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1. 发明专利

TWI508637B 印刷配線基板的製造方法以及印刷配線基板有权
简体标题：印刷配线基板的制造方法以及印刷配线基板
公开(公告)号：TWI508637B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100139832
申请日：2011-11-01
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：南高一 , MINAMI, KOICHI , 佐藤真隆 , SATOU, MASATAKA , 荻窪真也 , OGIKUBO, SHINYA , 原未奈子 , HARA, MINAKO
IPC分类号： H05K3/06 , H05K1/02
CPC分类号： H05K3/282 , H05K2203/124

2. 发明专利

TW201251542A 印刷配線基板以及選擇印刷配線基板的方法 PRINTED WIRING BOARD, AND METHOD FOR SELECTING PRINTED WIRING BOARD 审中-公开
简体标题：印刷配线基板以及选择印刷配线基板的方法 PRINTED WIRING BOARD, AND METHOD FOR SELECTING PRINTED WIRING BOARD
公开(公告)号：TW201251542A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101118567
申请日：2012-05-24
申请人：富士軟片股份有限公司
发明人：荻窪真也 , 原未奈子 , 南高一
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/282 , H05K2201/0769
摘要：本發明的目的在於提供一種銅配線間的絕緣可靠性優異的印刷配線基板。本發明的印刷配線基板包括:附有銅配線的基板,具有基板及配置於基板上的銅配線;以及銅離子擴散抑制層,覆蓋銅配線且含有含氮有機化合物;其中含氮有機化合物的附著量為5.0�10-9 g/mm2~1.0�10-6 g/mm2,且當使上述印刷配線基板浸漬於包含1.8質量%之硫酸及12質量%之過氧二硫酸鈉的蝕刻水溶液中時的銅配線的蝕刻速率(B ��m/min)、與當使不具有銅離子擴散抑制層的附有銅配線的基板浸漬於蝕刻水溶液中時的銅配線的蝕刻速率(A ��m/min)之比(B/A)小於1.20。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种铜配线间的绝缘可靠性优异的印刷配线基板。本发明的印刷配线基板包括:附有铜配线的基板,具有基板及配置于基板上的铜配线;以及铜离子扩散抑制层,覆盖铜配线且含有含氮有机化合物;其中含氮有机化合物的附着量为5.0�10-9 g/mm2~1.0�10-6 g/mm2,且当使上述印刷配线基板浸渍于包含1.8质量%之硫酸及12质量%之过氧二硫酸钠的蚀刻水溶液中时的铜配线的蚀刻速率(B ��m/min)、与当使不具有铜离子扩散抑制层的附有铜配线的基板浸渍于蚀刻水溶液中时的铜配线的蚀刻速率(A ��m/min)之比(B/A)小于1.20。

3. 发明专利

TW201220992A 印刷配線基板的製造方法以及印刷配線基板 METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD, AND PRINTED WIRING BOARD 审中-公开
简体标题：印刷配线基板的制造方法以及印刷配线基板 METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD, AND PRINTED WIRING BOARD
公开(公告)号：TW201220992A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100139832
申请日：2011-11-01
申请人：富士軟片股份有限公司
发明人：南高一 , 佐藤真隆 , 荻窪真也 , 原未奈子
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/282 , H05K2203/124
摘要：本發明的目的是提供配線間的絕緣可靠性優異的印刷配線基板的製造方法。本發明的印刷配線基板的製造方法包括:層形成步驟,使具有基板及配置於基板上的銅或銅合金配線的核心基板、與包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑且pH値顯示5-12的處理液接觸,然後藉由溶劑清洗核心基板,而於銅或銅合金配線表面上形成包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑的銅離子擴散抑制層;以及絕緣膜形成步驟,於層形成步驟後於設置有銅離子擴散抑制層的核心基板上形成絕緣膜。
简体摘要：本发明的目的是提供配线间的绝缘可靠性优异的印刷配线基板的制造方法。本发明的印刷配线基板的制造方法包括:层形成步骤,使具有基板及配置于基板上的铜或铜合金配线的内核基板、与包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑且pH値显示5-12的处理液接触,然后借由溶剂清洗内核基板,而于铜或铜合金配线表面上形成包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑的铜离子扩散抑制层;以及绝缘膜形成步骤,于层形成步骤后于设置有铜离子扩散抑制层的内核基板上形成绝缘膜。

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