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    • 10. 发明专利
    • 圖案化透明導電膜及製造這種圖案化透明導電膜的方法
    • 图案化透明导电膜及制造这种图案化透明导电膜的方法
    • TW201643896A
    • 2016-12-16
    • TW105111806
    • 2016-04-15
    • 巴斯夫歐洲公司BASF SE
    • 張銳ZHANG, RUI崁利安 加洛KHANARIAN, GARO迪許 賀夫DIETSCH, HERVE
    • H01B5/14H05K3/10
    • H01B1/22B05D1/26B05D1/28B05D3/0466B82Y30/00G06F2203/04103H01B13/0036H01L51/0023
    • 本發明係關於一種圖案化透明導電膜,其包含具有較高導電性之區域及具有較低導電性之區域,其中在具有較高導電性之該等區域中,奈米物體安置於一黏合劑基質中,使得該等奈米物體互連且從而形成具有較高導電性之區域,且其中在具有較低導電性之該等區域中,該等奈米物體在結構上完整且被塗佈有一絕緣塗層材料。 本發明進一步係關於一種用於製造這種圖案化透明導電膜之方法,該圖案化透明導電膜包含具有較低導電性之區域及具有較高導電性之區域,該方法包含以下步驟:(a)將包含導電奈米物體及黏合劑之油墨塗覆於基板上,從而形成第一層,其中導電奈米物體之量係使得該第一層在乾燥之後導電;(b)乾燥該第一層;(c)將包含絕緣塗層材料或絕緣塗層材料之前驅體的一混合物塗覆於將形成具有較低導電性之該等區域的該第一層之彼部分上,其中該絕緣塗 層材料或該等前驅體圍繞導電奈米線形成一絕緣塗層;(d)乾燥該經塗佈基板。
    • 本发明系关于一种图案化透明导电膜,其包含具有较高导电性之区域及具有较低导电性之区域,其中在具有较高导电性之该等区域中,奈米物体安置于一黏合剂基质中,使得该等奈米物体互连且从而形成具有较高导电性之区域,且其中在具有较低导电性之该等区域中,该等奈米物体在结构上完整且被涂布有一绝缘涂层材料。 本发明进一步系关于一种用于制造这种图案化透明导电膜之方法,该图案化透明导电膜包含具有较低导电性之区域及具有较高导电性之区域,该方法包含以下步骤:(a)将包含导电奈米物体及黏合剂之油墨涂覆于基板上,从而形成第一层,其中导电奈米物体之量系使得该第一层在干燥之后导电;(b)干燥该第一层;(c)将包含绝缘涂层材料或绝缘涂层材料之前驱体的一混合物涂覆于将形成具有较低导电性之该等区域的该第一层之彼部分上,其中该绝缘涂 层材料或该等前驱体围绕导电奈米线形成一绝缘涂层;(d)干燥该经涂布基板。