
公开(公告)号：TW356523B
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：TW086105924
申请日：1997-07-25
申请人：德州儀器公司
发明人：秦可安 , 寇丹尼 , 許光華 , 路奇風
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G11C29/56 , G11C29/46
摘要：在一種動態隨機存取記憶體單元，一根據啟動信號反應之內建式自動測試單元將提供一序列之信號並將該序列信號儲存於該細胞列陣內，將信號由儲存細胞列陣內取回，及將儲存信號與該取回信號做比較以確定該記憶體單元之操作。該啟動信號之產生係當一過電偵測單元偵測到一選擇記憶體單元端點之過電壓時產生。該內建式自動測試單元包括一局部記憶單元以儲存用於控制該測試程序之信號序列。測試程序的部份可以經由記憶體單元端點而施加至該內建式自動測試單元之DC來選擇。
简体摘要：在一种动态随机存取内存单元，一根据启动信号反应之内置式自动测试单元将提供一串行之信号并将该串行信号存储于该细胞列阵内，将信号由存储细胞列阵内取回，及将存储信号与该取回信号做比较以确定该内存单元之操作。该启动信号之产生系当一过电侦测单元侦测到一选择内存单元端点之过电压时产生。该内置式自动测试单元包括一局部记忆单元以存储用于控制该测试进程之信号串行。测试进程的部份可以经由内存单元端点而施加至该内置式自动测试单元之DC来选择。

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