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1. 发明专利

TWI504564B 奈米石墨片結構有权
简体标题：奈米石墨片结构
公开(公告)号：TWI504564B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102109227
申请日：2013-03-15
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , WU, MARK Y. , 謝承佑 , HSIEH, CHENG YU , 林庚蔚 , LIN, GENG WEI , 葉秉昀 , YEH, PING YUN
IPC分类号： C01B31/04 , B82Y40/00

2. 发明专利

TW201434745A 奈米石墨片結構审中-公开
简体标题：奈米石墨片结构
公开(公告)号：TW201434745A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102109227
申请日：2013-03-15
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , WU, MARK Y. , 謝承佑 , HSIEH, CHENG YU , 林庚蔚 , LIN, GENG WEI , 葉秉昀 , YEH, PING YUN
IPC分类号： C01B31/04 , B82Y40/00
摘要：一種奈米石墨片結構包含N個相互堆疊的石墨烯層，其堆積密度在0.1g/cm3至0.01 g/cm3之間，其中N為30至300，奈米石墨片結構之厚度在10nm至100nm的區間、奈米石墨片結構之平面橫向尺寸在1um至100um的區間、奈米石墨片結構之平面橫向尺寸與厚度之比值在10至10000的區間，且奈米石墨片結構之氧含量小於3wt%，且碳含量大於95wt%，因此，保有奈米石墨片結構部份石墨烯之優異特性，且處理上具有天然石墨易於處理的優點，因此能夠更廣泛地應用。
简体摘要：一种奈米石墨片结构包含N个相互堆栈的石墨烯层，其堆积密度在0.1g/cm3至0.01 g/cm3之间，其中N为30至300，奈米石墨片结构之厚度在10nm至100nm的区间、奈米石墨片结构之平面横向尺寸在1um至100um的区间、奈米石墨片结构之平面横向尺寸与厚度之比值在10至10000的区间，且奈米石墨片结构之氧含量小于3wt%，且碳含量大于95wt%，因此，保有奈米石墨片结构部份石墨烯之优异特性，且处理上具有天然石墨易于处理的优点，因此能够更广泛地应用。

3. 发明专利

TWI632112B 奈米石墨烯片之製備方法有权
简体标题：奈米石墨烯片之制备方法
公开(公告)号：TWI632112B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW102145702
申请日：2013-12-11
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , WU, MARK Y. , 謝承佑 , HSIEH, CHENG YU , 林庚蔚 , LIN, GENG WEI , 葉秉昀 , YEH, PING YUN , 陳宗漢 , CHEN, TSUNG HAN
IPC分类号： C01B32/20 , B02C23/36

4. 发明专利

TW201522214A 奈米石墨烯片之製備方法审中-公开
简体标题：奈米石墨烯片之制备方法
公开(公告)号：TW201522214A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102145702
申请日：2013-12-11
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , WU, MARK Y. , 謝承佑 , HSIEH, CHENG YU , 林庚蔚 , LIN, GENG WEI , 葉秉昀 , YEH, PING YUN , 陳宗漢 , CHEN, TSUNG HAN
IPC分类号： C01B31/04 , B02C23/36
CPC分类号： C01B31/0469 , C01B32/192 , C01B2204/32
摘要：一種奈米石墨烯片之製備方法，包含插層氧化步驟、熱剝離步驟、機械剝離步驟、乾燥步驟及還原及熱處理步驟，插層氧化步驟是將石墨材料與插層劑及氧化劑進行插層氧化而形成石墨氧化物，熱剝離步驟將石墨氧化物接觸熱源，使石墨氧化物剝離為奈米石墨片結構，機械剝離步驟是將奈米石墨片結構懸浮於液體中，施以大於5000psi的機械剪切力，縮減奈米石墨片結構的橫向尺寸及厚度，形成奈米石墨烯片懸浮液，乾燥步驟是從奈米石墨烯片懸浮液分離出奈米石墨烯片，還原及熱處理步驟係將奈米石墨烯片還原，降低奈米石墨烯片之含氧量至3wt%以下並減少晶格缺陷。
简体摘要：一种奈米石墨烯片之制备方法，包含插层氧化步骤、热剥离步骤、机械剥离步骤、干燥步骤及还原及热处理步骤，插层氧化步骤是将石墨材料与插层剂及氧化剂进行插层氧化而形成石墨氧化物，热剥离步骤将石墨氧化物接触热源，使石墨氧化物剥离为奈米石墨片结构，机械剥离步骤是将奈米石墨片结构悬浮于液体中，施以大于5000psi的机械剪切力，缩减奈米石墨片结构的横向尺寸及厚度，形成奈米石墨烯片悬浮液，干燥步骤是从奈米石墨烯片悬浮液分离出奈米石墨烯片，还原及热处理步骤系将奈米石墨烯片还原，降低奈米石墨烯片之含氧量至3wt%以下并减少晶格缺陷。

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