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1. 发明专利

TW200717520A 半導體記憶體裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体内存设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW200717520A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095103063
申请日：2006-01-26
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：原浩太 HARA, KOTA , 菊竹陽 KIKUTAKE, AKIRA
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/1027 , G11C11/4076 , G11C2207/002
摘要：一內部位址產生電路,隨著一外部位址被設定為一初始値,在突發讀取操作中連續產生內部位址。一記憶體核心具有多數個記憶體晶胞、並且因應一行選擇信號的啓動,連續輸出讀取自該等記憶體晶胞對應該突發讀取操作中之該等內部位址的資料。於該突發讀取操作,一記憶體核心控制電路中的一行控制電路,於一外部控制信號的一啓動期間,重複該行選擇信號的啓動持續一特定期間並且與不啓動該外部控制信號同步地强制不啓動該行選擇信號。於該突發讀取操作,該記憶體核心控制電路中的一操作狀態控制電路自該外部控制信號的不啓動經過一預定時間之後不啓動一操作狀態控制信號。
简体摘要：一内部位址产生电路,随着一外部位址被设置为一初始値,在突发读取操作中连续产生内部位址。一内存内核具有多数个内存晶胞、并且因应一行选择信号的启动,连续输出读取自该等内存晶胞对应该突发读取操作中之该等内部位址的数据。于该突发读取操作,一内存内核控制电路中的一行控制电路,于一外部控制信号的一启动期间,重复该行选择信号的启动持续一特定期间并且与不启动该外部控制信号同步地强制不启动该行选择信号。于该突发读取操作,该内存内核控制电路中的一操作状态控制电路自该外部控制信号的不启动经过一预定时间之后不启动一操作状态控制信号。

2. 发明专利

TWI298883B 半導體記憶體裝置及其控制方法 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME 有权
简体标题：半导体内存设备及其控制方法 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME
公开(公告)号：TWI298883B
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：TW093135978
申请日：2004-11-23
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：原浩太 HARA, KOTA , 山田伸一 YAMADA, SHINICHI
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/406 , G11C7/1027 , G11C7/20 , G11C11/40603 , G11C11/40615 , G11C11/4072
摘要：一種於其中,一個叢發運作是利用一記憶體核心來被執行的半
導體記憶體裝置具有一個讀取/寫入觸發訊號產生電路和一個讀取/
寫入訊號產生電路。該讀取/寫入觸發訊號產生電路在該叢發運作期
間自一個預定時序訊號產生一個讀取/寫入訊號要求。該讀取/寫入訊
號產生電路自該讀取/寫入觸發訊號產生電路接收一輸出訊號並且
在一個剛於該輸出訊號之接收之前之核心運作被完成與一列側之後
續之作動被完成之後輸出一個讀取/寫入訊號。
简体摘要：一种于其中,一个丛发运作是利用一内存内核来被运行的半导体内存设备具有一个读取/写入触发信号产生电路和一个读取/ 写入信号产生电路。该读取/写入触发信号产生电路在该丛发运作期间自一个预定时序信号产生一个读取/写入信号要求。该读取/写入讯号产生电路自该读取/写入触发信号产生电路接收一输出信号并且在一个刚于该输出信号之接收之前之内核运作被完成与一列侧之后续之作动被完成之后输出一个读取/写入信号。

3. 发明专利

TW200539180A 即使在叢發作業期間發生再新作業或字組線變更作業亦不減低效能之半導體記憶體裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITHOUT DECREASING PERFORMANCE THEREOF EVEN IF REFRESH OPERATION OR WORD LINE CHANGING OPERATION OCCUR DURING BURST OPERATION 审中-公开
简体标题：即使在丛发作业期间发生再新作业或字组线变更作业亦不减低性能之半导体内存设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITHOUT DECREASING PERFORMANCE THEREOF EVEN IF REFRESH OPERATION OR WORD LINE CHANGING OPERATION OCCUR DURING BURST OPERATION
公开(公告)号：TW200539180A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW093135978
申请日：2004-11-23
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：原浩太 HARA, KOTA , 山田伸一 YAMADA, SHINICHI
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/406 , G11C7/1027 , G11C7/20 , G11C11/40603 , G11C11/40615 , G11C11/4072
摘要：一種於其中，一個叢發運作是利用一記憶體核心來被執行的半導體記憶體裝置具有一個讀取／寫入觸發訊號產生電路和一個讀取／寫入訊號產生電路。該讀取／寫入觸發訊號產生電路在該叢發運作期間自一個預定時序訊號產生一個讀取／寫入訊號要求。該讀取／寫入訊號產生電路自該讀取／寫入觸發訊號產生電路接收一輸出訊號並且在一個剛於該輸出訊號之接收之前之核心運作被完成與一列側之後續之作動被完成之後輸出一個讀取／寫入訊號。
简体摘要：一种于其中，一个丛发运作是利用一内存内核来被运行的半导体内存设备具有一个读取／写入触发信号产生电路和一个读取／写入信号产生电路。该读取／写入触发信号产生电路在该丛发运作期间自一个预定时序信号产生一个读取／写入信号要求。该读取／写入信号产生电路自该读取／写入触发信号产生电路接收一输出信号并且在一个刚于该输出信号之接收之前之内核运作被完成与一列侧之后续之作动被完成之后输出一个读取／写入信号。

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