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    • 3. 发明专利
    • 在非揮發性儲存裝置上提升資料耐久性之控制方法
    • 在非挥发性存储设备上提升数据耐久性之控制方法
    • TW201835935A
    • 2018-10-01
    • TW106108694
    • 2017-03-16
    • 宇瞻科技股份有限公司APACER TECHNOLOGY INC.
    • 廖崟權LIAO, YIN-CHUAN潘鴻文PAN, HUNG-WEN
    • G11C29/52G11C16/06
    • 本發明係提供一種在非揮發性儲存裝置上提升資料耐久性之控制方法,此非揮發性儲存裝置包含一控制單元、一基板、一溫度感測單元及至少一非揮發性儲存單元,此控制方法包含下列步驟:供給一電力至非揮發性儲存裝置。寫入資料至非揮發性儲存單元。記錄該資料被寫入到此非揮發性儲存單元之一資料儲存時間。定期讀取此溫度感測單元之一量測溫度。當資料儲存時間長於一耐久時間門檻值或是量測溫度符合一耐久溫度判斷條件或非揮發記憶體使用次數 (寫入/抹除次數,P/E cycles) 達一門檻值時,在非揮發性儲存單元上覆寫該資料,並增加自動定期驅動機制之一資料覆寫執行頻率。
    • 本发明系提供一种在非挥发性存储设备上提升数据耐久性之控制方法,此非挥发性存储设备包含一控制单元、一基板、一温度传感单元及至少一非挥发性存储单元,此控制方法包含下列步骤:供给一电力至非挥发性存储设备。写入数据至非挥发性存储单元。记录该数据被写入到此非挥发性存储单元之一数据存储时间。定期读取此温度传感单元之一量测温度。当数据存储时间长于一耐久时间门槛值或是量测温度符合一耐久温度判断条件或非挥发内存使用次数 (写入/抹除次数,P/E cycles) 达一门槛值时,在非挥发性存储单元上覆写该数据,并增加自动定期驱动机制之一数据覆写运行频率。
    • 6. 发明专利
    • 具混合儲存模式的固態儲存裝置
    • 具混合存储模式的固态存储设备
    • TW201600964A
    • 2016-01-01
    • TW103122240
    • 2014-06-27
    • 宇瞻科技股份有限公司APACER TECHNOLOGY INC.
    • 潘鴻文PAN, HUNG WEN廖崟權LIAO, YIN CHUAN
    • G06F12/02G06F3/06
    • 一種具混合儲存模式的固態儲存裝置,主要由一快閃記憶體以及一與該快閃記憶體資訊連接的資料處理模組。其中,該快閃記憶體包含有一以一第一電位儲存模式儲存資料的第一儲存磁區以及一以一第二電位儲存模式儲存資料的第二儲存磁區,該第一儲存磁區的實體區塊位址為P0至PM-1,邏輯區塊位址為L0至LM-1,而該第二儲存磁區的實體區塊位址為PM至PM+N-1,該邏輯區塊位址為LM至LM+N-1。該資料處理模組具有一解讀一指令所包含的該邏輯區塊位址而於對應的該實體區塊位址執行指令動作的資料處理模式。據此,以提供一種具高穩定性及高資料儲存容量的固態儲存裝置。
    • 一种具混合存储模式的固态存储设备,主要由一闪存以及一与该闪存信息连接的数据处理模块。其中,该闪存包含有一以一第一电位存储模式存储数据的第一存储磁区以及一以一第二电位存储模式存储数据的第二存储磁区,该第一存储磁区的实体区块位址为P0至PM-1,逻辑区块位址为L0至LM-1,而该第二存储磁区的实体区块位址为PM至PM+N-1,该逻辑区块位址为LM至LM+N-1。该数据处理模块具有一解读一指令所包含的该逻辑区块位址而于对应的该实体区块位址运行指令动作的数据处理模式。据此,以提供一种具高稳定性及高数据存储容量的固态存储设备。